RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiristor, es decir, se constituye por tres

terminales: ánodo (A), cátodo (K) y compuerta (G).

Símbolo del SCR y Aspecto Físico de Encapsulado

El SCR es utilizado para el control de potencia eléctrica, de conducción

unidireccional (en un solo sentido); que al igual que un diodo rectificador puede
conducir una corriente de Ánodo a Cátodo (IAK) en polarización directa y se
comporta virtualmente como un circuito abierto en polarización inversa (VKA) debido a
la alta resistencia que presenta en inverso.

A diferencia del diodo rectificador, el SCR cuenta con una condición adicional para
conducir. Esta es que en la tercera terminal, llamada compuerta (Gate) de control o de
disparo, en la cual se necesita una señal capaz de producir la conducción del SCR. Esta
compuerta permite controlar el instante, dentro del posible semiciclo de conducción, en
que la conducción de corriente se inicia; lo cual significa que podrá circular corriente en
una magnitud promedio o RMS que dependerá del instante en que el SCR sea
disparado, pudiendose así controlar la potencia de la carga.

FUNCIONAMIENTO DEL SCR EN CORRIENTE CONTINUA

Si no existe corriente en la compuerta el tristor no conduce. Lo que sucede después de

ser activado el SCR, es que se queda conduciendo (activado) y se mantiene así. Si se
desea que el tristor deje de conducir (desactivado), el voltaje +V debe ser reducido a 0
Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensión), el tristor seguirá conduciendo hasta que
por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o
de retención", lo que causará que el SCR deje de conducir aunque la tensión VG (voltaje
de la compuerta con respecto a tierra no sea cero.

Como se puede ver el SCR , tiene dos estados:

1- Estado de conducción, en donde la resistencia entre ánodo y cátodo es muy baja
2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
FUNCIONAMIENTO DEL SCR EN CORRIENTE ALTERNA

Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga eléctrica.
(Bombillo, Motor, etc.). La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a.
, etc.

El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensión de entrada y la tensión

en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede
verse que el voltaje en el condensador (en azul) está atrasado con respecto al voltaje
de alimentación (en rojo) causando que el tiristor conduzca un poco después de que el
tiristor tenga la alimentación necesaria para conducir.

Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor

de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potenciómetro, se modifica el desfase que
hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en
diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la señal. y deje
de conducir.

Análisis gráfico del Disparo y Voltaje de salida del SCR

TIRISTOR DE CORRIENTE ALTERNA (TRIAC)

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el
flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos
sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de
la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa
(ángulo de disparo).

DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy
baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo
de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas
positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de
MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor
cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las
terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado
por tanto actúa como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión

importante al triac (dv/dt) aún sin conducción previa, el triac puede entrar
en conducción directa.

CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE

La estructura contiene seis capas como se indica

en la figura, aunque funciona siempre como un
tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1
conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido MT1-
MT2 a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el
disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicación de su estructura lo hace mas delicado
que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad
para soportar sobre intensidades. Se fabrican para
intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400
a 1000 V de tensión de pico repetitivo. Los triac son fabricados para
funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias
medias son denominados alternistores En la figura siguiente se muestra el
símbolo esquemático e identificación de las terminales de un triac, la
nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por
Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
El Triac actúa como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en
paralelo Fig. 3 , este dispositivo es equivalente a dos latchs.

CARACTERISTICA TENSION – CORRIENTE

La gráfica describe la característica tensión – corriente del

Triac. Muestra la corriente a través del Triac como una función de la
tensión entre los ánodos MT2 y MT1.

El punto VBD ( tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa

de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a través del
Triac, crece con un pequeño cambio en la tensión entre los ánodos.

El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por

debajo de la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la
disminución de la tensión de la fuente.

Una vez que el Triac entra en conducción, la compuerta no controla mas

la conducción, por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente
corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la
compuerta.

El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la

tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y
obtenemos la característica invertida. Por esto es un componente
simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la
característica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III cuadrante

METODOS DE DISPARO

Como hemos dicho, el Triac posee dos ánodos denominados ( MT1 y MT2)
y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del
ánodo 2, se miden con respecto al ánodo 1. El triac puede ser disparado en
cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los
terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo.

Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de

disparo. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en
los cuatro modos posibles de disparo.
1 – El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en
que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas
con respecto al ánodo MT1 y este es el modo mas común (Intensidad de
compuerta entrante).

