Dispositivos Semiconductores de Potencia

INTRODUCCION
Segn el paso del tiempo, la electrnica de potencia va encontrando un lugar muy

importante en la industria moderna y que ahora se usa en una gran sin nmero de
diversidad de productos como control de temperatura, de iluminacin, de motores, fuentes
de poder, sistemas de impulsin de vehculos y sistemas de corriente directa en altos
voltaje. Dentro de los dispositivos semiconductores de potencia podemos encontrar los
SCR o rectificador controlado de silicio, los triac, transistor IGBT, tiristor GTO, tiristor IGCT
y los mosFET.
OBJETIVOS
Comprender y analizar cada uno de los componentes o elementos de potencia ms

utilizados hacindoles un estudio detallado y de esta manera comprender su uso en
determinados procesos.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
1. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
Como la terminologa lo indica, el SCR es un rectificador construido de silicio con una

tercera terminal para propsitos de control. Se eligi el silicio por sus altas capacidades
de temperatura y potencia. La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo
semiconductor fundamental de dos capas en que una tercera terminal, llamada
compuerta, determina cuando el rectificador cambia del estado de circuito abierto al
estado de cortocircuito. No basta con simplemente polarizar en directa la regin del nodo
al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin, la resistencia dinmica del SCR en
general es de 0.01 a 0.1 . La resistencia en inversa suele ser de 100 o ms.
El smbolo grfico para el SCR se muestra en la figura 17.1 con las conexiones
correspondientes a la estructura semiconductora de cuatro capas. Como se indica en la
figura 17.1a, para que se establezca la conduccin directa el nodo debe ser positivo con
respecto al ctodo. ste, sin embargo, no es un criterio suficiente para encender el
dispositivo. Tambin se debe aplicar un pulso de magnitud suficiente a la compuerta para
establecer una corriente de encendido en la compuerta, representada simblicamente por
Robert L. Boylestad. 1997. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos

(http://datateca.unad.edu.co/contenidos/243006/Libros_guia/Electronica_Boylestad_10a_
Ed.pdf)
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor,
ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da
como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener
bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre
la puerta y el nodo.
RELACION TENSION CORRIENTE (CURVA V vs I).

Ed.pdf)
Voltaje de conduccin en directa (). Es el voltaje sobre el cual el SCR entra a la
regin de conduccin. El asterisco (*) denota la letra que se debe agregar, la cual
depende de la condicin de la terminal de compuerta como sigue:
O = circuito abierto de G a K
S = cortocircuito de G a K
R = resistor de G a K
V= polarizacin fija 1voltaje2 de G a K
Corriente de mantenimiento . Es el valor de la corriente por debajo de la cual el SCR

cambia del estado de conduccin a la regin de bloqueo en directa en las condiciones
establecidas.
Regiones de bloqueo en directa y en inversa. Son las regiones correspondientes a la

condicin de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga
(corriente) del nodo al ctodo.
Voltaje de ruptura en inversa. Es equivalente a la regin Zener o de avalancha del diodo

semiconductor fundamental de dos capas.
PRINCIPALES ESPECIFICACIONES ELECTRICAS.
Isaas Nathaniel 2011 tipos de tiristores y principales caractersticas

(http://es.slideshare.net/isaiasnathanael/tipos-de-tiristores)
APLICACIONES.
Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR incluyen controles de

relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de potencia reguladas, interruptores
estticos, controles de motor, recortadores, inversores, ciclo convertidores, cargadores de
bateras, circuitos de proteccin, controles de calefactores y controles de fase.
Interruptor esttico en serie.
En la figura 17.11a se muestra un interruptor esttico en serie de media onda. Si el

interruptor est cerrado como se muestra en la figura 17.11b, durante la parte positiva de
la seal de entrada fluir un corriente de compuerta y el SCR se encender. El resistor 1
limita la magnitud de la corriente de compuerta.
Cuando el SCR se enciende, el voltaje del nodo al ctodo ( ) se reducir al valor de

conduccin, y la corriente de compuerta se reduce en gran medida con una prdida
mnima en el circuito de la compuerta. Para la regin negativa de la seal de entrada, el
SCR se apagar puesto que el nodo es negativo con respecto al ctodo. Se incluye el
diodo 1 para impedir una inversin en la corriente de compuerta. Las formas de onda
para el voltaje y la corriente de la carga resultantes se muestran en la figura 17.11b. El
resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea una
conduccin de menos de 180C, el interruptor se puede cerrar a cualquier desfasamiento
durante la parte positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico,
electromagntico o mecnico, dependiendo de la aplicacin.

