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Informe 6. El transistor MOSFET: Caracterización

y aplicaciones básicas
Pedro Alejandro Vanegas, Andrés Esteban Sierra Sánchez, Oscar Eduardo Serrano, Jorge Andrés Hernández
Velásquez
Facultad de Ingenierı́a Universidad Nacional de Colombia
Departamento de ingenierı́a eléctrica y electrónica
Laboratorio de Electrónica Análoga I
Electrónica Análoga 2016495- Grupo 8
20 de Octubre de 2017

Resumen—Este informe muestra las caracterı́sticas eléctricas

del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
(MOSFET), y los parámetros de los cuales depende su compor-
tamiento además del cálculo de éstos (caracterización del transis-
tor). También se mostrarán algunas de sus aplicaciones básicas,
como: transistor de potencia con un circuito de conmutación, en
el diseño de compuertas y un espejo de corriente simple. En está
práctica se usaron solo MOSFET de enriquecimiento tipo p o
tipo n.
Palabras Clave—Transistor MOSFET, espejo de corriente,
inversor, compuerta lógica.

I. I NTRODUCCI ÓN
El MOSFET se ha convertido en el dispositivo semicon-
ductor más importante para el avance de la tecnologı́a en
los últimos años, es usado como amplificador y conmutador, Figura 1: Circuito de caracterización de transistor BSS138.
además de ser usado en la industria microelectrónica tanto
en configuraciones análogas como digitales. Su importancia
en la tecnologı́a actual es tal, que está presente en todos los
microprocesadores de la época. ID = k · (VGS − VGSth )2 (1)
En esta práctica se obtendrán los valores de los parámetros de
los que depende la relación ID -VDS que son k y Vt . Estos Además se realizaron las simulaciones (Figura 2) con dos
valores dependen del transistor, y aunque hay una variación valores distintos de Vdd y utilizando la anterior ecuación se
proporcionada por el fabricante (por ejemplo para el BSS138 determinaron los valores teóricos de K y VGST H .
Vt varı́a entre 0.8V y 1.5V), es necesario conocer los valores
exactos para los transistores usados.
Al finalizar esta práctica se espera poder distinguir las dis-
tintas regiones de operación del transistor y cuáles son sus
caracterı́sticas en cada una de ellas.

II. P ROCEDIMIENTO .
A. Caracterización del transistor.
La primera parte del laboratorio consistió en caracterizar el
transistor BSS138. Para lograrlo se implementó el circuito de
la Figura 1 en protoboard y se conectó la fuente de tensión
al nivel indicado en el diagrama. Utilizando un multı́metro
se midió la tensión VDS en los terminales del transistor y la
corriente ID , que es la corriente circulante por la resistencia Figura 2: Simulación de circuito de caracterización de
R1. A partir de los valores obtenidos y usando las ecuaciones transistor BSS138.
de saturación del transistor (ecuación (1)) se obtuvieron los
valores de K y VGSth . Obteniendo ası́ los valores de k y VGSth
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mA
k = 91, 8
V2

VGSth = 1, 281V

Figura 5: Función de transferencia simulada para transistor

BSS138 a 70 % potenciómetro.
B. Curva caracterı́stica del transistor.

Empleando el montaje de la Figura 3 se obtuvo la curva

caracterı́stica del transistor BSS138. Se hizo para cuatro
valores de VGS variando el potenciómetro y se gráfico la
corriente que pasa por el transistor id con respecto a vds . Sin
embargo, tal y como estaba propuesto el circuito, la función
de transferencia dada invertida en el eje x, por lo cual se
cambiaron los terminales del canal 2 como lo muestra la Figura
4.

Figura 6: Función de transferencia simulada para transistor

BSS138 a 55 % potenciómetro.

Figura 3: Circuito para la función de transferencia para

transistor BSS138. Figura 7: Función de transferencia simulada para transistor
BSS138 a 40 % potenciómetro.

Figura 8: Función de transferencia simulada para transistor

BSS138 a 30 % potenciómetro.

Figura 4: Circuito para la función de transferencia para

transistor BSS138 modificado.
C. Circuito espejo.

