Circuitos osciladores con diodos Shockley.

Cuenta prcticamente con las mismas caractersticas del SCR, con corriente de compuerta cero.
Se enciende al incrementar el voltaje de polarizacin directa a travs del dispositivo por encima
del nivel de transicin conductiva.
Disparo

Polarizacin positiva nodo - ctodo.

La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento
tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la
intensidad de enganche.

Corte

Anular la tensin que tenemos aplicada entre nodo y ctodo.

Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a la
corriente de mantenimiento (IH), o forzar a que IA < IH.

CARACTERSTICAS TRMICAS
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa
que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de
la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento
de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para
ello se colocan disipadores de calor.
Disparo de los tiristores
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en
directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para
permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria
para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la
zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del
estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Mtodos de disparo de los tiristores son:

Por puerta.
Por mdulo de tensin. (V)
Por gradiente de tensin (dV/dt)
Disparo por radiacin.
Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de
tensin son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la medida de lo posible.

Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la
puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que
mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo por puerta. En estas
condiciones, si queremos bloquearlo, debemos hacer que VAK < VH y que IA < IH

Disparo por mdulo de tensin

Este mtodo podemos desarrollarlo basndonos en la estructura de un transistor: si
aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energa de los

portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la

unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de avalancha.
Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin
embargo, ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones anormales en los equipos
electrnicos.

Disparo por gradiente de tensin

Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con tiempo de
subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para hacer frente a la tensin exterior
aplicada. La unin de control queda vaca de portadores mayoritarios; aparece una diferencia de
potencial elevada, que se opone a la tensin exterior creando un campo elctrico que acelera
fuertemente a los portadores minoritarios produciendo una corriente de fugas.

Disparo por radiacin

La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de onda provoca la
elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crtico, obligando al disparo
del elemento.
Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequea potencia y
se utilizan como elementos de control todo - nada.
Est asociado a la creacin de pares electrn hueco por la absorcin de la luz del elemento
semiconductor.

Disparo por temperatura

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las
uniones del semiconductor. As, la suma (1+2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la
temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura
y disminuye al aumentar sta.
Condiciones necesarias para el control de un SCR
Para el control en el disparo

nodo positivo respecto al ctodo

La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo.
En el momento del disparo Iak > IL

Para el control en el corte

Anular la tensin VAK

Incrementar RL hasta que Iak < IH

SCR (Rectificador controlado de silicio)

Disparo de puerta

Es ms til que un diodo de 4 capas debido a que el disparo de puerta es ms sencillo que el
disparo mediante tensin de cebado.
En la figura (c) podemos observar que la puerta del SCR se encuentra conectada a la base de
un transistor interno, es necesario tener al menos 0,7 V para disparar un SCR. En las hojas de
caractersticas se le encuentra como tensin de disparo V GT. Adems, el fabricante indica la
corriente de entrada necesaria para que el dispositivo conduzca, en vez de conocer el valor de la
resistencia de entrada a la puerta. A esta corriente se la conoce como Corriente de disparo IGT.
Identifiquemos estos dos valores en la hoja de caractersticas del 2N4441
VGT =

0,75 max 1,5

IGT =

7mA

2,5

max 30mA 60

La fuente que alimenta la puerta del 2N4441 deber proporcionar estos valores
Tensin de entrada
El circuito bsico del SCR tiene una tensin de puerta denominada VG.
Si VG es VGT el dispositivo conducir, la tensin de salida caer desde el valor de + V CC a un valor
bajo. Se usa en ocasiones una resistencia de puerta, la funcin de esta resistencia es limitar la
corriente de puerta a un valor seguro.
La tensin de entrada necesaria para activar (disparar) el SCR debe ser mayor que:

Si no existiera la resistencia de puerta, R G correspondera a la resistencia de Thevenin del

circuito que excita la puerta. Si no se satisface la ecuacin el SCR no se puede cerrar.
Reinicio del SCR
Una vez que ha sido activado el SCR permanece as inclusive, aunque se reduzca V in a cero.
Esto implicara tener una tensin de salida baja indefinidamente.
Es necesario reiniciar el SCR, la nica forma es reducir su corriente a un valor menor que la
corriente de mantenimiento, esto se logra reduciendo VCC a un valor bajo.
La corriente de mantenimiento circula a travs de la resistencia de carga, la tensin de
alimentacin para que el SCR conduzca tiene que ser menor que

Diferencia de un FET de potencia y un SCR

Tanto el FET como el SCR conmutan corrientes grandes, pero a la vez son diferentes.
La principal diferencia es la forma en que se abren, en el caso de un FET la tensin de puerta
puede abrir (no conduccin) y cerrar (conduccin) el dispositivo. En cambio en el SCR la tensin
de puerta solo puede cerrarlo.

Los FET actan como un dispositivo de dos posiciones en tanto que el SCR lo hace como uno
de una sola pulsacin.