Ed.pdf)
Control de fase de resistencia variable
En la figura 17.12a se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin

de entre 90 y 180C. El circuito es semejante al de la figura 17.11, excepto por la adicin
de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La combinacin de los resistores R
y 1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si
1 se establece a su valor mximo, es posible que la corriente de compuerta nunca
alcance una magnitud de encendido. A medida que 1 se reduce a partir de su valor
mximo, la corriente de compuerta se incrementar a partir del mismo voltaje de entrada.
De esta forma, se puede establecer la corriente de compuerta de encendido requerida en
cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura 17.2b. Si el valor de 1 es
bajo, el SCR se encender casi de inmediato, y el resultado ser la misma accin que se
obtuvo con el circuito de la figura 17.11a (conduccin durante 180C). Sin embargo, como
se indic antes, si 1 se incrementa, se requerir un mayor voltaje de entrada (positivo)
para encender el SCR. Como se muestra en la figura 17.12b, el control no se puede
ampliar ms all del desfasamiento de 90 puesto que la entrada alcanza su valor mximo
en este punto. Si no se enciende con ste y con valores menores de voltaje de entrada en
la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta en la parte de
pendiente negativa de la forma de onda de la seal. La operacin en este caso
normalmente se conoce en trminos tcnicos como control de fase de resistencia variable
de media onda. Es un mtodo efectivo de controlar la corriente rms y por consiguiente la
potencia suministrada a la carga.
Ed.pdf)
Regulador de carga de bateras
Una tercera aplicacin de gran uso del SCR es un regulador de carga de bateras. En la
figura 17.13 se muestran los componentes fundamentales del circuito. El circuito de
control se dej fuera para propsitos de estudio. Como se indica en la figura, 1 y 2
establecen una seal rectificada de onda completa a travs del 1 y la batera de 12 V
que se va a cargar. A voltajes bajos de la batera, el 2 est apagado por razones que
se explicarn en breve. Con el 2 abierto, el 1 que controla el circuito es
exactamente el mismo que el control de interruptor esttico en serie analizado al principio
de esta seccin. Cuando la entrada rectificada de onda completa es lo bastante grande
para producir la corriente de encendido requerida en la compuerta (controlada por 1 ), el
1 se encender y la batera comenzar a cargarse. Al inicio de la carga, el bajo voltaje
de la batera dar por resultado un bajo voltaje determinado por el sencillo circuito de
divisor de voltaje. A su vez, el voltaje es demasiado pequeo para provocar conduccin
en el Zener de 11.0 V. En el estado apagado el Zener es efectivamente un circuito
abierto, y mantiene el 2 en el estado apagado puesto que la corriente de compuerta
es cero. Se incluye el capacitor 1 para impedir que cualquier voltaje transitorio en el
circuito encienda accidentalmente el 2. Recuerde por sus conocimientos
fundamentales de anlisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar instantneamente
a travs de un capacitor. De esta manera, el 1 evita que los efectos transitorios afecten al
SCR. A medida que contina la carga, el voltaje de la batera se eleva a un punto en el
que es suficientemente alto para encender tanto el Zener de 11.0 V como el 2 . Una
vez que el 2 se enciende, la representacin de cortocircuito de ste dar por resultado
un circuito divisor de voltaje determinado por 1 y 2 que mantendrn 2 a un nivel
demasiado pequeo para encender el 1 . Cuando esto ocurre, la batera est
totalmente cargada y el estado de circuito abierto del 1 interrumpir la corriente de
carga. Por tanto el regulador recarga la batera siempre que el voltaje se reduce e impide
que se sobrecargue cuando est totalmente cargada.
Ed.pdf)
Controlador de temperatura
En la figura 17.14 aparece un diagrama esquemtico de un control de calefactor de 100

