nica Ana

Electro loga I
2017-1
Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Ele
ctrica y Electro
nica

Gua de laboratorio No. 7

CONFIGURACIONES CON MOSFET

Duraci
on: Dos semanas

1. Objetivos
1.1. Objetivo general

Dise
nar e implementar circuitos amplificadores basicos con transistores MOSFET.

1.2. Objetivos especficos

Comprobar experimentalmente el comportamiento del transistor MOSFET como amplificador de voltaje en las
topologas fuente com
un (common source) y compuerta com
un (common gate).
Comprobar experimentalmente el comportamiento del transistor MOSFET como seguidor en la topologa dren
com
un (common drain).

2. Materiales e Instrumentos Requeridos

1 osciloscopio de dos canales.
1 generador de se
nales.

1 fuente DC.
1 multmetro digital.
3 sondas.

3 transistores MOSFET canal N de enriquecimiento, de preferencia, de montaje superficial: BSS138. Se pueden

conseguir en Sigma Electronica (https://goo.gl/IFVxEi). Debe traerse el circuito impreso para cada
transistor el da de la pr
actica.
Para todos los montajes, emplee condensadores cer
amicos o no polarizados.

3. Pr
actica
3.1. Amplificador CMOS de Fuente Com
un
3.1.1. Previo al da de la pr
actica
1. Dise
ne un circuito amplificador en configuracion fuente com
un (Figura 1) teniendo en cuenta los siguientes
requisitos:

El transistor debe permanecer en la region de saturacion.

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La se nal de salida (Vo ) debe tener una amplitud aproximadamente 5 veces mayor que la se
nal de entrada
(Vi ).
La se
nal de entrada tiene, en un principio, una amplitud de 200 mVp-p a una frecuencia de 10 kHz.
El valor de la resistencia de carga del circuito es RL = 10 k.
Considere C1 = C2 = CS = 10 F 1 .

VDD

RD

R1
Vo
C2
Vi
C1
RL
R2
RS CS

Figura 1: Amplificador en configuracion fuente com

un.

2. Realice el an
alisis DC del circuito y calcule el punto de polarizacion DC.
3. Realice el an
alisis AC del circuito.
4. Dibuje la recta de carga DC y la recta de carga AC.

5. Determine los siguientes par

ametros:
Av : ganancia de voltaje del amplificador.
Zi : resistencia de entrada.
Zo : resistencia de salida.

6. Dibuje la funci
on de transferencia de tensiones.
7. Encuentre los valores lmites de peque
na se
nal.
8. Valide todos sus c
alculos empleando simulaciones.
1 Enel dise
no de amplificadores, se supone que la reactancia de los condensadores 1/jC es lo suficientemente peque na para comportarse
como un cortocircuito en las frecuencias de inter
es. Otro valor de capacitancia puede seleccionarse de tal manera que la reactancia capacitiva
sea m
as despreciable a la frecuencia de la senal de entrada. Esta observacion aplica para los otros puntos de esta pr
actica.

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3.1.2. El da de la pr
actica
1. Compruebe experimentalmente la polarizacion del circuito (variables en DC).
2. Aplique una se
nal de entrada de 10 kHz con amplitud de 200 mVp-p .
3. Obtenga la curva de transferencia de tensiones empleando el modo XY del osciloscopio.
4. Compruebe experimentalmente los valores de Av , Zi y Zo .
5. Vare la amplitud de la se
nal de entrada y registre las respectivas variaciones en la amplitud de la se
nal de salida.
6. Determine experimentalmente los lmites de peque
na se
nal.

3.2. Amplificador CMOS de Fuente Com

un Degenerado
3.2.1. Previo al da de la pr
actica
1. Dise
ne un circuito amplificador en la configuracion de la Figura 2 teniendo en cuenta los siguientes requisitos:
El transistor debe permanecer en la region de saturacion.
La resistencia de salida debe ser de 2 k.
La se
nal de salida debe tener una amplitud de 1,2 Vp-p .
La amplitud de la entrada al circuito no debe exceder los 200 mVpk .
Considere C1 = C2 = 10 F.

