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GUÍA DE LABORATORIO ELECTRÓNICA I - LETN503
Laboratorio N° 1
1. Características y Circuitos con Diodos
Lista de Materiales
Resistores: 1K, 100, 180, 390.
Diodos Rectificadores: 1N4007
Diodos Zener: De 5.1V(1N751), De 9,1V(1N757)
Capacitores: 100nF
1.1 Objetivos del Laboratorio
Objetivos General
Analizar, diseñar e implementar circuitos con diodos y verificar el funcionamiento practico

en los circuitos.
Objetivos Específicos
Verificar el funcionamiento práctico del diodo en polarizacion directa y polarizacion
inversa.
Verificar en práctica la curva característica del diodo.
Verificar prácticamente los circuitos de aplicación con diodos.
Analizar y comprobar prácticamente el funcionamiento del diodo zener como regulador
de tensión.
2 Pre-Informe
2.1 Identificación de Terminales
Investigue una técnica eficaz para determinar en base a un multímetro (analógico ó digital) los
terminales de los Diodos de unión y Diodo zener y proceda a verificarlos identificando los
terminales de Ánodo y Cátodo.
2.2 Características de Polarización Directa.
Explique el funcionamiento de un diodo de unión PN y un diodo Zener en la región de

polarizacion directa, considere el circuito de la Figura 1.1 y Figura 1.2. Investigue las
características eléctricas que el fabricante proporciona (hoja de datos) para la región de
polarizacion directa para el diodo de unión y el diodo Zener a utilizar.
1K 1K
+88.8
Volts
Voltimetro +88.8
Volts
Voltimetro
12V 12V
+88.8
Amps
+88.8
Amps
Amperimetro Amperimetro
Figura 1.1 Figura 1.2
GESTIÓN 2019 Página 1

2.3 Características de Polarización Inversa.
Explique el funcionamiento de un diodo de unión PN y un diodo Zener en la región de

polarizacion inversa, considere el circuito de la Figura 1.3 y Figura 1.4. Investigue las
características eléctricas que el fabricante proporciona (hoja de datos) para la región de
polarizacion inversa para el diodo de unión y el diodo Zener a utilizar.
1K 1K
D1 +88.8
Voltimetro DZener +88.8
Voltimetro
Volts
Volts
12V 12V
+88.8
Amps
+88.8
Amperimetro
Amps
Amperimetro
Figura 1.3 Figura 1.4
2.4 Efectos de la Temperatura en un Semiconductor.
Investigue y explique los efectos de la temperatura para un diodo semiconductor, sobre los
parámetros de voltaje de arranque, corriente de saturación inversa y voltaje de ruptura en
polarizacion inversa. Considere una variación de temperatura desde 10°C hasta 50°C.
1K 1K
+88.8
Volts
Voltimetro D1 +88.8
Voltimetro
Volts
12V 12V
+88.8
Amps
Amperimetro
+88.8
Amps
Amperimetro
Figura 1.5
Figura 1.6
2.5 Característica Tensión-Corriente (V-I)

Utilizando los circuitos indicados la Figura 1.1 al 1.4 obtenga las características V-I para los
siguientes diodos: Germanio (1N34) o similar, Silicio (1N4007) o similar, Zener de
5.1[V]/500[mW] (1N751) o similar, Zener de 9.1[V] (1N757) o similar.

2.6 Recortador De Onda
Para el circuito de la Figura 1.7, analizar y determinar la forma de la señal de salida v o. Para los
siguientes casos
a) Consideres que la señal de entrada Vs es una señal triangular con valores máximos y
mínimos de +12V y -12V y una frecuencia de 1KHz.
b) Consideres que la señal de entrada vS  12sen(100 t )[V ] .
c) Consideres que la señal de entrada Vs es una señal rectangular con valores máximos y
mínimos de +12V y -12V y una frecuencia de 1KHz.
DZ 1
VZ  5.1V

vS 1K vo

DZ 2
VZ  9.1V
Figura 1.7
2.7 Rectificadores.
2.8
Para los circuitos de la Figura 1.8 y Figura 1.9. Realice el análisis y cálculo de:
a) Forma de la señal de salida Vo.
b) Voltaje y Corriente continua sobre la carga (RL)
c) Voltaje y Corriente Alterna sobre la carga.
d) Rendimiento del circuito.
e) Factor de rizado
f) Voltaje Pico inverso que soportan los diodos.
g) Filtro tipo RC que adicionaría al circuito para incrementar las componentes en continua.
D1
 12V / AC
220V / AC 12V / AC 1K RL D1 D2 
vo
220V / AC 1K RL vo