La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la

union P2N2 y en parte a través de la zona P2. Se produce la natural
inyección de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el área próxima a
la compuerta por la caida de tensión que produce en P2 la circulación
lateral de corriente de compuerta. Esta caída de tensión se simboliza en la
figura por signos + y - .

Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que
bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la
conducción.

2 – El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel

en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos
con respecto al ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión
P2N1. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1
más positivamente que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta
huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a
conducción.

3 – El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en

que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la
tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1(
Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente
conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando
T1 de puerta y P de cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión
positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones
hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura principal,
que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad
de la estructura auxiliar, entrando en conducción.

4 – El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel

en que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la
tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo
MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra
en conducción la estructura P2N1P1N4.
La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que
alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbido por su potencial de
unión, haciéndose más conductora. El potencial positivo de puerta polariza
más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima a
T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en
parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce
la entrada en conducción.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta
necesaria para el disparo es mínima. En el resto de los estados es
necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo
más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el
fabricante, asegura el disparo en todos los estados.

Circuito de Disparo para TRIAC

Análisis gráfico del funcionamiento del TRIAC

EJEMPLOS PRACTICOS DE APLICACION CON TRIAC.

CONTROL DE MOTOR

En la siguiente figura puede verse una aplicación práctica para

el control de un motor de c.a. mediante un triac. La señal de control (pulso
positivo) llega desde un circuito de mando exterior a la puerta inversora,
que a su salida proporciona un 0 lógico por lo que circulará corriente a
través del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho
diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a través de R2
tomando la tensión del ánodo del triac de potencia.
Este proceso produce una tensión de puerta suficiente para excitar al triac
principal que pasa al estado de conducción provocando el arranque
del motor.
Debemos recordar que el triac se desactiva automáticamente cada vez que
la corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es
necesario redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la
señal de control activada durante el tiempo que consideremos oportuno.

Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se

sitúa una red RC cuya misión es proteger al semiconductor de potencia, de
las posibles sobrecargas que se puedan producir por las corrientes
inductivas de la carga, evitando además cebados no deseados.

Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un

disipador de calor, de forma que el semiconductor se refrigere
adecuadamente.

CONTROL DE ILUMINACIÓN PARA LÁMPARAS (DIMMER)

Dispositivos Semicontrolados (Tiristires-
SCR-TRIAC-GTO)
Tiristores:

El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una

puerta”. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”)
se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el estado
“ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”),
específica para cada tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).

SCR (Rectificador Controlado de Silicio) :

De las siglas en inglés “Silicon Controlled Rectifier”, es el miembro más conocido de
la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es más frecuente hablar de
tiristor que de SCR.
El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la
Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que
permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulación de
corriente).
Si entre ánodo y cátodo tenemos una tensión positiva, las uniones J1 y J3 estarán
directamente polarizadas, en cuanto que la unión J2 estará inversamente polarizada. No
habrá conducción de corriente hasta que la tensión VAK aumente hasta un valor que provoque
la ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensión VGK positiva, circulará una corriente a través de J3, con portadores
negativos yendo del cátodo hacia la puerta. Por la propia construcción, la capa P donde se
conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que
atraviesen J3 tengan energía cinética suficiente para vencer la barrera de potencial existente
en J2, siendo entonces atraídos por el ánodo.
De esta forma, en la unión inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre ánodo y cátodo, que podrá persistir aún sin la
corriente de puerta.
Cuando la tensión VAK es negativa, J1 y J3 quedarán inversamente polarizadas, en
cuanto que J2 quedará directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unión J3 está
entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo
que cabe a la unión J1 mantener el estado de bloqueo del componente

Activación o disparo y bloqueo de los SCR:

Disparo por tensión excesiva

Cuando está polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensión de
polarización se aplica sobre la unión J2 . El aumento de la tensión VAK lleva a una expansión
de la región de transición tanto para el interior de la capa de la puerta como para la capa N
adyacente. Aún sin corriente de puerta, por efecto térmico, siempre existirán cargas libres que
penetren en la región de transición (en este caso, electrones), las cuales son aceleradas por el
campo eléctrico presente en J2. Para valores elevados de tensión (y, por tanto, de campo
eléctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al chocar
con átomos vecinos, provoquen la expulsión de nuevos portadores que reproducen el proceso.
Tal fenómeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de cargas por la unión J2,
tiene el efecto similar al de una inyección de corriente por la puerta, de modo que, si al iniciar
la circulación de corriente se alcanza el límite IL, el dispositivo se mantendrá en conducción .