EJEMPLO
El SCR tiene una tensin de disparo de 0,75V y una corriente de disparo de 7mA. Cul es
la tensin de entrada que cierra el SCR? Si la corriente de mantenimiento es de 6 mA.
Cunto vale la tensin de alimentacin que lo abre?

Mnima tensin de entrada necesaria para disparar el SCR

Vin= 0,75V + 7mA(1k) = 7,75V

Tensin de alimentacin que abre el circuito

VCC= 0,7 V + 6mA(100) =1,3 V

EL SCR COMO INTERRUPTOR
Si existe algn desperfecto dentro de la fuente de alimentacin que resulte en una elevacin de
la tensin de salida, puede traer resultados totalmente destructivos. Muchos de los circuitos
integrados no pueden soportar tensiones de alimentacin demasiado altas sin que se destruyan,
de ah que una de las aplicaciones del SCR es la proteccin de cargas delicadas y caras en
contra de sobretensiones de la fuente de alimentacin.

La fuente de la figura es una fuente de alimentacin positiva de valor Vcc que alimenta una
carga protegida, el trabajo de proteccin lo realiza el zener, resistencia y el SCR, generalmente
el valor de Vcc es inferior a la tensin de ruptura del zener, no existe entonces tensin a travs
de R y el SCR permanece abierto, la carga recibe la tensin Vcc y no se genera ningn
problema.
Luego imaginemos que la tensin de la fuente se incrementa por alguna razn, si Vcc es
demasiado grande, el zener conduce y aparecer entonces una tensin circulando por R, si esta

tensin es mayor que la de disparo del SCR (generalmente 0,7V) entonces el SCR se cebar y
conducir.
La carga se protege inmediatamente contra los daos que podra producir la sobretensin.
La sobretensin que dispara el SCR es:

Se trata entonces de una forma de proteccin muy drstica, pero necesaria en circuitos
integrados digitales que no pueden tener sobretensiones, al tener el circuito de proteccin
mediante interruptor con SCR permitir cortocircuitar las terminales de carga apenas aparezca la
primera seal de sobretensin.
Las fuentes que tienen la proteccin con SCR adems necesitan un limitador de corriente
(fusible), para evitar adicionalmente daos en la fuente de alimentacin.
CONTROL DE FASE MEDIANTE SCR

Estos dispositivos pueden controlar cargas industriales elevadas utilizando el control de fase.

En el grafico a) podemos ver que se est aplicando una tensin de red a un circuito SCR que
controla la corriente a travs de una elevada carga.
R1 y C se encargan de modificar el ngulo de fase en la seal de puerta, si R 1 es 0, la tensin de
puerta est en fase con la tensin de red, entonces el SCR acta como un rectificador de media
onda, R2 se encarga de limitar la corriente de puerta a un valor seguro.
Si R1 crece la tensin de puerta se atrasa con respecto a la tensin de red en un ngulo entre 0
y 90. Antes de este punto el SCR est abierto y la corriente de carga es 0. Luego en el punto de
disparo la tensin en el condensador es suficientemente grande para disparar el SCR, entonces

casi toda la tensin aparece en los terminales de la carga, la corriente que circula por la carga es
elevada, entonces el SCR una vez cebado se mantendr conduciendo hasta que la tensin de la
red cambie de polaridad.
La parte sombreada del grfico ser la parte donde el SCR conduce, como R 1 es variable, el
ngulo de fase de la tensin de puerta se puede variar. Se pude entonces controlar el valor
medio de la corriente a travs de la carga.
Este tipo de control es muy til para cambiar de velocidad un motor, el brillo de una lmpara o la
temperatura de un horno de induccin.
El margen de corriente controlable es limitado debido a que el ngulo de fase solo puede variar
entre 0 o 90.
Con la utilizacin de otros circuitos ms complejos se puede cambiar el ngulo de fase entre 0 y
180, entonces se podra variar la corriente media desde 0 a su valor mximo.
Control de disparos falsos del SCR
Fara evitar lo falsos disparos de un SCR, el cambio de la tensin del nodo no debe exceder la
velocidad crtica de crecimiento de la seccin que se muestra en la hoja de caractersticas.
EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.
Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en
conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos
completamente el control sobre el mismo.
El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este
estado implica simultneamente dos cosas:
1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada.
2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo
indeseado del tiristor.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos
grandes grupos:
CONMUTACIN NATURAL.
a) Libre.
b) Asistida.
CONMUTACIN FORZADA.
a) Por contacto mecnico.
b) Por circuito resonante.
-Serie
-Paralelo
c) Por carga de condensador.
d) Por tiristor auxiliar.

Operacin de los SCR en serie y en paralelo.

Proteccin de los SCR contra di/dt y contra dv/dt.

PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.
Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la
constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt.