D4 D3 
Figura 1.8
Figura 1.9

Guía de Laboratorio Electrónica I
2.9 Análisis para Señal Débil.
Para el circuito de la Figura 1.10. Determinar:

a) La corriente de diodo I DQ
b) Dibujar la recta de carga para corriente continua y corriente alterna.
c) Determinar el volta de salida vo para corriente alterna.
100 D
180
vi
390

10V
180 v
O

vi  0,8sen( wt )
Figura 1.10
2.10 Circuito Regulador con Diodo Zener
Para el circuito de la Figura 1.11. Los parámetros del diodo zener (1N751) son: Vz=5.1V con
iZ T  20 mA , RZ  17 PZmax  500 mW . El voltaje de alimentación VS varía entre 10 y 18V y la
corriente de carga cambia de 5mA a 50 mA.
Determinar:
a) El valor de la resistencia RS que el circuito funcione correctamente para los rangos de
variación de VS y RL .
b) La disipación de potencia en RS .
c) El valor de RL min y RL max
RS
V
RL
Figura 1.11
2.11 Aplicación en Mecánica, Electromecánica y Mecatrónica.
En base a los puntos del laboratorio, diseñe un circuito de aplicación en Ingeniería Mecánica,
Electromecánica y Mecatrónica (de acuerdo a la carrera a cual pertenezca), para que pueda ser

implementado, obteniéndose los resultados requeridos. Realice los cálculos necesarios y explique
claramente su funcionamiento.
2.11 Costo de Fabricación del Circuito de Aplicación
a) Para el circuito de aplicación diseñar el circuito impreso en el programa Proteus.

b) Determinar el costo de fabricación e implementación del circuito.
2.12 Simulación Proteus
Realice la simulación en el programa PROTEUS de todos los circuitos diseñados.
3. Laboratorio
Para la implementación de los circuitos en laboratorio deben traer sus propios componentes
electrónicos, proto board y multímetro.
Determinar los terminales Ánodo y Cátodo de los Diodos que utilizara en laboratorio. Compare
las medidas que se obtienen para todos los diodos que dispone.
3.2 Características de Polarización Directa.
Arme el circuito de la Figura 1.1, 1.2 y modificar el voltaje entregado por la fuente de
alimentación desde 0[V] hasta 12[V], adquirir los datos suficientes como para dibujar en una
hoja milimetrada la curva característica del Diodo en polarización directa, verifique el valor del
voltaje de arranque y voltaje activo para diodos de germanio y silicio.
3.3 Características de Polarización Inversa.
Arme el circuito de la Figura 1.3, 1.4 y modificar el voltaje entregado por la fuente de
alimentación desde 0[V] hasta 12[V], adquirir los datos suficientes como para dibujar en una
hoja milimetrada la curva característica del Diodo en polarización inversa, verifique el valor del
corriente de saturación inversa y voltaje de ruptura en polarizacion inversa.
3.4 Efectos de la Temperatura en un Semiconductor.
Arme el circuito de la Figura 1.5 y 1.6 (Para un diodo de silicio y otro de germanio), acerque un
cautín caliente al diodo, manteniéndolo próximo al diodo un tiempo razonable. Compare los
cambios que sufren los parámetros de voltaje de arranque y corriente de saturación inversa del
diodo al incrementar la temperatura desde la temperatura ambiente hasta 50°C.
3.5 Característica Tensión-Corriente (V-I)
Arme los circuito de la Figura 1.3 a 1.4 y modificar el voltaje entregado por la fuente de
alimentación desde 0[V] hasta 12[V], completar la tabla 1.1 (considere por lo menos 8 medidas
para polarizacion directa y 8 medidas para polarizacion inversa).

