UNIDAD III: SEMICONDUCTORES

3.1 GENERALIDADES

Toda clase de slidos, independientemente de su tipo de enlace, se caracterizan

porque sus estados electrnicos se agrupan en bandas de energa. Los metales
poseen una ltima banda, parcialmente ocupada, con niveles energticos
superiores libres, desocupados. Los electrones de valencia, dbilmente unido a los
tomos aislados, al formarse el cristal se deslocalizan y se mueven por todo el
cristal en forma de un gas de Fermi, constituyendo los electrones de conduccin.

Su conductividad disminuye:

a) Al aumentar la temperatura: (T)T = const.

b) Al crecer las impurezas y los defectos de la red.

Los metales reflejan o absorben muy dbilmente las radiaciones, sin que por ello
se altere su conductividad. Los aislantes poseen una banda prohibida de energa,
de anchura Eg, que separa la ltima banda completamente llena, banda de valencia,
sin estados libres. Los electrones de valencia estn ligados formando enlaces mas o
menos fuerte entre los tomos de la red. La banda prxima superior, banda de
conduccin, est vaca, con la totalidad de sus estados energticos desocupados. A
0 K la conductividad es nula, tienen una banda prohibida de anchura no nula, Eg
0.

Los aislantes se subdividen en dos clases: semiconductores y aislantes

propiamente dichos. Semiconductores: tienen una banda prohibida de anchura Eg
< 2Ev

Su conductividad tiene un valor intermedio entre el valor de los metales y el

valor de los aislantes.

La conductividad crece con la temperatura:

Mientras que en los metales el nmero de portadores es constante, del orden de

1028 m-3, independientemente del valor de la temperatura, en los
semiconductores al crecer la temperatura crece la agitacin trmica, se rompen
enlaces at- micos, y se crean pares de electrn-hueco, el nmero de portadores de
carga aumenta.

Las oscilaciones electromagnticas de frecuencia superior a una 0 propia de

cada semiconductor:

Los fotones absorbidos rompen algunos enlaces y se crean pares de electrn-hueco

de origen ptico que se adicionan a los de origen trmico.
 La adicin de elementos dopantes en la red del semiconductor genera en ste:
electrones en la BC, donadores, de concentracin Nd, o huecos en la BV aceptores,
de concentracin Na. Utilizando como variables la concentracin de los dopantes
se puede controlar las concentraciones de portadores, n, de electrones o, p, de
huecos. Estas dos clases de dopados crean sus correspondientes semiconductores
extrnsecos:

De tipo-n que conducen casi exclusivamente por electrones, tales como el P y Se

que son dopantes donadores para el Si y el AsGa, sustituyendo en la red los tomos
de Si y As respectivamente

De tipo-p que conducen casi exclusivamente por huecos, tales como el B y

Be que son dopantes aceptores para el Si y el AsGa, sustituyendo en la red
los tomos de Si y Ga respectivamente.

Tal y como experimentalmente se detecta, el coeficiente Hall es negativo para

electrones y positivos para huecos.

3.2 ENLACES Y CONDUCTIVIDAD

Conductividad.

Los fonones son los principales contribuyentes a la conductividad trmica en los

solidos no metlicos. Es importante conocer la relacin de dispersin ( = (qs))
que relaciona la frecuencia de vibracin y el vector de onda q, y el camino libre
medio del fonon, el cual puede ser obtenido resolviendo la ecuacin de transporte
de Boltzmann (Srivastava, 1990).

A medida que la temperatura en el solido cambia, el espectro de vibraciones de la

red cambia: a bajas temperaturas dominan modos vibracionales de baja frecuencia
(longitud de onda larga) y la conductividad trmica depende del tamao y forma
del cristal, si se incrementa la temperatura dominan modos de alta frecuencia
(longitud de onda corta) y la conductividad aumenta hasta alcanzar un mximo, a
temperatura por arriba de este mximo la conductividad trmica es limitada por la
interaccin fonon-fonon. Cerca del maximo, es afectado por las imperfecciones e
impurezas en el solido. Finalmente a muy altas temperaturas se hace independiente
de la temperatura y su magnitud se reduce a un valor pequeo