Ahora se enseñan las simulaciones de los circuitos obte- La tercera parte del laboratorio consistió en implementar el
nidos. Estos corresponden al potenciómetro en 70, 55, 40 y circuito de la Figura 9. Se simuló con los valores mostrados
30 % (Figuras 5, 6, 7 y 8 respectivamente). en la Figura 10.
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TABLA I: Simulación de variación de potenciómetro para el

circuito de la Figura 9
Resistencia Corriente
kΩ mA
0 1.25
1 1.24
2 1.14
3 1.23
4 1.23
5 1.21
6 1.19
7 1.18
8 1.13
9 1.04
10 0.88

Figura 9: Circuito espejo utilizando integrado CD4007. D. Circuito inversor CMOS

La última parte del circuito consistió en conectar el gene-
rador de señales al circuito de la Figura 12 y se ajustó una
señal cuadrada de amplitud de 5 V con frecuencia de 1 KHz.

Figura 12: Simulación circuito CMOS inversor.

Ahora se muestra la gráfica de la señal de entrada y salida

del circuito de la Figura 12

Figura 10: Simulación del circuito espejo.

A continuación se muestra la tabla y gráfica para distintos Figura 13: Analisis transitorio salida(azul) y entrada(roja)
valores (tabla I).
III. R ESULTADOS .
A. Caracterización del transistor.
A partir del circuito de la Figura 1 se tomaron los valores
VGS e IDS para diferentes valores de VDD , como se puede
ver en la siguiente tabla

TABLA II: Mediciones de VGS e IDS para diferentes valores

de VDD .
VDD [V] VGS [V] IDS [mA]
5 1,177 1,23
5,5 1,170 1,10
6 1,183 1,36

Figura 11: Gráfica simulada corriente respecto a resistencia Utilizando la ecuación (1), establecemos un sistema de
para el circuito de la figura 9. ecuaciones con dos ecuaciones para hallar k y VGSth , para eso
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solo utilizaremos los valores VGS e IDS de sólo dos valores

de VDD , estableciendo el siguiente sistema de ecuaciones

0,00123 = k · (1,177 − VGSth )2

0,00136 = k · (1,183 − VGSth )2

Obteniendo ası́ los valores de k y VGSth

Figura 15: Función de transferencia para transistor BSS138 a
mA 55 % potenciómetro.
k = 90, 7
V2

VGSth = 1, 06V

B. Curva caracterı́stica del transistor

Se aplicó una señal triangular en serie con un diodo al

drain del MOSFET para el circuito de la Figura 3. El diodo
en serie cumple la función de quitar valores negativos a la
señal para que todo voltaje VDS sea positivo, tal y como lo
requiere todo MOSFET tipo N de enriquecimiento para su
adecuado funcionamiento. La señal debe ser alterna (podrı́a Figura 16: Función de transferencia para transistor BSS138 a
ser senoidal) para que varı́e el voltaje VDS y medir, con el 40 % potenciómetro.
osciloscopio, el valor de IDS para cada uno de los VDS dados
por el generador de señales y de esta forma obtener la curva
de transferencia VDS vs IDS . Este proceso se repite para
4 diferentes voltajes VGS , el potenciómetro del circuito es
el encargado de alimentar con diferentes tensiones el Gate-
Source. A continuación se muestran los resultados (Figuras
14, 15, 16 y 17.

Figura 17: Función de transferencia para transistor BSS138 a

30 % potenciómetro.

