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    Contactos Metal-Semiconductor

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    El documento describe los conceptos fundamentales de los contactos metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor. Explica los diagramas de bandas de energía, la deformación de bandas en los contactos, y las características de los contactos Schottky, óhmicos y PN, incluyendo su comportamiento con polarización directa e inversa. Finalmente, presenta algunos ejercicios de aplicación.

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    El documento describe los conceptos fundamentales de los contactos metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor. Explica los diagramas de bandas de energía, la deformación de bandas en los contactos, y las características de los contactos Schottky, óhmicos y PN, incluyendo su comportamiento con polarización directa e inversa. Finalmente, presenta algunos ejercicios de aplicación.

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    Contactos Metal-Semiconductor

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    El documento describe los conceptos fundamentales de los contactos metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor. Explica los diagramas de bandas de energía, la deformación de bandas en los contactos, y las características de los contactos Schottky, óhmicos y PN, incluyendo su comportamiento con polarización directa e inversa. Finalmente, presenta algunos ejercicios de aplicación.

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    ELEMENTOS ACTIVOS

    EL-2207
    Objetivos
    Contactos metal-semiconductor y semiconductor-
    semiconductor
    (1 semana)
    Contacto metal-semiconductor (contacto Schottky y contacto
    hmico)
    La unin PN
    Unin con polarizacin directa.
    Unin con polarizacin inversa, corriente inversa y su dependencia
    con la temperatura.
    Zona de agotamiento y voltaje de difusin.

    Objetivo:
    Conocer el comportamiento de los sistemas metal-semiconductor
    y semiconductor-semiconductor
    Diagrama de Bandas de Energa
    Diagrama de bandas = energa en funcin de la posicin
    En un diagrama de bandas, V = E / -q definido para un
    electrn
    Estructura bsica de un diagrama de bandas de energa de un
    semiconductor

    Afinidad electrnica se define slo para no metales


    Diagrama de Bandas de Energa
    Nivel de vaco:
    Nivel de referencia
    Nivel de energa a la cual un electrn se ha liberado del material, es
    decir, no ligado al slido
    Afinidad electrnica:
    energa que un electrn en la banda de conduccin debe ganar para
    convertirse en un electrn liberado del material
    Definida para semiconductores
    Funcin de trabajo:
    Diferencia de energa entre el nivel de vaco y el nivel de Fermi
    Nivel de Fermi intrnseco:
    Nivel de Fermi de un semiconductor intrnseco
    Nivel de Fermi intrnseco ubicado aproximadamente en la mitad de la
    banda prohibida
    Dopado modifica el nivel de Fermi de un material intrnseco de acuerdo
    con la intensidad y el tipo de impureza
    Contactos Metal-Semiconductor
    Un trozo de metal y un trozo de material semiconductor (N
    o P) se unen
    Se clasifican en contactos hmicos y contactos Schottky,
    dependiendo de la diferencia entre la funcin de trabajo del
    metal y la funcin de trabajo del semiconductor
    Contacto Schottky
    Contacto Metal-Semiconductor
    Deformacin de Bandas Contacto
    Schottky
    Potencial de Contacto y Barrera
    Schottky
    Contacto Schottky con Polarizacin
    Inversa
    Contacto Schottky con Polarizacin
    Inversa

    Con polarizacin inversa, el contacto Schottky bloquea el paso de


    corriente
    Aumenta barrera de potencial para electrones del semiconductor
    Barrera de potencial para electrones del metal se mantiene

    Slo fluye una corriente de reversa muy pequea I 0

    Ireversa = electrones del metal con energa mayor que la barrera


    Schottky: muy pocos electrones!
    Contacto Schottky con Polarizacin
    Directa
    Contacto Schottky Diodo
    Schottky
    Contacto hmico
    Contacto hmico
    Deformacin de Bandas Contacto
    hmico
    Polarizacin del Contacto hmico
    Schottky versus hmico
    Contacto Semiconductor-
    Semiconductor
    Unin PN
    Zona de Carga Espacial
    Zona de Agotamiento
    Modelo de Bandas de Unin PN
    Potencial de Contacto
    Anlisis Cualitativo de Unin
    Polarizada
    Ejercicios
    Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de
    impurezas donadoras dada por ND = 1015cm-3.
    Determinar la concentracin de electrones y huecos a
    500 K sabiendo que la concentracin intrnseca viene
    dada por la expresin:
    ni = CT3/2 exp (Eg/(2kT)),
    siendo C = 1.911021m-3K-3/2, Eg = 0.67 eV.
    Ejercicios
    Supngase que la masa efectiva de los huecos en un
    material es 4 veces la de los electrones. A que
    temperatura el nivel de Fermi estar un 10% por encima
    del punto medio de la banda prohibida. Sea Eg = 1 eV.

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