Mtodo de la constante de tiempo.
Clculo de R y C:
1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor
de R y C:
= ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn
C = / RL
Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL )
donde:
VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo.
IL = corriente en la carga.
RL = resistencia de carga.
ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
VA(mx) = tensin de nodo mxima.
= coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).
2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a
partir de la ecuacin de descarga de C):

R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C )
Clculo de L:
L = VA(mx) / ( dI / dt)
Mtodo de la resonancia.
Elegimos R, L y C para entrar en resonancia.
El valor de la frecuencia es:
f = (dV / dt ) / 2 VA (mx)
En resonancia:
f = 1 / 2 (LC)

C = 1 / ( 2f
L
El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H.
El valor de R ser:

Rs = (L / C)

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se
traducen en un calentamiento del dispositivo.
Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media
disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada
durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las
prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de
conduccin ().
Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin:

VAK = V0 + IA R
V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y
para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la
zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Figura 12.
Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda
(sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente.
La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz,
entonces depender del factor de forma:

a=f=
IA(RMS) / IA(AV)

Figura 13.
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la
potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el
elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms
apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio
ambiente.
Circuitos de disparo por DIAC
DIAC
Este dispositivo puede tener corriente en cualquier direccin.
a) Circuito equivalente: dos diodos de 4 capas en paralelo
c) si tiene la polaridad indicada como la del grafico a) entonces el diodo izquierdo
conduce, si V supera la tensin de cebado se cierra el de la izquierda. Si la polaridad
de V es opuesta, el de la derecha se cerrar.

Tipos de DIAC

DIAC de tres capas:

Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor
iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza tensin de
avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual
en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas:

Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la caracterstica

bidireccional. Su aplicacin tiene como dispositivo de disparo bidireccional para el TRIAC.
TRIAC

Acta como dos SCR en paralelo e invertidos. Puede controlar la corriente en cualquier direccin

El TRIAC puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir,

mediante una corriente de puerta positiva o negativa
INTERRUPTOR TRIAC
Sirve para para proteger equipos de tensiones de red excesivas
Mtodos de encendido

Debido a que el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G, la
polaridad de la compuerta y la polaridad del nodo 2, se mide con respecto al nodo 1. Puede
dispararse desde el cuadrante I o III. A los tipos de disparos se les denominan, I (+), I (-), III (+),
III (-).
Disparo cuadrante I (+)
En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 y la de la compuerta son positivas, con
respecto al nodo MT1. Este mtodo es el ms comn. La corriente de compuerta circula
internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte por la zona P2. Se observa como
la corriente pasa por la ruta desde MT2 de: P1N1 y P2N2 para llegar a MT1. (Ver figura 5).
Disparo cuadrante III (-)

En este tipo de disparo es aquel en quela tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta
son negativos con respecto a MT1.Esto hace que el TRIAC conduzca desde MT1 sta MT2
pasando por la rutaP2N1P1N4.
Disparo cuadrante I (-)
En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1,
mientras que la compuerta. Tiene una polaridad negativa con respecto al nodo MT1. El TRIAC
conduce del nodo MT2 al MT1 pasando inicialmente por la ruta P1N1P2N3, y despus por la
ruta
principal
P1N1P2N2
Disparo del cuadrante III (+).
En este modo la tensin del nodo MT2 es negativa con respecto a la del nodo MT1 y la
tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1. Este mtodo
conduce por la ruta P2N1P1N4 de MT1 hacia MT2.

MTODOS DE DISPARO.

Como hemos dicho, el TRIAC posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta
G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin
entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una
facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los
fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del
nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el
modo
ms
comn
(Intensidad
de
compuerta
entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es
favorecida en el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por
signos + y -. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea
el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del
nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad
de
compuerta
saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa
N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1
polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta
polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a
conduccin.

3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del
nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es
negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura
auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como en
un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la

tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea
de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es
invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.

4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del
nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es
positiva
con
respecto
al
nodo
MT1(Intensidad
de
compuerta
entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la
estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la
unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial
positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la
prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.

Existe un gran nmero de posibilidades para realizar en la prctica el disparo del TRIAC,
pudindose elegir aquella que ms resulte adecuada para la aplicacin concreta de que se trate.
Se pueden resumir en dos variantes bsicas:

1. Disparo por corriente continua,

2. Disparo por corriente alterna.
DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin continua aplicada
al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es necesario disponer
de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado de la funcin de
control, que puede ser un simple interruptor mecnico o un transistor trabajando en conmutacin.
Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrnicos
alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control de una corriente a partir de
una determinada seal de excitacin, que generalmente se origina en un transductor de
cualquier tipo.

4.2

DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un

transformador que suministre la tensin de disparo, o bien directamente a partir de la propia
tensin de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algn
elemento interruptor que entregue la excitacin a la puerta en el momento preciso.

Aplicaciones

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas

sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,
controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas
inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para
asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda
de corriente alterna.

BIBLIOGRAFIA

https://www.slideshare.net/secret/rCP3AElaadtyy0/download
https://www.dirind.com/dae/monografia.php?cla_id=7