Tabla 1.1
Polarizacion Polarizacion Polarizacion Polarizacion Inversa

Directa Directa Inversa (Diodo Germanio)
(Diodo Silicio) (Diodo Germanio) (Diodo Silicio)
VA K [V ] I D [mA] VA K [V ] I D [mA] VA K [V ] I D [  A] VA K [V ] I D [  A]
0,1 0,1 -0,1 -0,1
0,2 0,2 -0,5 -0,5
0,3 0,3 -1 -1
0,4 0,4 -3 -3
0,5 0,5 -5 -5
0,6 0,6 -7 -7
0,62 0,62 -9 -9
0,65 0,65 -11 -11
0,67 0,67 -13 -13
0,69 0,69 -15 -15
0,7 0,7 -17 -17
0,75 0,75 -19 -19
0,8 0,8 -20 -20
3.6 Recortador De Onda
Arme el circuito de la Figura 1.7, medir y graficar la forma de onda la señal de salida vo , para
las tres formas de la señal de entrada.
3.7 Rectificadores.
Arme los circuitos de la Figura 1.8 y Figura 1.9. Verifique los parámetros calculados en el pre-
informe.
3.8 Análisis para Señal Débil.
Arme el circuito de la Figura 1.10. Mida I DQ y la señal de salida vo .
3.9 Circuito Regulador con Diodo Zener
Arme el circuito de la Figura 1.11. Compruebe los datos teóricos calculados. Varie el valor de la
fuente de tensión entre 10V y 18V y complete la tabla 1.2

Tabla 1.2
RL  1K  RL  180
VS [V ] VL  VZ [V ] I L [mA] I Z [mA] VS [V ] VL  VZ [V ] I L [mA] I Z [mA]
10 10
11 11
12 12
13 13
14 14
15 15
16 16
17 17
18 18
19 19
20 20
Arme el circuito de aplicación propuesto en el pre-informe y, verificar el funcionamiento.

Realizar las medidas necesarias.
4. Informe
4.1.- Para cada punto del laboratorio considerando la práctica realizada en laboratorio realice
una comparación e indique conclusiones entre los resultados que se obtuvo en laboratorio, los
datos teóricos calculados y las simulaciones que se realizaron.
Bibliografía
DONALD L. SCHILLING – CHARLES BELOVE. Circuitos Electrónicos Discretos e integrados,
Tercera Edición, McGraw-Hill, España, 1993.
ROBERT L. BOYLESTAD – LOUIS NASHELSKY. Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos, Décima Edición, Pearson Educación de México, México, 2009.
THOMAS L. FLOYD. Electronic Devices, Seventh Edition, Pearson Education International,
United States of America, 2005.
ALBERT PAUL MALVINO. Principios de Electrónica, Sexta Edición, Mc Graw
Hill/Interamericana de España, España, 2000.
JACOB MILLMAN- CHRISTOS C. HALKIAS, Electrónica Integrada, Primera Edición, Hispano
Europea, España, 1976.
UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS – FACULTAD DE INGENIERÍA – INGENIERÍA
ELECTRÓNICA, Guía de Laboratorio de Electrónica Básica I, La Paz Bolivia, 2009.

Laboratorio N° 2
2. Características del Transistor y Aplicaciones
Lista de Materiales
Resistores: 10K, 4,7K,1,8K, 100
Potenciómetros: 100K
Diodos Rectificadores: 1N4007
Transistores: BC548, BF245C, IRF640B
Capacitores: 100µF/25V
Relay 12V
1.- Objetivos del Laboratorio

Objetivos General
Analizar, diseñar e implementar circuitos con transistores y verificar el funcionamiento

practico en los circuitos.
 Estudiar las características de entrada y salida de los transistores BJT, JFET y

MOSFET.
 Determinar la curva característica de entrada y salida del transistor.
 Verificar el funcionamiento práctico del transistor en la zona activa.
 Verificar el funcionamiento práctico del transistor en la zona de corte y saturación.
2. Pre-Informe
Investigue los procedimientos a seguir para determinar en base a un multímetro los terminales
de los transistores BJT, JFET, MOSFET-Decremental y MOSFET-Incremental.
2.2 Hoja de datos de los transistores
Consultando la hoja de datos del fabricante, determine la curva característica de entrada,

curva característica de salida, parámetros más importantes para Corriente Directa
(Bipolares: VCEO , VCBO , VBEO , I CMAX , hFE , PDMAX ,VCE ( SAT ) , VBE ( SAT ) y Unipolares:
I DSS ,VP , K ,VGS (Th ) ,VGSMAX ,VDSMAX ,VDGMAX , I DMAX , PDMAX ) y parámetros más importantes para
pequeña señal (Bipolares: h fe , hoe , hre , hie , fT , Cob , Cib y Unipolares: y fs , yos , yis , Ciss , Crss , Coss )
de todos los transistores a utilizar en laboratorio.