W que utiliza un SCR. Est diseado para que el calefactor de 100 W se encienda y
apague por medio de termostatos. Los termostatos de mercurio en cpsula de vidrio son
muy sensibles a los cambios de temperatura. En realidad, pueden detectar cambios hasta
de 0.1C. Sin embargo, su aplicacin es limitada, ya que slo pueden manejar niveles de
corriente muy bajos: inferiores a 1 mA. En esta aplicacin, el SCR sirve como amplificador
de corriente en un elemento de conmutacin de carga. No es un amplificador en el sentido
de que amplifique el nivel de corriente del termostato. En cambio, es un dispositivo cuyo
ms alto nivel de corriente es controlado por el comportamiento del termostato. Debe
quedar claro que la red en configuracin de puente est conectada a la fuente de CA por
medio del calentador de 100 W. Esto producir un voltaje rectificado de onda completa a
travs del SCR. Cuando el termostato se abre, el voltaje a travs del capacitor se cargar
a un potencial de encendido de compuerta mediante cada pulso de la seal rectificada. El
producto RC determina la constante de tiempo de carga y disparar el SCR durante cada
semiciclo de la seal de entrada, lo que permite un flujo de carga (corriente) hacia el
calentador. A medida que se eleva la temperatura, el termostato conductor pondr en
cortocircuito el capacitor y as se elimina la posibilidad de que el capacitor se cargue al
potencial de encendido y active el SCR1. El resistor de 510 K mantendr entonces la
corriente a un nivel muy bajo (menos de 250 A) a travs el termostato.

Ed.pdf)
Sistema de iluminacin de emergencia
La ltima aplicacin del SCR que describiremos se muestra en la figura 17.15. Es un

sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga de una
batera de 6 V que garantice su disponibilidad y que tambin proporcione energa de cd a
un foco cuando haya una baja de potencia. A travs de la lmpara de 6 V aparecer una
seal rectificada de onda completa debido a los diodos 2 y 1. El capacitor 1 se cargar
a un voltaje un poco menor que la diferencia entre el valor pico de la seal rectificada de
onda completa y el voltaje de cd a travs de 2 establecido por la batera de 6 V. En todo
caso, el ctodo del 1 est a un nivel ms alto que el nodo y el voltaje de compuerta al
nodo es negativo, lo que garantiza que el SCR no sea conductor. La batera se carga por
conducto de 1 y 1 a un ritmo determinado por 1 . La carga slo ocurrir cuando el
nodo de 1 es ms positivo que su ctodo. El nivel de cd de una seal rectificada de
onda completa garantizar que el foco permanezca encendido cuando la potencia este
activa. Si la energa fallara, el capacitor 1 se descargar a travs de 1, 1 y 3 hasta
que el ctodo del 1 sea menos positivo que el nodo. Al mismo tiempo, la unin de 2
y 3 se har positiva y establecer un voltaje suficiente de compuerta al ctodo para
activar el SCR. Una vez activado, la batera de 6 V se descarga a travs del 1,
energiza la lmpara y mantiene su iluminacin. Una vez que se recupera la energa, el
capacitor 1 se recarga y restablece el estado no conductor del 1 como se describi
antes.
Ed.pdf)
REFERENCIAS COMERCIALES Y HOJA DE DATOS (datasheet)
Forma de comprar un SCR
Se solicita indicando el cdigo o el voltaje y la corriente del dispositivo.
Prueba del SCR
Entre nodo y ctodo deber marcar una resistencia superior a los 100K en ambos
sentidos.
Entre compuerta y ctodo debe marcar como un diodo convencional. Alta resistencia en
un sentido y baja resistencia en el otro.
Entre compuerta y nodo deber marcar una resistencia mayor de 1 M en ambos

sentidos.
APUNTES DE LABORATORIOS DE ELECTRONICA

(http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/scr.htm)
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/2963/MOTOROLA/BRX44.html
http://www.datasheet.es/PDF/302740/TYN410-pdf.html
2. TRIAC
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el

flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos
sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la
polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa
(ngulo de disparo).
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy

baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad
del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2, la corriente fluye
de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se
comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir
corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo
aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Jos Andrs Mergarejo. Electrnica de control y potencia
(http://electronicapractica2012.blogspot.com.co/2012/06/scr-y-triac.html)
RELACION TENSION - CORRIENTE:
Gustavo Ernesto Lima P, Rubn Daro Mndez M, Antonio Ral Rojas B. (El Triac)
http://www.monografias.com/trabajos14/triac/triac.shtml#ixzz4LxXx4uWW
La grfica muestra la corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los
nodos MT2 y MT1.
El punto VBD (tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de
una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un
pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin
de la fuente.
Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla ms la conduccin,
por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide
la disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo
MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por
esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere,
pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III cuadrante
PRINCIPALES ESPECIFICACIONES ELECTRICAS.
Gustavo Ernesto Lima P, Rubn Daro Mndez M, Antonio Ral Rojas B. (El Triac), datos
tcnicos Motorola.
APLICACIONES.
Control de motor.
En la siguiente figura puede verse una aplicacin prctica para el control de un motor de
C.A. mediante un triac. La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de
mando exterior a la puerta inversora, que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que
circular corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador).
Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a travs de 2 tomando
la tensin del nodo del triac de potencia.
Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal que
pasa al estado de conduccin provocando el arranque del motor.
Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente
pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario re disparar el triac en
cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que
consideremos oportuno.
Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sita una red RC
cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se
puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no
deseados.
Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor, de
forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.
REFERENCIAS COMERCIALES Y HOJA DE DATOS (datasheet)
G.m. electrnica s.a. tiristores y triacs
(http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag100a103.html)
3. TRANSISTOR IGBT.
PINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de Compuerta Aislada) es

un dispositivo de conmutacin de potencia que combina las ventajas del BJT y del
MOSFET. El BJT posee un bajo nivel de prdidas en estado de conduccin aun cuando
es utilizado para bloquear altas tensiones. Por otro lado, tiene tiempos de conmutacin
largos, especialmente en el apagado. En contraposicin, el MOSFET posee tiempos de
conmutacin muy cortos pero cuando es utilizado para bloquear altas tensiones sus
prdidas en conduccin resultan excesivamente altas. Para el desarrollo del IGBT se
conjugan las caractersticas de ambos dispositivos de tal forma que se obtiene un
componente adecuado para trabajar en circuitos con altas tensiones, que ostenta tiempos
de conmutacin mucho ms cortos que los de un BJT y bajas prdidas en conduccin.
Actualmente los tiempos de conmutacin son del orden de 100s, pudiendo sustituir al
MOSFET en aplicaciones de muy alta frecuencia.
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
RELACION TENCION CORRIENTE.
Armando Pato, Transistor IGBT (http://es.slideshare.net/ArmandoPato/igbt-listo)
ESPECIFICACIONES ELECTRICAS.
El transistor IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia < 20 KHz
Aplicaciones de alta tensin > 1000 V
Alta potencia > 5 KW
APLICACIONES.
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los
Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y
convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de eso:
Automvil, Tren,Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin,

Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), iluminacin de
baja frecuencia < 1000KHz y alta potencia.
ESPECIFICACIONES COMERCIALES Y HOJA DE DATOS.
Criscert, Ficha tcnica de transistores (http://es.slideshare.net/criscert/ficha-tcnica-de-

transistores-41729023)
4. TIRISTOR GTO.
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de una seal
positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una seal negativa de
compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con especificaciones de
corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su
compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto.
RELACION TENSION CORRIENTE.
Dispositivos de electrnica de potencia

