Consulta 2

FUNDAMENTOS DE LA ESPECIALIDAD
NOMBRE: WALTER GUILCASO

CURSO: NAC “B” ELECTRONICA DIGITAL Y TELECOMUNICACONES
TEMA: ELECTRÓNICA I
OBJETIVOS:
 Analizar los estados del transistor (punto de operación, corte y saturación).

 Entender la distribución y movimientos de carga en los transistores.
 Conocer las estructuras, funcionamiento y características de los diferentes tipos de
transistor.
 Conocer algunas aplicaciones.
 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR;
 ZONA DE CORTE: La corriente en el colector es prácticamente O.

 Existe una pequeña corriente inversa en el diodo del colector.
 ZONA DE SATURACIÓN: VCE toma valores entre O y unas décimas de voltios.
 El diodo del colector no tiene suficiente tensión positiva como para capturar todo los
electrones libres inyectados en ia base.
 ZONA ACTIVA: VCE toma valores superiores a unas décimas de voltios y la corriente del
colector no es O.
 El colector recoge todos los electrones libres inyectado por el emisor en la base.
 RECTA DE CARGA Y PUNTO DE TRABAJO

La recta de carga es la representación gráfica de todos los puntos de trabajo de un
circuito.
El punto de trabajo, conocido como punto Q, representa una solución simultánea para
la recta y la curva; en otras palabras, el punto Q es el único punto de la gráfica que
funciona tanto para el diodo como para el circuito.
Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un transistor, se tiene
que procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia máxima.
Esto se consigue eligiendo valores adecuados de la tensión de fuente VCC y de la
resistencia de carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores,
esté siempre por debajo de la curva de potencia máxima.
 CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR:

Dado que el transistor es un componente de tres terminales, es obvio que uno de ellos
deberá formar parte tanto de la entrada como de la salida del amplificador.
Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores, cada una de
ellas con características especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicación y se
dice que el transistor no está conduciendo, Normalmente este caso se presenta cuando no
hay corriente de base (Ib = 0).
 BASE COMÚN:
La terminología de BC se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como
a la salida de la configuración.
La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la salida.
La base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base)
 COLECTOR COMÚN:
La terminología de CC se deriva del hecho de que el colector es común tanto a la entrada
como a la salida de la configuración
El colector se conecta a las masas tanto de señal de entrada como a la salida.
El colector es común a la entrada (base-colector) y a la salida (emisor-colector).
 EMISOR COMÚN:
Se denomina configuración de emisor común porque el emisor común tanto a las
terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también común a las
terminales de la base y del colector.
- CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA:

Este circuito es el más sencillo de todos los circuitos de polarización. La resistencia Rc limita la
corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras
que la resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor
(IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).
Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con exactitud el
punto de trabajo (Q) del transistor. Como se mencionó al inicio, lo que se busca es polarizar al
transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para lograr esto debemos hacer uso de
ecuaciones características del circuito. Empezaremos por analizar dichas ecuaciones. Para
realizar esto último, debemos identificar la malla de entrada y de salida del circuito.
Malla de entrada: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa RB, la unión B-E (produciendo el voltaje
VBE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación de malla:
Vcc= IB*RB + VBE ...(1)
Por tratarse de transistores de silicio, VBE= 0,7 v
De la ecuación (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto Q),
considerando que tenemos como datos RB, RC, beta (b) y Vcc. Entonces:
BQ = (Vcc - VBE)/RB ... (2)
Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E (produciendo el
VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación:
Vcc= IC*RC + VCE ... (3)

De la ecuación (3) podemos despejar IC:
IC = -(1/RC)*VCE + (Vcc/RC) ... (4)
La ecuación (4) representa la Ecuación de la Recta de Carga, cuya gráfica nos permite encontrar
dos puntos característicos: la corriente máxima de colector (Isat) y el voltaje colector-emisor
máximo (Vcorte). Además podemos ubicar sobre ella el punto de trabajo (Q) del transistor, que
gráficamente representa la intersección de la Recta de carga con la curva característica.
Para: VCE= 0, tenemos:
ICmax= Isat= Vcc/RC (saturación)
Para: VCEmax=Vcorte= Vcc, tenemos: IC= 0

Además, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el valor de
VCEQ:
ICQ = b*IBQ
IEQ = (1+b)*IBQ
VCEQ = Vcc - ICQ*RC
Estos valores definen el punto de trabajo del transistor y con ello su zona de trabajo. Este tipo de
polarización no es muy estable, pues el punto Q varía bastante a medida que el transistor se
encuentra trabajando más tiempo.
 POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE:
Con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a
medida que el transistor este trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán casi
inalterables. Es por esta razón que este tipo de polarización es la más utilizada cuando
se trata de diseñar un amplificador.
Para determinar los valores de las resistencias de polarización, seguiremos considerando

los mismos criterios de diseño, como ya mencionamos anteriormente, los cuales facilitan
el cálculo de las resistencias.
Las condiciones de polarización las fijaremos de la siguiente manera:
Al hacer esto, estamos ubicando el punto Q en la mitad de la recta de carga, lo cual nos
permite obtener máxima excursión simétrica en la salida (esto es adecuado en
amplificadores de clase A).
Cálculo de Resistencias
Para calcular los valores de las resistencias de polarización haremos uso de algunos
criterios de diseño, tales como:
Hallando RE y RC
Para hallar el valor de RE, hacemos uso del primer criterio de diseño.
Para hallar RC, hallamos la ecuación de la recta de carga en la malla de salida y luego
reemplazamos el valor de RE, consideramos además las condiciones iniciales (punto Q).
 CONCLUSIÓNES:
 Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
los circuitos electrónicos.
 Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su aspecto físico, su
estructura básica y las simbologías utilizadas y se puede concluir que todos son
distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas y
nuevos tipos de transistores.
 BIBLIOGRAFIA:
 https://ebookcentral.proquest.com/lib/uisraelsp/detail.action?docID=3173669&query=transistores
 http://karengonzaleztorres.blogspot.com/2012/09/zona-de-trabajo-de-los-transistores.html

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 Analizar los estados del transistor (punto de operación, corte y saturación).

 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR;

 ZONA DE CORTE: La corriente en el colector es prácticamente O.

 RECTA DE CARGA Y PUNTO DE TRABAJO

 CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR:

- CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA:

Vcc= IC*RC + VCE ... (3)

Para: VCE= 0, tenemos:

ICmax= Isat= Vcc/RC (saturación)

Para: VCEmax=Vcorte= Vcc, tenemos: IC= 0

 POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE:

Para determinar los valores de las resistencias de polarización, seguiremos considerando

Las condiciones de polarización las fijaremos de la siguiente manera:

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