JUSTIFICACIN DEL ENLACE POR TEORA DE BANDAS:

La teora de bandas constituye una explicacin alternativa del comportamiento de los
materiales semiconductores. Se basa en el hecho de que los electrones de un tomo
aislado se distribuyen segn ciertos niveles energticos, denominados rbitas u
orbitales, en torno al ncleo. Cuando los tomos se unen unos con otros para formar un
slido, se agrupan de manera ordenada formando una red cristalina. En este caso,
debido a la proximidad de los tomos entre s, las rbitas en las que se encuentran los
electrones de cada tomo se ven afectadas por la presencia de los tomos vecinos. De
hecho, dichas rbitas se solapan entre s, dando lugar a la aparicin de unas zonas o
bandas continuas en las que se pueden encontrar los electrones, y que reciben el nombre
de bandas de energa.

Para entender el comportamiento de los materiales en relacin con su capacidad de

conducir, nos interesan las dos ltimas bandas, que son:

La banda de valencia: est ocupada por los electrones de valencia de los tomos, es
decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel energtico de los
tomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los tomos,
pero no intervienen en la conduccin elctrica.
La banda de conduccin: est ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que
se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. Estos electrones son los
responsables de conducir la corriente elctrica.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente elctrica debe
tener electrones en la banda de conduccin. Cuando la banda est vaca, el material se
comportar como un aislante.

Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda

prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los
electrones.

La conduccin de la corriente elctrica segn la teora de bandas

La estructura de bandas de un material permite explicar su capacidad para conducir o no

la corriente elctrica. Segn esto podemos distinguir tres casos, representados en las
figuras adjuntas.

En los materiales conductores, las bandas se encuentran muy prximas y la banda de

conduccin est ocupada por electrones libres, desligados de sus tomos, que pueden
moverse fcilmente y pasar de unos tomos a otros. Este tipo de estructura de bandas
corresponde a materiales que pueden conducir la corriente elctrica.
Sin embargo, en los materiales aislantes la banda de conduccin se encuentra vaca,
pues no hay electrones libres, de modo que no pueden conducir la corriente elctrica. La
banda que est ocupada en este caso es la banda de valencia, pero estos electrones no
pueden moverse libremente.
Los materiales semiconductores tienen una estructura de bandas semejante a la de los
aislantes, es decir, la banda de conduccin est vaca (y, en consecuencia, no conducen
la corriente elctrica). Sin embargo, en este caso la banda prohibida es muy estrecha, de
forma que la banda de valencia se encuentra muy prxima a la de conduccin.
Esta situacin permite que, si se comunica una pequea cantidad de energa al material,
algunos electrones de la banda de valencia puedan saltar a la de conduccin, lo que
quiere decir que se desligan de sus tomos y se hacen libres. Al tener ocupada la banda
de conduccin, el material se comportar como conductor.
3.3 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Desde que se desarroll el primer tiristor rectificador controlado de silicio (SCR), a

fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de
potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se habian utilizado en forma
exclusiva para el control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de
1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia
que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco
tipos principales:

1. Diodos de potencia
2. Tiristores
3. Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT)
4. MOSFET de potencia
5. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y Transistores de
induccin estaticos (SIT).
Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos:

a. Tiristor de conmutacin forzada

b. Tiristor conmutado por linea
c. Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
d. Tiristor de conduccin inversa (RCT)
e. Tiristor de induccin esttico (SITH)
f. Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)
g. Rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR)
h. Tiristores controlados por MOS (MCT).
Los Transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma
comercial.