2. Realice el an
alisis DC del circuito (Figura 2) y calcule el punto de polarizacion DC.

VDD

RD

R1
Vo
C2
Vi
C1
RL
R2
RS

Figura 2: Amplificador en configuracion fuente com

un degenerado.

2. Realice el an
alisis AC del circuito.

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3. Dibuje la recta de carga DC y la recta de carga AC.

4. Determine los siguientes par

ametros:
Av : ganancia de voltaje del amplificador.
Zi : resistencia de entrada.
Zo : resistencia de salida.

5. Dibuje la funci
on de transferencia de tensiones.
6. Encuentre los valores lmites de peque
na se
nal.
7. Valide todos sus c
alculos empleando simulaciones.

3.2.2. El da de la pr
actica
1. Compruebe experimentalmente la polarizacion del circuito (variables en DC).

2. Aplique una se
nal de entrada de 10 kHz con amplitud de 200 mVpk .
3. Obtenga la curva de transferencia de tensiones empleando el modo XY del osciloscopio.
4. Compruebe experimentalmente los valores de Av , Zi y Zo .

5. Vare la frecuencia en forma logartmica con por lo menos 5 valores (por ejemplo, 100 Hz, 1 kHz, 10 kHz, 100 kHz,
1 MHz). Calcule y registre para cada caso el correspondiente valor de la ganancia Av y realice la gr afica f (en
escala logartmica) vs 20 log10 |Av | (esta grafica se conoce como bode plot de magnitud ).

3.3. Amplificador CMOS de Dren Com

un
3.3.1. Previo al da de la pr
actica
1. Realice el an
alisis DC del circuito (Figura 3) y calcule el punto de polarizacion DC. Tenga en cuenta los siguientes
requisitos para su dise
no:

El transistor debe permanecer en la region de saturacion.

La se
nal de entrada, en principio, debe tener una amplitud de 200 mVpk y una frecuencia de 10 kHz.
El valor de la carga RL es de 220 .
Considere C1 = C2 = CD = 10F.

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VDD

RD

R1
CD
Vi
C1 C2
Vo
R2
RS RL

Figura 3: Amplificador en configuracion drenaje com

un.

2. Realice el an
alisis AC del circuito.
3. Dibuje la recta de carga DC y la recta de carga AC.
4. Determine los siguientes par
ametros:

Av : ganancia de voltaje del amplificador.

Zi : resistencia de entrada.
Zo : resistencia de salida.
5. Dibuje la funci
on de transferencia de tensiones.

6. Encuentre los valores lmites de peque

na se
nal.
7. Valide todos sus c
alculos empleando simulaciones.

3.3.2. El da de la pr
actica
1. Compruebe experimentalmente la polarizacion del circuito (variables en DC).
2. Aplique una se
nal de entrada de 10 kHz con amplitud de 200 mVpk a 10 kHz.

3. Obtenga la curva de transferencia de tensiones empleando el modo XY del osciloscopio.

4. Compruebe experimentalmente los valores de Av , Zi y Zo .
5. Vare la amplitud de la se
nal de entrada y registre las respectivas variaciones en la amplitud de la se
nal de salida.

6. Determine experimentalmente los lmites de peque

na se
nal.

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3.4. Amplificadores en Cascada

3.4.1. Previo al da de la pr
actica

1. Dise
ne y realice el an
alisis AC para un amplificador en cascada (Figura 4) primero con una etapa fuente com
un
y luego una etapa dren com un, que cumpla con los siguientes requisitos 2 :

El transistor debe permanecer en la region de saturacion.

La se
nal de entrada, en principio, debe tener una amplitud de 200 mVpk y una frecuencia de 10 kHz.
El valor de la carga RS2 es de 220 .
Considere C1 = C2 = CS = CD = C3 = 10F.