Disparo por impulso de puerta

Siendo el disparo a través de la corriente de puerta la manera más usual de disparar el
SCR, es importante el conocimiento de los límites máximos y mínimos para la tensión VGK y
la corriente IG, como se muestra
El valor VGmin indica la mínima tensión de puerta que asegura la conducción de todos
los componentes de un tipo determinado, para la mínima temperatura especificada.
El valor VGmax es la máxima tensión de puerta que asegura que ningún componente de
un tipo determinado entrará en conducción, para la máxima temperatura de operación.
La corriente IGmin es la mínima corriente necesaria para asegurar la entrada en
conducción de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mínima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin para
determinar la recta de carga sobre las curvas características vGK-iG. la recta de carga cortará
los ejes en los puntos 6 V (tensión en vacío de corriente de Disparo) y 6 V / 12 Ω = 0,5 A
(intensidad de cortocircuito). Para asegurar la operación correcta del componente, la recta de
carga del circuito debe asegurar que superará los límites vGmin y iGmin, sin exceder los demás
límites (tensión, corriente y potencia máxima).

Disparo por derivada de tensión

Si a un SCR se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo con
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada.
Como se comentó para el caso de disparo por tensión excesiva, si la intensidad de
fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor
entrará en conducción estable y permanecerá así una vez pasado el escalón de tensión que
lo disparó.
El valor de la derivada de tensión dv/dt depende de la tensión final y de la
temperatura, tanto menor cuanto mayores son éstas.

Disparo por temperatura

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N inversamente polarizada
aproximadamente se duplica con el aumento de 8º C. Así, el aumento de temperatura
puede llevar a una corriente a través de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de
conducción.
Disparo por luz
La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura y radiación
electromagnética de longitud de onda apropiada puede provocar también la elevación de la
corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crítico y obligar al disparo.
Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y permiten un aislamiento óptico
entre el circuito de control y el circuito de potencia

Parametros del SCR

- VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)

- VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Máxima corriente directa permitida.
- PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
- VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR

El cable blanco es la puerta. El rojo fino sirve de referencia de la tensión de cátodo

El TRIAC (“Triode of Alternating Current”) : es un tiristor bidireccional de tres

terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser
disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos
de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso
de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente.
el símbolo utilizado para representar el TRIAC, así como su
estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la
conducción de corriente de ánodo a cátodo y viceversa, de ahí que los terminales no se
denominen ánodo y cátodo, sino simplemente ánodo 1 (A1) y ánodo 2 (A2). En algunos
textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos
permite la puesta en conducción del dispositivo en ambos sentidos de circulación. Si bien
el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo
más usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en
conducción.

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo

únicamente un único circuito de control, dado que sólo dispone de un terminal de puerta.
Sin embargo, tal y como está fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de
potencia muy reducida. En general está pensado para aplicaciones de pequeña potencia,
con tensiones que no superan los 1000V y corrientes máximas de 15A. Es usual el empleo de
TRIACs en la fabricación de electrodomésticos con control electrónico de velocidad de
motores y aplicaciones de iluminación, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia
máxima a la que pueden trabajar es también reducida, normalmente los 50-60Hz de la red
monofásica

GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)

A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la década de los años 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnología en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para
mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la
electrónica de potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con
dispositivos que alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso de
conducción a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear
un interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de
semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar

las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y viceversa. El símbolo utilizado para el
GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), así como su estructura interna en dos
dimensiones.

Principio de funcionamiento
El GTO tiene una estructura de 4 capas, típica de los componentes de la familia de los
tiristores. Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción y bloquearse
a través de señales adecuadas en el terminal de puerta G.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está directamente
polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y
cátodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se
mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atraídos por
el potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta corriente se mantiene
por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la señal de puerta
para mantenerse en conducción

El funcionamiento como
GTO depende, por ejemplo, de factores como:
• Facilidad de extracción de portadores por el terminal de puerta – esto es posible
debido al uso de impurezas con alta movilidad.
• Rápida desaparición de portadores en las capas centrales – uso de impurezas con bajo
tiempo de recombinación. Esto indica que un GTO tiene una mayor caída de tensión
en conducción, comparado a un SCR de dimensiones iguales.
• Soportar tensión inversa en la unión puerta-cátodo, sin entrar en avalancha – menor
dopado en la región del cátodo.
• Absorción de portadores de toda la superficie conductora – región de puerta-cátodo
con gran área de contacto.
Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones
inversas.