UNIDAD IV: MATERIALES MAGNETICOS

4.1 INTRODUCCION A LOS MATERIALES MAGNETICOS

El fenmeno del magnetismo fue conocido por los griegos desde el ao 800 A.C. Ellos
descubrieron que ciertas piedras, ahora llamadas llamadas magnetita magnetita (Fe 3
O 4), atraan atraan piezas de hierro. La leyenda adjudica el nombre de magnetita a un
fragmento de mineral de hierro magnetizado que fue encontrado en la antigua ciudad
de Magnesia (hoy Manisa en el oeste de Turqua)

Experimentos subsecuentes demostraron que cualquier imn, sin importar importar

su forma, tiene dos polos, llamados polo norte y polo sur, los cuales presentan fuerzas
que actan entre s de manera anloga a las cargas elctricas. Es decir, polos iguales se
repelen y polos diferentes se atraen.
En 1600 William Gilbert extendi estos experimentos a una variedad de materiales
materiales. Utilizando Utilizando el hecho de que una aguja magntica (brjula) se
orienta en direcciones preferidas, sugiere que la misma Tierra es un gran imn
permanente.

En 1750, John Michell (1724-1793) us la balanza de torsin para demostrar que los
polos magnticos ejercen fuerzas de atraccin y repulsin entre s, y que estas fuerzas
varan como el inverso del cuadrado de la distancia de separacin.

Aun cuando la fuerza entre dos polos magnticos es similar a la fuerza entre dos cargas
elctricas, existe una importante diferencia. Las cargas elctricas se pueden aislar (lo
que se manifiesta en la existencia del protn y el electrn), mientras que los polos
magnticos no se pueden separar. Esto es, los polos magnticos siempre estn en
pares. Todos los intentos por detectar un polo aislado han fracasado. No importa
cuntas veces se divida un imn permanente, cada trozo siempre tendr un polo norte
y un polo sur.

4.2 MOMENTO MAGNETICO DE UN CAMPO

En fsica, el momento magntico de un imn es una cantidad que determina

la fuerza que el imn puede ejercer sobre las corrientes elctricas y el par que
un campo magntico ejerce sobre ellas. Un bucle de corriente elctrica, un
imn de barra, un electrn, una molcula y un planeta, todos tienen momentos
magnticos. Tanto el momento magntico como el campo magntico pueden
ser considerados como vectores con una magnitud y direccin. La direccin del
momento magntico apunta del polo sur al polo norte del imn. El campo
magntico producido por un imn es proporcional a su momento magntico.
Ms precisamente, el trmino momento magntico se refiere normalmente al
momento dipolar magntico de un sistema, que produce el primer trmino en la
expansin multipolar de un campo magntico en general. El dipolo que
compone el campo magntico de un objeto es simtrico respecto a la direccin
de su momento dipolar magntico, y disminuye con la inversa del cubo de la
distancia del objeto.
En presencia de un campo magntico (inherentemente vectorial), el momento
magntico se relaciona con el momento de fuerza de alineacin de ambos
vectores en el punto en el que se sita el elemento . El campo magntico es
el B, denominado induccin magntica o densidad de flujo magntico.
4.3 MOMENTO MAGNTICO ATOMICO

El momento magntico atmico se define como la suma (vectorial) de los

momentos magnticos orbitales y de spin de todos los electrones. Sin embargo, en
la inmensa mayora de los tomos se encuentra que S >> L, y el momento
magntico orbital se puede despreciar en comparacin con el momento magn-
tico de spin. Por otra parte, el llenado de las capas electrnicas en un tomo
cumple el principio de exclusin de Pauli y la regla de mxima multiplicidad de
Hund, que indican que la mayora de los orbitales estn ocupados por electrones
pareados, con sus vectores magnticos apuntando en sentido contrario. Los
electrones pareados no contribuyen al momento magntico atmico. De aqu que
para hacer un estimado del momento magntico atmico slo sean de inters, en la
gran mayora de los casos, el nmero N de electrones no pareados. De esta forma,
a NB Cuando todos los electrones de un tomo estn pareados N = 0, a = 0 y
el tomo es diamagntico. Si el tomo posee electrones no pareados ( N 0), es
paramagntico. Los gases inertes y algunos metales como el bismuto son
diamagnticos, mientras que los tomos de hierro, nquel, cobalto, que poseen
electrones no pareados, son paramagnticos.