C. Fuente espejo de corriente básico.

Figura 14: Función de transferencia para transistor BSS138 a Los resultados correspondientes a esta parte del laboratorio
70 % potenciómetro. se muestran en la tabla III que está a continuación.
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TABLA III: Valores obtenidos de corriente variando el poten- simulación en un 1,2 %, mientras que el VGSth lo hace
ciómetro para el circuito de la Figura 9 en un 17,25 %. Sin embargo no se debe tomar el valor
Resistencia Corriente de VGSth como constante ya que este varı́a de factores
kΩ mA externos como la temperatura. Según la hoja de datos
0,19 0,702
1,11 0,804 este valor oscila entre 0,8 a 1,5 (V), teniendo su valor
2,13 0,852 tı́pico hacia el 1,3 V. Valor cercano al obtenido en la
3,13 0,873 simulación.
4,15 0,889
5,12 0,905 Otro aspecto para analizar en el circuito de la Figura
6,13 0,923 1, es el valor de VDS , realizando el análisis de malla
7,09 0,935 de entrada y salida, se encuentra que VDS = VGS , esto
8,03 1,23
8,94 1,35 nos permitir concluir que el transistor está operando en
9,98 1,41 región de saturación (porque VDS > VGS − VGSth )
siempre y cuando el VDD sea mayor que el VGSth .
D. Circuito inversor CMOS.
B. Caracterización del transistor
El circuito inversor CMOS invierte la señal de entrada como
se puede observar en la Figura 18. Su respectiva función de El propósito que cumple la resistencia R3 en el circuito
transferencia (Figura 19) se muestra después. de la Figura 3 es el de representar una corriente a través
de un voltaje. Es decir, en una función de transferencia
(bien sea simulada u obtenida en el laboratorio) se tiene
que siempre en los ejes coordenados se mide voltaje,
pero como lo que se querı́a medir era corriente, entonces
lo que se hizo fue poner una resistencia de 100 Ω y ası́
V = 100I. Es por esta razón que en el eje ’y’ de cada
simulación se tiene que la corriente es de 0,1 cada valor
del eje (en mA).
El valor de R1 es de 100kΩ, pero este no es el único
posible, ya que la resistencia está conectada en serie con
el gate del MOSFET. La corriente (en R1) va a ser 0A
debido al aislamiento de oxido-metálico (abre el circuito)
en el gate del transistor. En otras palabras, entre los
terminales de R1 hay un voltaje de 0v por ley de ohm.
Dentro del potenciómetro se hace un divisor de voltaje
Figura 18: señal de Salida y de entrada Circuito 4. (ya que la corriente es la misma), Por ejemplo en el
circuito de la Figura 3 se tiene que el potenciómetro
está al 70 % entre los terminales que van a VDD y al
transistor. Esto quiere decir que caerá un 70 % de voltaje
en estos terminales y 30 % entre el que va a transistor y
a tierra,
Ahora se procede a la comparación de curvas simuladas
y obtenidas.
• Se analiza la simulación de la Figura 5 y la foto
de la Figura 14 en las cuales el potenciómetro está
a un 70 % de su valor máximo. Como se ve el las
figuras la región de triodo es prácticamente igual
(una recta con pendiente constante que simboliza
que el transistor se comporta como una resistencia).
Para este valor el VGS = 3, 5V por el potenciómetro.
• Ahora se comparan las simulaciones de las Figuras
Figura 19: curva de transferencia Circuito CMOS. 6 y 7 y las fotos de las Figuras 15 y 16 en las
cuales el potenciómetro está a un 55 y un 30 % de
IV. A N ÁLISIS DE RESULTADOS su valor máximo, respectivamente. Como se aprecia,
la región de triodo se ve claramente, sin embargo
A. Caracterización del transistor se muestra que para un voltaje VDS existen dos
Los valores obtenidos de la ecuación 1 no son únicos, ya corrientes. Se encontró experimentalmente que para
que se tiene una ecuación cuadrática, pero se descarta la corregir este error habı́a que cambiar la resistencia
otra pareja de resultados ya que en ella el VGSth resulta R1 por una de pequeño valor, como por ejemplo 1Ω
mayor que el VGS . El valor obtenido de k varı́a del de la o no conectar ninguna resistencia (hacer un corto).
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• Por último se comparan las Figuras 8 y 17 en las de IDQ2 cambian cuando RL supera el intervalo, no
cuales se ve que el VGS = 1, 5V (por el valor del comportándose como una fuente de corriente constante.
potenciómetro). Este valor es muy cercano al valor Para establecer el intervalo de valores para RL se tienes
VGSth con lo cual el canal no se crea y se entra a en cuenta que los dos transistores Q1 y Q2 se encuentran
zona de corte que el la lı́nea roja que está sobre el en región de saturación. Por tanto
eje x en la simulación. En esta zona no importa el
valor de VDS dado que no hay conexión fı́sica entre VGSQ1 = VGSQ2
los dos sustratos tipo N.
Y se tiene los mismos valores de K y VGSth , esto
En la región de saturación la corriente ID es práctica- conlleva a que las dos corrientes, IDQ1 e IDQ12 son
mente constante cuando cambia VDS . Esto se debe a iguales A partir de estos datos, podemos establecer que
que el canal se llena o se satura, formando una especie
de triángulo (si se ve un corte longitudinal) en el cual VDSQ2 = VDD − IRL ∗ RL
no importa el voltaje que se suministre, los electrones
por unidad de tiempo que pasen serán casi los mismos.
Haciendo una analogia se puede pensar en una manguera VDD − IRL ∗ RL ≥ VGSQ2 − VGSth (2)
de agua. Si ésta se tapa y solo se deje un hueco muy
pequeño, no importa la presión a la cual se inyecte el VDD + VGSQ2 − VGSth
lı́quido, la cantidad de agua será prácticamente igual. RL ≤ (3)
IRL
Si se sigue con este proceso en algún momento se
romperá la manguera, que es precisamente, volviendo a A partir de la ecuación (3) hallamos el valor máximo de
la electrónica, cuando el transistor supere su potencia RL el cuál es 7.763kΩ.
nominal y se dañe. El valor de RL debe permanecer en ese intervalo para
que permita mantener la desigualdad de la ecuación (2),
C. Fuente espejo de corriente básico ecuación que nos afirma que el transistor Q2 se encuentra
en la región de saturación.
A partir de los datos registrados en la Tabla III, se realiza
De no ser ası́, VGSQ1 6= VGSQ2 debido a que los dos
la siguiente gráfica RL vs IDQ1 para ser comparada con
transistores están en diferentes regiones de operación. La
la gráfica obtenida a partir del programa de simulación
transición del transistor Q2 a través de las regiones de
de la Figura 11
operación dependerá del valor de RL , el cuál analizare-
mos en los siguientes intervalos
• 0 ≤ RL ≤ RLmax : en este intervalo de RL ,
el transistor esta en región de saturación ya que
se cumple la desigualdad de la ecuación (2) hasta
que RL llegue al valor máximo donde VDSQ2 =
VGSQ2 − VGSth .
• RLmax ≤ RL ≤ ∠: en este intervalo, el valor de
VDSQ2 es menor que VGSQ2 − VGSth , operando en
la región de triodo u óhmica. Estando el transistor
en esta región, el circuito no se comporta como una
fuente de corriente.