(http://apontedispositivoselectronicapotencia.blogspot.com.co/2011/12/gto-gate-turn-off-
thyristor.html)
Como se muestra en la figura se muestran las caractersticas estticas corriente-voltaje

del GTO. Se muestra que si una corriente positiva pasa por la compuerta el dispositivo
pasara de un estado de apagado aun estado de encendido. Por lo contrario si la corriente
es negativa pasara de un estado de encendido a apagado. Con ello tenemos el dominio
del dispositivo en todo momento.
El disparo se realiza mediante una VGK >0
El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo
forzado que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el
generador debe estar ms dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
APLICACIONES:
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en
cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dcdc) y circuitos
inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e
IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de
conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles
porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia a nivel industrial algunos usos son:
Trocadores y convertidores.
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Soldadura al arco.
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Traccin elctrica.
ESPECIFICACIONES COMERCIALES Y HOJA DE DATOS.
5. TIRISTOR IGCT.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.
Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT, es un dispositivo

semiconductor empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente elctrica en
equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual
que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo adems de activarlo,
tambin desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La
electrnica de control de la puerta est integrada en el propio tiristor.
Es, en principio, un tiristor de apagado (GTO) con altos parmetros dinmicos en el

encendido y el modo de desvo. Apagado la velocidad del proceso Es sobre todo un factor
por el cual GTO y los dispositivos IGCT se diferencian entre s otros.
RELACION TENSION CORRIENTE.
Electrnica de Potencia (http://electronicapotsena.blogspot.com.co/2011/12/igct-un-tiristor-

controlado-por-puerta.html)
ENCENDIDO: El encendido se realiza aplicando una corriente de encendido a su
compuerta.
APAGADO: Se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta que
aplica un pulso.
Bajas prdidas de conmutacin: Una ventaja de la conmutacin con bajas prdidas es

que el proyectista puede elegir la frecuencia de conmutacin ms conveniente para el
caso en cuestin. En los semiconductores de potencia construidos con tcnicas
anteriores, la frecuencia de conmutacin a la intensidad nominal estaba limitada a 250 Hz.
La tcnica IGCT permite trabajar con una frecuencia hasta cuatro veces mayor. Por
ejemplo, un proyectista de sistemas de accionamiento puede elegir una frecuencia de
conmutacin ms alta para conseguir mayor rendimiento del sistema o, en otro caso,
optar por una frecuencia de conmutacin ms baja para un IGCT con el fin de mejorar el
rendimiento de instalaciones de onduladores y reducir sus prdidas.
Mejores precios de componentes y sistemas: La aplicacin de la tcnica IGCT permite

reducir al menos un 30% de los costes de los convertidores de potencia para control y
regulacin. Varios factores contribuyen a esta reduccin. Los GCT pueden fabricarse con
los procedimientos que ya se emplean para fabricar los GTO. Puesto que se trata de
procedimientos perfectamente dominados y adems pueden utilizarse los equipamientos
ya disponibles, los costes de fabricacin de los GCT son semejantes a los de los tiristores
GTO.
Fiabilidad y disponibilidad: De forma general, los costes de las instalaciones de control

y regulacin de potencia son bajos en comparacin con los provocados por las
interrupciones de los procedimientos industriales. La disponibilidad de estos componentes
y sistemas es, por lo tanto, fundamental.
La tcnica IGCT, desarrollada especialmente para aplicaciones en la gama de tensin

media, proporciona mxima fiabilidad gracias a las caractersticas siguientes:
Conmutacin homognea,
Tcnica robusta de apilado, semejante a la de los tiristores (sin cableado),
Simplificacin de los circuitos de control de compuertas,
Menor nmero de componentes.
APLICACIONES.
La mayor ventaja del tiristor IGCT es su capacidad para desconectar en 3 microsegundos

y para conducir como un tiristor normal. Por eso, la tecnologa IGCT permite realizar
instalaciones de onduladores con prdidas que no llegan ni a la mitad que las de otras
tecnologas. Los IGCT han hecho posible la configuracin de circuitos con una potencia
nominal de hasta 100 MW, valor que antes exiga el montaje en serie de numerosos
conmutadores de silicio. Los equipamientos para media tensin construidos con la nueva
tcnica se distinguen adems por su altsima fiabilidad.
Los GCT se aplican en inversores de alta potencia (control de motores de media tensin,
inversores conectados a redes de alta tensin, transmisin de energa en corriente
continua) compitiendo con otro dispositivo, el IGBT. Pueden aplicarse a conversin DCDC
en sistemas de traccin, como por ejemplo transporte ferroviario elctrico con
alimentacin en corriente continua.
Se utiliza en motores de media tensin.