UNIDAD V: DIELECTRICOS
5.1 PERMITIVIDAD

La permitividad (llamada tambin constante dielctrica) es una constante

fsica que describe cmo un campo elctrico afecta y es afectado por un medio. La
permitividad del vaco es 8,8541878176x10-12 F/m.
La permitividad est determinada por la tendencia de un material
a polarizarse ante la aplicacin de un campo elctrico y de esa forma anular
parcialmente el campo interno del material. Est directamente relacionada con
la susceptibilidad elctrica. Por ejemplo, en un condensador una alta permitividad
hace que la misma cantidad de carga elctrica se almacene con un campo elctrico
menor y, por ende, a un potencial menor, llevando a una mayor capacidad del
mismo.
En electromagnetismo se define el campo de desplazamiento elctrico D, como
el campo elctrico E multiplicado por la permitividad elctrica del medio. De este
modo el D slo es inducido por las cargas libres y no por la cargas dipolares. La
relacin de ambos campos (para medios lineales) con la permitividad es

donde es un escalar si el medio es istropo o un tensor de segundo orden en

otros casos.
 La permitividad, tomada en funcin de la frecuencia, puede tomar
valores reales o complejos. Generalmente no es una constante ya que puede
variar con la posicin en el medio, la frecuencia del campo aplicado, la
humedad o la temperatura, entre otros parmetros. En un medio no lineal, la
permitividad puede depender de la magnitud del campo elctrico.
La unidad de medida en el SI es el faradio por metro (F/m). D se mide
en culombios por metro cuadrado (C/m2), mientras que E se mide
en voltios por metro (V/m).
D y E representan el mismo fenmeno, la interaccin entre objetos
cargados. D est relacionado con las densidades de carga asociada a esta
interaccin. E se relaciona con las fuerzas y diferencias de potencial
involucradas. La permitividad del vaco , es el factor de escala que relaciona
los valores de D y E en ese medio. es igual a 8.8541878176...10-12 F/m.

5.2 BOMBAS DE ENERGIA

Las bombas proporcionan energa a los fluidos para su correcta aplicacin se

requiere de la comprensin de sus caracteristicas de funcionamiento a partir de
curvas; Asi como del conocimiento de los arreglos de estas que son utilizados para
satisfacer necesidades de gasto o carga hidrulica.

En las bombas centrifugas el fluido era axialmente a travs del eje de la carcasa, y
los alabes del rotor lo fuerzan para tomar un movimiento tangencial y radical hacia
el exterior del rotor donde es recogido por la carcasa que actua como difusor.

El fluido aumenta su velocidad y presin cuando pasa por el rotor, la parte de la

carcasa en forma toroidal desacelera el flujo y aumenta la presin.

5.3 TERCERA LEY DE COULUMB

La ley de Coulomb puede expresarse como:

La magnitud de cada una de las fuerzas elctricas con que

interactan dos cargas puntuales en reposo es directamente
proporcional al producto de la magnitud de ambas cargas e
inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las
separa y tiene la direccin de la lnea que las une. La fuerza es de
repulsin si las cargas son de igual signo, y de atraccin si son de
signo contrario.
La constante de proporcionalidad depende de la constante dielctrica del medio
en el que se encuentran las cargas.
Se nombra en reconocimiento del fsico francs Charles-Augustin de
Coulomb (1736-1806), que la enunci en 1785 y forma la base de
la electroesttica.

5.4 CLASIFICACION DE LOS DIELECTRICOS

Los dielctricos se clasifican principalmente en dos grupos:

