Mosfet Tipo Empobrecimiento

MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
INTRODUCCION.
En este tema se presenta un tipo de transistor cuyo funcionamiento est basado

en el transporte de carga asociado a un nico tipo de portadores (e- o p +). Debido
a ello, a veces son conocidos con el nombre de transistores unipolares, a
diferencia de los transistores bipolares (BJT) estudiados en el tema 3, en los que
el transporte de carga se realiza mediante ambos tipos de portadores inyectados a
travs de las uniones PN polarizadas directamente. Desde el punto de vista fsico,
el principio de funcionamiento se centra en la accin de un campo elctrico sobre
cargas elctricas, provocando su desplazamiento y, por ende, la corriente
elctrica. De ah su nombre genrico de: FET - Field Effect Transistor. Se ha
desarrollado diversas estructuras de transistores FET, segn la tecnologa y/o
necesidades. Las ms importante son las implementadas con tecnologas sobre
Silicio (Si) como el JFET, o Junction FET, y el MOSFET, o Metal-Oxide-
Semiconductor FET. En tecnologas de Arseniuro de Galio (As G) se han
implementado transistores MESFET o Metal Semiconductor FET. El desarrollo
actual de las tecnologas de Silicio es muy elevado. No as en el caso de las de As
Ga, que se encuentran an en fase de investigacin y experimentacin con un
grado de fiabilidad relativo, y a veces no disponible comercialmente. La mayora
de los CI actuales se realizan sobre tecnologas de Si. Dentro de ellas, el transistor
MOSFET es ampliamente el ms utilizado sobre los dems (JFET) por poseer
ciertas caractersticas que los hacen ventajosos, incluso en ocasiones respecto del
transistor bipolar:
1.- El proceso de fabricacin es simple (menor nmero de pasos)
2.- Reducido tamao, que conducen a densidades de integracin elevadas.
3.- Se puede evitar el uso de resistencias, debido a que su comportamiento se
puede modelar mediante tcnicas de circuito.
4.- Reducido consumo de energa (menor consumo de potencia).
5.- Pueden implementarse tanto funciones analgicas como digitales y/o mixtas
dentro de un mismo chip. Estas caractersticas han impulsado el desarrollo y uso
de los transistores MOSFET, siendo la mayora de los circuitos LSI y VLSI
fabricados en tecnologas MOSFET (P, memorias)
DISEO DEL CIRCUITO A REALIZAR
254
200
100
0
0V 5V 10V 15V 20V 25V 30V 35V 40V 45V 50V 55V 60V
V(M1:D) V(M1:G) I(M1:D)
V_V1
ESTRUCTURA METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOS)
La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un SUBSTRATO
de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de OXIDO
DE SILICIO (SiO2) que posee caractersticas dielctricas o aislantes. Por ltimo,
sobre esta se coloca una capa de METAL (Aluminio o polisilicio), que posee
caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico,
como se muestra en la Fig. 4.1.
La estructura MOS acta como un condensador de placas paralelas en el que G y

B son las placas y el xido el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga
acumulada es cero y la distribucin de portadores es aleatoria y correspondiente al
estado de equilibrio en el semiconductor. Si vGB > 0, aparece un campo elctrico
entre los terminales de puerta y substrato. La regin semiconductora p se
comporta creando una regin de empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de
deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando estaba
polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos se incrementa con VGB.
Al llegar a una cota de vGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la
acumulacin de cargas negativas libres (e- ) atrados por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin dbil a inversin
fuerte. El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad del
substrato debajo de la regin de puerta. En inversin fuerte, se forma as un
CANAL de e- libres en las proximidades del terminal de gate (puerta) y de huecos
p + en el extremo de la puerta. La intensidad de puerta, iG, es cero, puesto que en
continua se comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir
que la impedancia desde la puerta al substrato es prcticamente infinita e iG=0
siempre en esttica. Bsicamente, la estructura MOS permite crear una densidad
de portadores libres suficiente para sustentar una corriente elctrica
EL TRANSISTOR MOSFET PRINCIPIOS BASICOS.
A continuacin, se distinguen varias estructuras MOS similares, de las cuales se
analizar en ms detalle la denominada MOSFET de enriquecimiento de CANAL
N, aunque el funcionamiento de todas ellas es similar, y se basan en el mismo
principio de operacin.
MOSFET de enriquecimiento de CANAL N

Se trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interface Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+)
Los cuatro terminales de la estructura de la Fig. 4.3 son:

G -- Puerta o Gate
B -- Substrato o Body
D -- Drenador o Drain
S -- Fuente o Source
Los smbolos ms utilizados para su representacin a nivel de circuito se muestran
en la Fig. 4.4. El terminal B suele estar colocado a la tensin ms negativa
(referencia o GND) por lo que se omite en algunos smbolos (De este modo se
garantiza que los diodos de unin parsitos entre el sustrato y drenador y fuente
respectivamente siempre estn polarizados negativamente. La flecha en el
terminal de fuente nos informa sobre el sentido de la corriente. Observar que: iG=0
e iD = iS. A continuacin, se describe el principio de operacin de esta estructura
de transistor. Se considera la estructura MOS de la Fig. 4.5. En ella aparecen
diversas fuentes de tensin polarizando los diversos terminales: vGS, vDS. Los
terminales de substrato (B) y fuente (S) se han conectado a GND. De este modo,
vSB=0, se dice que no existe efecto substrato.
MOSFET de enriquecimiento de CANAL P

Responde a una estructura dual de la del MOS de canal N: intercambian la
regiones dopadas n por regiones dopadas p y viceversa. En este caso el canal se
forma gracias a la existencia de cargas positivas libres (huecos, p+). El
funcionamiento es similar. Es necesario colocar el substrato a la tensin ms
positiva, formndose el canal para valores de vGB (vGS) negativo, atrayendo a
cargas p+. La corriente de drenado-fuente, ISD, se origina si vDS < 0
Las curvas I-V caractersticas que se obtienen se muestran en la Fig. 4.14.
MOSFET de empobrecimiento o deplexin de CANAL N

La estructura MOS es similar a la de enriquecimiento. No obstante, durante el
proceso de fabricacin se ha aadido una implantacin n + en la regin del canal
(definida por W y L). Esta modificacin permite incrementar el nmero de cargas
negativas en el canal (e- ). De este modo puede existir corriente entre el drenador
y la fuente para valores de vGS nulos e inclusive negativos (equivalentes a la
existencias de tensiones umbrales negativas).
Las caractersticas iDS, vDS son muy parecidas a las de los transistores de
enriquecimiento, distinguindose tres regiones:
BIBLIOGRAFIA.
[SEDR91] A. S. Sedra and K. C. Smith: Microelectronic Circuits. Saunders
Collegue Publishing, Third Edition. 1991. [GHAU87] Ghausi, M.S.: Circuitos
electrnicos discretos e integrados. Nueva editorial Interamericana, 1987.
[SCHI93] Schilling, D.L. and Belove.: Circuitos electrnicos discretos e
integrados. 3a edicin, McGraw-Hill, 1993.

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Los cuatro terminales de la estructura de la Fig. 4.3 son:

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