D. Circuito Inversor CMOS

Figura 20: gráfica de corriente respecto a resistencia para el El nodo de salida Vout queda conectado al nodo de
circuito de la figura 9. alimentación VDD a través del transistor P y queda
conectado al nodo de la tierra a través del transistor N
Tanto en la gráfica simulada como la gráfica experimental , controlados por la entrada Vin a la compuerta lógica.
encontramos un intervalo donde IDQ2 es aproximada- Los transistores P y N están conectados de manera que
mente 1mA. La principal diferencia que encontramos está , cuando el valor de entrada corresponde a 1 de la fun-
donde IDQ2 deja de ser constante en valores para RL ción,el transistor P se pone en conducción permitiendo
fuera del intervalo mencionado. el paso de corriente
A pesar de los cambios de valor de RL dentro de un Como se puede ver en la función de transferencia del
intervalo menor al elegido en la guia (RLmin = RRef /10 circuito (Figura19) solo hay dos puntos marcados. Estos
y RLmax = RRef ∗1,5) la corriente IDQ2 no varı́a debido puntos corresponden a (-5,5) y (5,-5) que son justamente
a que esta corriente no es controlada por esta resistencia, los valores picos de las ondas cuadradas. Con esta
sino a RRef . Este circuito es una fuente de corriente con función de transferencia se puede analizar que el ejercicio
carga variable RL . Esta carga variable está en el intervalo quedó bien realizado puesto que si no fuera ası́ estos
para cumpla con este modo de operación. Los valores puntos estarı́an corridos.
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El condensador se comporta como cortocircuito para

corriente alterna con alta frecuencia y circuito abierto
para corriente continua esto hace que se los utilice para
desacoplar señales de CA

V. C ONCLUSIONES
Para calcular los valores de VGSth y de K se deben
tomar varias parejas de ID y VGS . Estos deben ser lo
más exactos posibles ya que debido a un cambio mı́nimo
los valores de dichas constantes se modifican de manera
considerable ( de 1 a 20 %).
Un transistor MOSFET puede trabajar en tres zonas (cor-
te, triodo y saturación) que se usan según la aplicación.
Utilizar los transistores en configuración CMOS permi-
te desarrollar diferentes aplicaciones como compuertas
lógicas y circuitos inversores.
En el circuito de CMOS La señal de salida es igual a la
señal de entrada pues posee un bajo consumo de potencia
por esta razón este circuito se suele utilizar en circuitos
digitales.
En similitud con los diodos, los valores de caracte-
rización varı́an de acuerdo al cambio de temperatura
y otros factores como la fabricación. Por eso, aunque
se calculó un k y un VGSth para el transistor en la
etapa de caracterización hay que tener presente que este
puede variar por factores que no pueden ser controlados
fácilmente desde el laboratorio.