2.3 Probando transistores
Realice medidas con un multímetro digital para los transistores BJT, JFET, MOSFET
Decremental y MOSFET Incremental, llene las tablas 2.1 y 2.2.
2.4 Características de Salida
Arme los circuitos de las Figuras 2.1, 2.2 y 2.3. Complete las tablas 2.3, 2.4 y 2.5. Empleando
los datos de las tablas 2.3, 2.4 y 2.5 represente las curvas características de salida para los tres
casos.
100K
+88.8
Amps
10K 100
15[V ]
BC 548
+88.8 NPN
Amps +88.8
Volts
100K
Figura 2.1
100K
+88.8
Amps
10K 100
15[V ]
BF 245C
15[V ] +88.8
Volts
100K +88.8
Volts
Figura 2.2

100K
+88.8
Amps
10K 100
15[V ]
IRF 640 B
+88.8
Volts
+88.8
100K Volts
Figura 2.3
2.5 Recta de Carga
Arme los circuitos de las Figuras 2.4, 2.5 y 2.6. Complete las tablas 2.6, 2.7 y 2.8. Empleando
los datos de las tablas 2.6, 2.7 y 2.8 dibujar las recta de carga para los tres casos.
+88.8
Amps
10K 100
15[V ]
BC 548
+88.8
Volts
100K
Figura 2.4
+88.8
Amps
10K 100
15[V ]
BF 245C
15[V ] +88.8
Volts
100K +88.8
Volts
Figura 2.5

+88.8
Amps
10K 100
15[V ]
IRF 640 B
+88.8
Volts
+88.8
100K Volts
Figura 2.6
2.6 Parámetros del Transistor
Considerandos los datos que se obtuvo en los puntos 2.5 y 2.6, para un punto de trabajo
determine los parámetros del circuito hibrido equivalente en emisor común y compuerta común.
2.7 Visualización de la Curva Característica de Salida
Arme el circuito de la Figura 2.7. Explique el funcionamiento del circuito.
1N 4001 C
+ D
CH  B
-
10K FM AM
Invertido
50 Hz,5Vpp,
5V Senoidal
100
Figura 2.7
2.8 El Transistor como Conmutador (Corte y Saturación)
Arme el circuito de la Figura 2.8. Explique el funcionamiento del circuito(Considere el

funcionamiento del transistor en la zona de corte y saturación).

Re lay
12V lampara
1,8K 220V / AC
100K
12V
100 4, 7K
BC 548
100  F
25V
Figura 2.8

3. Laboratorio

Considerando los procedimientos determinados en el pre-informe, identifique los terminales de
los transistores a utilizar en laboratorio sin necesidad de la hoja de datos del fabricante.
3.2 Probando transistores
Con un multímetro digital medir las resistencias de los terminales para los transistores BJT,
JFET, MOSFET Decremental y MOSFET Incremental, llene las tablas 2.1 y 2.2.

Tabla 2.1
BIPOLAR JFET
TRANSISTOR: TRANSISTOR:
Pines PNP [Ω] NPN [Ω] Pines Canal P [Ω] Canal N [Ω]
+B-E +G-S
-B+E -G+S
+C-B +D-G
-C+B -D+G
+C-E +D-S
-C+E -D+S
Tabla 2.2
MOSFET DECREMENTAL MOSFET INCREMENTAL

TRANSISTOR: TRANSISTOR:
Canal P Canal N
ORDEN Pines Canal P [Ω] Canal N [Ω] ORDEN Pines
[Ω] [Ω]
1 +G-S 1 +G-S
2 +D-S 2 +D-S
3 -D+S 3 -D+S
1 -G+S 1 -G+S
2 +D-S 2 +D-S
3 -D+S 3 -D+S
1 +D-G 1 +D-G
2 +D-S 2 +D-S
3 -D+S 3 -D+S
1 -D+G 1 -D+G
2 +D-S 2 +D-S
3 -D+S 3 -D+S
3.3 Características de Salida
Arme los circuitos de las Figuras 2.1, 2.2 y 2.3. Variando los valores de los potenciómetros,
complete las tablas 2.3, 2.4 y 2.5. Con estos datos represente las curvas características de
salida para los tres casos.