Interconexiones de redes elctricas.
Compensadores estticos.
REFERENCIAS COMERCIALES Y HOJA DE DATOS.
ABB es uno de los proveedores ms importantes de componentes y sistemas electrnicos

de potencia. Su posicin puntera queda ilustrada claramente por las innovaciones
tcnicas que la tcnica IGCT ha hecho posibles. Las instalaciones realizadas con esta
tcnica destacan por sus menores costes y por su gran fiabilidad, incluso para los
mximos valores de la potencia. Actualmente, los proyectistas de instalaciones de
electrnica de potencia para tensiones medias pueden optar entre tres tecnologas de
conmutadores de potencia, hechos de silicio: los tiristores GTO, IGBT e IGCT. La tcnica
IGCT se utiliza preferentemente cuando lo fundamental es conseguir compacidad de
construccin, alto rendimiento, rapidez en el desarrollo y alta fiabilidad.
6. MOSFET.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.
Un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un semiconductor xido

que se usa como dielctrico. De otra forma, es un transistor (conduce o no conduce la
corriente) en el que se utiliza un campo elctrico para controlar su conduccin y que su
dielctrico es un metal de xido.
El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la
aplicacin de una tensin (con un valor mnimo llamada tensin umbral) en el terminal
llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensin. Al aplicar tensin conduce
y cuando no hay tensin en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,

donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.
El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos elctricos

en el interior del dispositivo.
Mosfet (http://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html)
RELACION TENSION CORRIENTE
Se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un MOSFET de

empobrecimiento de canal N.
Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en
modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La
corriente ms elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGS y el corte se
consigue con tensin negativa de VGS (apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos
indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra en la
siguiente curva.
Esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a
que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta
razn, la corriente IDSS, correspondiente a la entre seccin de la curva con el eje ID, ya no
es la de saturacin.
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo admite la forma de
trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se
realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figuras (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en

la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.
Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce
cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en
no conduccin o apagado.
lvaro Len, Ruiz. Pilar Martnez, Jimnez. Marta Varo Martnez. Transistores
(http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html)
http://www.datasheetcafe.com/94-4311-datasheet-mosfet/
APLICACIONES.
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,

consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET)
Microprocesadores y memorias de computadores (funciona como interruptor)
REFERENCIAS COMERCIALES Y DATASHEET.
http://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-pdf/view/68158/IRF/IRF510.html
CONCLUSIONES
La realizacin de este trabajo nos permite concluir que, la electrnica de potencia es el

sistema por el cual la electrnica se especifica en sistemas de potencia para la
implementacin de procesos industriales y de esta manera ayudar al hombre en sus
labores facilitndole el trabajo y mejorndole las condiciones de vida. Adems nos
permiti comprender y analizar cada uno de los componentes o elementos de potencia
ms utilizados hacindoles un estudio detallado para mirar su comportamiento y su forma
fsica y de esta manera comprender su uso en determinados procesos. Tambin vale la
pena concluir que estos dispositivos nombrados anteriormente se pueden aadir unos con
otros para buscarles distintas formas de procesos que trabajando operacionalmente
juntos logran hacer trabajos de manera muy prctica y sencilla.
BIBLIOGRAFIA

Ed.pdf)
Isaas Nathaniel 2011 tipos de tiristores y principales caractersticas

(http://es.slideshare.net/isaiasnathanael/tipos-de-tiristores)
APUNTES DE LABORATORIOS DE ELECTRONICA

(http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/scr.htm)
http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/2963/MOTOROLA/BRX44.html
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tensiones medias
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http://new.abb.com/products/ABB.PARTS.SELOG5SHY40L4511

Dispositivos Semiconductores de Potencia

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INTRODUCCION

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Cuando el SCR se enciende, el voltaje del nodo al ctodo ( ) se reducir al valor de

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