VDD VDD

RD2
RD R3

R1 CD

C2
Vi Vo
C1 C3
R4
R2 RS2
RS CS

Figura 4: Amplificador en cascada: etapas fuente com

un (rojo) y dren com
un (azul).

2. Determine los siguientes par

ametros:

Av : ganancia de voltaje del amplificador.

Zi : resistencia de entrada.
Zo : resistencia de salida.
3. Dibuje la funci
on de transferencia de tensiones.

4. Encuentre los valores lmites de peque

na se
nal.
5. Valide todos sus c
alculos empleando simulaciones.
2 Vale la pena se
nalar que son los mismos requisitos de dise
no de la secci
on 3.3.

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3.4.2. El da de la pr
actica
1. Compruebe experimentalmente la polarizacion del circuito (variables en DC).
2. Aplique una se
nal de entrada de 10 kHz con amplitud de 200 mVp-p .
3. Obtenga la curva de transferencia de tensiones empleando el modo XY del osciloscopio.

4. Compruebe experimentalmente los valores de Av , Zi y Zo .

5. Vare la amplitud de la se
nal de entrada y registre las respectivas variaciones en la amplitud de la se
nal de salida.
6. Determine experimentalmente los lmites de peque
na se
nal.

3.5. Amplificador CMOS de Compuerta Com

un

3.5.1. Previo al da de la pr
actica
1. Realice el an
alisis DC del circuito (Figura 5) y calcule el punto de polarizacion DC. Tenga en cuenta los siguientes
requisitos para su dise
no:
El transistor debe permanecer en la region de saturacion.
La se nal de salida (Vo ) debe tener una amplitud aproximadamente 2 veces mayor que la se
nal de entrada
(Vi ).
La se
nal de entrada, en principio, debe tener una amplitud de 200 mVp-p .
El valor de la carga RL es de 10 k.

VDD

RD

R1
Vo
C2

C1
Vi RL
R2
RS

Figura 5: Amplificador en configuracion compuerta com

un.

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3.5.2. El da de la pr
actica
1. Compruebe experimentalmente la polarizacion del circuito (variables en DC).
2. Aplique una se
nal de entrada de 1 kHz con amplitud de 200 mVp-p .
3. Compruebe experimentalmente los valores de Av , Zi y Zo .

4. Preguntas sugeridas
Que condiciones deben tenerse en cuenta para que una polarizacion garantice una buena amplificaci
on?
Describa el comportamiento real de los circuitos amplificadores en funcion de la frecuencia de trabajo. Explique
en sus propias palabras a que se puede deber este fenomeno.
Explique la diferencia entre la configuraci
on de amplificacion fuente com
un y fuente com
un degenerada.
Basandose en la teora y en los resultados experimentales, realice una breve descripcion de las ventajas, desventa-
jas y posibles escenarios de aplicaci on para cada una de las configuraciones de amplificadores trabajadas. Tenga
en cuenta aspectos como frecuencia de trabajo, ganancia, impedancias de entrada y de salida, y limitaciones de
pequena se
nal, entre otros.

Referencias
[1] Robert Boylestad. Electronic devices and circuit theory. 7th. Prentice Hall, 2000. isbn: 0-13-394552-9.
[2] Robert Coughlin y Frederick Driscoll. Amplificadores Operacionales y Circuitos Integrados Lineales. 4.a ed. Pren-
tice Hall, 1993.
[3] Richard C. Dorf. Electronics, Power Electronics, Optoelectronics, Microwaves, Electromagnetics and Radar. CRC
Press, 2006.
[4] P Horowitz y W Hill. The Art of Electronics. Cambridge University Press, 1991.
[5] Da Neaman. Microelectronics- Circuit Analysis and Design. New York: McGraw-Hill, 2010. isbn: 978-007-128947-
4.
[6] Matthew Sadiku. Signals and Systems: A Primer With Matlab. CRC Press, 2015.
[7] A S Sedra y K C Smith. Microelectronic Circuits: International edition. 6th. Oxford University Press, 2010. isbn:
9780199738519.