Tabla 2.3
Tabla 2.4

Tabla 2.5
3.4 Recta de Carga
Arme los circuitos de las Figuras 2.4, 2.5 y 2.6. Variando el valor del potenciómetro, complete
las tablas 2.6 Con estos datos dibujar las recta de carga para los tres casos.
Tabla 2.6
3.5 Parámetros del Transistor
Considerandos los datos que se obtuvo en los puntos 3.3 y 3.4, determine los parámetros del
circuito hibrido equivalente en emisor común y compuerta común.

3.6 Visualización de la Curva Característica de Salida
Arme el circuito de la Figura 2.7. Ajustar los valores de amplitud, frecuencia y tipo de señal del
generador de funciones, para desplegar en la pantalla del osciloscopio la curva característica de
salida del transistor.
3.7 El Transistor como Conmutador (Corte y Saturación)
Arme el circuito de la Figura 2.8. Verificar en laboratorio el funcionamiento práctico del circuito.
Tome los datos necesarios para comparar con la descripción realizada en el pre-informe.

4. Informe
Bibliografía

Laboratorio N° 3
3. Polarización y Amplificadores
Lista de Materiales
Resistores: 3M, 1M, 39K, 10K,4,7K, 3,9K, 2,2K,1,8K, 1K, 600
Transistores: BC548, BF245C, IRF640B
Capacitores: 4,7uF
1.- Objetivos del Laboratorio

Objetivos General
Analizar e implementar circuitos con transistores y verificar el funcionamiento practico en los

circuitos.
 Estudiar los esquemas de polarizacion de transistores bipolares y unipolares.

 Estudiar el comportamiento de los transistores para señal debil.
 Verificar la ganancia de tensión y ganancia de corriente en amplificadores.
 Estudiar las impedancias de entrada y salida en amplificadores.
2. Pre-Informe
2.1 Polarizacion de Transistores Bipolares
Calcular el punto de trabajo ( VCEQ , ICQ ) para el circuito de la Figura 3.1.
39K 10K
15V
BC 548
3,9K 1K
Figura 3.1
2.2 Polarización de Transistores Unipolares (JFET)
Calcular VDSQ , I DQ y VGSQ para el circuito de la Figura 3.2.

3M  1K
10V
BF 245
1M 
1K
Figura 3.2
2.3 Polarización de Transistores Unipolares (MOSFET)
Calcular VDSQ , I DQ y VGSQ para el circuito de la Figura 3.3.
3M  2, 2K
IRF 640
20V
1M  1K
Figura 3.3
2.4 Amplificador con Transistor Bipolar
Para el circuito de la Figura 3.4.

a) Calcular AV, AI, ZI y ZO,
b) Dibujar las rectas de carga AC y DC sobre las características V-I mostrando claramente
los puntos de operación estático y dinámico.
c) Calcule la estabilidad del circuito.
39K 10K
4, 7  F
600 4, 7  F  15V
BC 548
4, 7K vo
vi 
3,9K
1K
4, 7  F
Figura 3.4

2.5 Amplificador con Transistor Unipolar (JFET)

3M  1K
4, 7  F
4, 7  F 10V
600 BF 245 
10K vo
vi 
1M  1K
4, 7  F
Figura 3.5
2.6 Amplificador con Transistor Unipolar (MOSFET)

3M  2, 2K
4, 7  F
4, 7  F IRF 640 20V

600

10K
vo
vi 1K 
1M  4, 7  F
Figura 3.6


3. Laboratorio
3.1 Polarizacion de Transistores Bipolares
Arme el circuito de la Figura 3.1. Utilizando el multímetro mida IC , I B y VCE . Compare los
valores medidos con los valores teóricos.
3.2 Polarización de Transistores Unipolares (JFET)
Arme el circuito de la Figura 3.2. Utilizando el multímetro mida I D ,VGS y VDS . Compare los
3.3 Polarización de Transistores Unipolares (MOSFET)
Arme el circuito de la Figura 3.3. Utilizando el multímetro mida I D , VG S y VD .S Compare los