Dielctricos polares
Dielctricos no polares

 UNIDAD VI: SUPERCONDUCTORES

6.1 ANTECEDENTES Y GENERALIDADES

Se denomina superconductividad a la capacidad intrnseca que poseen ciertos

materiales para conducir corriente elctrica sinresistencia ni prdida de energa en
determinadas condiciones. Fue descubierto por el fsico neerlands Heike
Kamerlingh Onnes el 8 de abril de 1911 en Leiden.
La resistividad elctrica de un conductor metlico disminuye gradualmente a
medida que la temperatura se reduce. Sin embargo, en los conductores ordinarios,
como el cobre y la plata, las impurezas y otros defectos producen un valor lmite.
Incluso cerca de cero absoluto una muestra de cobre muestra una resistencia no
nula. La resistencia de un superconductor, en cambio, desciende bruscamente a
cero cuando el material se enfra por debajo de su temperatura crtica.
Una corriente elctrica que fluye en una espiral de cable superconductor puede
persistir indefinidamente sin fuente de alimentacin. Al igual que
el ferromagnetismo y laslneas espectrales atmicas, la superconductividad es un
fenmeno de la mecnica cuntica.
La superconductividad ocurre en una gran variedad de materiales, incluyendo
elementos simples como el estao y el aluminio, diversas aleaciones metlicas y
algunos semiconductores fuertemente dopados. La superconductividad,
normalmente, no ocurre enmetales nobles como el cobre y la plata, ni en la
mayora de los metales ferromagnticos. Pero en ciertos casos, el oro se clasifica
como superconductor; por sus funciones y los mecanismos aplicados.
Ya en el siglo XIX se llevaron a cabo diversos experimentos para medir la
resistencia elctrica a bajas temperaturas, siendo James Dewar el primer pionero
en este campo.
Sin embargo, la superconductividad como tal no se descubrira hasta 1911, ao en
que el fsico holands Heike Kamerlingh Onnes observ que la resistencia elctrica
delmercurio desapareca bruscamente al enfriarse a 4 K (-269 C), cuando lo que
se esperaba era que disminuyera gradualmente hasta el cero absoluto. Gracias a
sus descubrimientos, principalmente por su mtodo para lograr la produccin de
helio lquido, recibira dos aos ms tarde el premio Nobel de fsica. Durante los
primeros aos el fenmeno fue conocido como supraconductividad.
En 1913 se descubre que un campo magntico suficientemente grande tambin
destruye el estado superconductor, descubrindose tres aos despus la existencia
de una corriente elctrica crtica.
Puesto que se trata de un fenmeno esencialmente cuntico, no se hicieron
grandes avances en la comprensin de la superconductividad, puesto que la
comprensin y las herramientas matemticas de que disponan los fsicos de la
poca no fueron suficientes para afrontar el problema hasta los aos cincuenta. Por
ello, la investigacin fue hasta entonces meramente fenomenolgica, como por
ejemplo el descubrimiento del efecto Meissner en 1933 y su primera explicacin
mediante el desarrollo de la ecuacin de London dos aos ms tarde por parte de
los hermanos Fritz y Heinz London.

6.2 MATERIALES SUPERCONDUCTORES

Un material superconductor no solamente no presenta resistencia al paso de
corriente, sino que tambin tiene otra propiedad importante que es su capacidad
para apantallar un campo magntico. Si enfriamos el superconductor por debajo de
su temperatura crtica y lo colocamos en presencia de un campo magntico, ste
crea corrientes de apantallamiento capaces de generar un campo magntico
opuesto al aplicado. Esto ocurre hasta que el campo magntico alcanza un valor,
llamado campo crtico, momento en el que el superconductor deja de apantallar el
campo magntico y el material transita a su estado normal.

6.3 APLICACIN DE LOS SUPERCONDUCTORES

La produccin de grandes campos magnticos:

Un ejemplo de la aplicacin de estos grandes campos magnticos son los equipos

de resonancia magntica que se utilizan en investigacin y los comnmente
utilizados en los hospitales.

Conducir corriente elctrica sin prdidas:

Los superconductores permiten conducir la corriente elctrica sin prdidas, por lo

que pueden transportar densidades de corriente por encima de 2000 veces lo que
transporta un cable de cobre. Si contsemos con generadores, lneas de
transmisin y transformadores basados en superconductores, obtendramos un
gran aumento de la eficiencia, con el consecuente beneficio medioambiental que
supondra el ahorro de combustible, as como su idoneidad para ser utilizado junto
con energas alternativas. Tambin podemos encontrar materiales
superconductores en dispositivos electrnicos. Entre ellos destacan los llamados
SQUIDS, con los que podemos detectar campos magnticos inferiores a una mil
millonsima parte del campo magntico terrestre. Entre otras aplicaciones, se
estn desarrollando con ellos estudios geolgicos, o incluso encefalogramas sin
necesidad de tocar la cabeza del enfermo.