3.4 Amplificador con Transistor Bipolar
Arme el circuito de la Figura 3.4.
a) Utilizando el osciloscopio mida vi y vo . Calcule la ganancia de tensión con los valores

prácticos de vi y vo , compare los valores medidos con los valores teóricos.
b) Mida la impedancia de entrada Z i
c) Mida la impedancia de entrada Z o
3.5 Amplificador con Transistor Unipolar (JFET)


2.6 Amplificador con Transistor Unipolar (MOSFET)



4. Informe
Bibliografía

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GUÍA DE LABORATORIO ELECTRÓNICA I - LETN503

Analizar, diseñar e implementar circuitos con diodos y verificar el funcionamiento practico

Explique el funcionamiento de un diodo de unión PN y un diodo Zener en la región de

Figura 1.1 Figura 1.2

GESTIÓN 2019 Página 1

Explique el funcionamiento de un diodo de unión PN y un diodo Zener en la región de

Figura 1.3 Figura 1.4

2.4 Efectos de la Temperatura en un Semiconductor.

2.5 Característica Tensión-Corriente (V-I)

GESTIÓN 2019 Página 2

GESTIÓN 2019 Página 3

Para el circuito de la Figura 1.10. Determinar:

2.10 Circuito Regulador con Diodo Zener

2.11 Aplicación en Mecánica, Electromecánica y Mecatrónica.

GESTIÓN 2019 Página 4

2.11 Costo de Fabricación del Circuito de Aplicación

a) Para el circuito de aplicación diseñar el circuito impreso en el programa Proteus.

2.12 Simulación Proteus

Realice la simulación en el programa PROTEUS de todos los circuitos diseñados.

3.1 Identificación de Terminales

3.2 Características de Polarización Directa.

3.3 Características de Polarización Inversa.

3.4 Efectos de la Temperatura en un Semiconductor.

3.5 Característica Tensión-Corriente (V-I)

GESTIÓN 2019 Página 5

Polarizacion Polarizacion Polarizacion Polarizacion Inversa

3.6 Recortador De Onda

3.8 Análisis para Señal Débil.

Arme el circuito de la Figura 1.10. Mida I DQ y la señal de salida vo .

3.9 Circuito Regulador con Diodo Zener

GESTIÓN 2019 Página 6

3.10 Aplicación en Mecánica, Electromecánica y Mecatrónica.

Arme el circuito de aplicación propuesto en el pre-informe y, verificar el funcionamiento.

GESTIÓN 2019 Página 7

1.- Objetivos del Laboratorio

Analizar, diseñar e implementar circuitos con transistores y verificar el funcionamiento

 Estudiar las características de entrada y salida de los transistores BJT, JFET y

2.2 Hoja de datos de los transistores

Consultando la hoja de datos del fabricante, determine la curva característica de entrada,

GESTIÓN 2019 Página 8

2.4 Características de Salida

GESTIÓN 2019 Página 9

2.5 Recta de Carga

GESTIÓN 2019 Página 10

2.7 Visualización de la Curva Característica de Salida

Arme el circuito de la Figura 2.7. Explique el funcionamiento del circuito.

2.8 El Transistor como Conmutador (Corte y Saturación)

Arme el circuito de la Figura 2.8. Explique el funcionamiento del circuito(Considere el

GESTIÓN 2019 Página 11

2.6 Aplicación en Mecánica, Electromecánica y Mecatrónica.

2.7 Costo de Fabricación del Circuito de Aplicación

a) Para el circuito de aplicación diseñar el circuito impreso en el programa Proteus.

2.8 Simulación Proteus

Realice la simulación en el programa PROTEUS de todos los circuitos diseñados.

3.1 Identificación de Terminales

3.2 Probando transistores

GESTIÓN 2019 Página 12

MOSFET DECREMENTAL MOSFET INCREMENTAL

3.3 Características de Salida