Ejercicios Estado Sólido

FSICA 4 - UNCo
Trabajo Prctico N 6: Slidos
1) Se tiene una red FCC, BCC y CS de parmetro de red a.

a) Calcular la distancia entre primeros vecinos en funcin de a para
cada una de las estructuras.
b) Para un tomo al azar, hallar el nmero de primeros y segundos
vecinos en cada estructura.
2) El mineral rutilo constituye una de las formas del TiO2. Presenta una red
tetragonal con a= 4.594 y c= 2.959 a 25oC. La celda unidad contiene
dos veces la frmula del compuesto (ver figura). Calcule la densidad del
rutilo a 25 C.
Celda Unitaria del rutilo. Los

tomos
de
Ti
estn
representados en color gris,
los de O en rojo.
3) a) Calcular la separacin de equilibrio ro para el NaCl a partir de la densidad media = 2.16

gr/cm3. b) Hallar la energa de cohesin del NaCl, utilizando n=9 en la expresin de la energa
potencial. Considerar que la constante de Madelung para una estructura FCC es 1,7476. c) Repita
el clculo del inciso b) para una estructura tipo CsCl con una constante de Madelung de 1,7627 y
analice el resultado.
4) (OPTATIVO) Un modelo monodimensional de un cristal inico se compone de una lnea de iones
alternativamente positivos y negativos separados una distancia r o entre cada pareja. Demostrar
que la constante de Madelung para este modelo monodimensional es 2ln2.
5) a) Segn la teora clsica de los electrones libres en los metales y considerando = 3.7 y v = 1.08
105 m/s a T = 300K, calcular la conductividad y resistividad del Cobre. Comparar con el valor
observado experimentalmente para la conductividad del Cu: 5.97 10 7 S/m.
b) En el modelo clsico del electrn libre, los electrones pierden energa durante los choques,
puesto que pierden la velocidad de desplazamiento adquirida, dnde aparece esta energa?
c) Obtener la resistencia de un cable de Cobre de 10m de largo y de 1 mm de dimetro de seccin
usando el valor experimental de la conductividad.
6) Considere un alambre de cobre de 4mm2 de seccin que conduce una corriente de 10A a
temperatura ambiente. Calcule la velocidad de arrastre sabiendo que la densidad del cobre es
8,96g/cm3 y que cada tomo contribuye con un electrn a la banda de conduccin. Comparar este
resultado con la velocidad trmica clsica y con la velocidad de Fermi. Explique.
7) El Litio (Z = 3) metlico tiene una estructura BCC.
a) Sabiendo que su densidad es 0.535 gr/cm3, obtener el lado de la celda unitaria.
b) Suponiendo que los electrones de valencia estn libres, calcular la concentracin de electrones
libres, la energa de Fermi y velocidad de Fermi.
c) Sabiendo que la conductividad del Li es de 1.08 107 S/m, calcular el camino libre medio
utilizando la velocidad media dada por el modelo cuntico.
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8) El aluminio (Al) tiene una energa de Fermi de 11.7 eV y cristaliza en forma cbica con una
parmetro de red de 4.05 . Suponiendo que los electrones de valencia estn libres en el metal,
Determinar a) cul es su estructura cristalina ms factible; b) la densidad del Al; c) el camino libre
medio segn los modelos clsico y cuntico; comparar ambos resultados e interpretar fsicamente
la diferencia. (Datos: peso atmico del Al: 27 g/mol; conductividad del Al a 293 K: 37.8 106 S/m).
9) Por qu, en un slido, las bandas permitidas se vuelven ms anchas a medida que vamos de los
electrones atmicos interiores a los exteriores?
10) a) Por qu la mayora de los slidos metlicos son opacos, los slidos covalentes algunas veces
opacos y los slidos inicos casi nunca opacos a la radiacin visible?
b) Encontrar las longitudes de onda del espectro electromagntico a partir de las cuales los
cristales de Si, Ge, SCd, ClK y Cu se vuelven opacos. Las energas de las bandas prohibidas son Si=
1.14 eV, Ge= 0.67 eV, Scd= 2.42 eV, ClK= 7.6 eV y Cu= 0 eV.
11) Experimentalmente se encuentra que la adicin de impurezas a metales aumenta su resistividad,
sin embargo la adicin de impurezas a semiconductores disminuye su resistividad. Explicar.
12) El enlace relativo del electrn extra en el tomo de arsnico que sustituye a un tomo de de
Silicio o de Germanio puede comprenderse a partir del clculo de la primera rbita de Bohr de
este electrn en estos materiales. En el modelo de Bohr del tomo de Hidrgeno, el electrn se
mueve en el espacio libre con un radio ao dado por: a0 4 0 h2 / mee2 . Cuando un electrn se
mueve en un cristal podemos aproximar la influencia de los dems tomos sustituyendo o por
= K o, donde K es la constante dielctrica. a) Calcular el radio de la primera rbita de Bohr de
un electrn en el Silicio (K = 12) y en el Germanio (K = 16) y comparar con la separacin de los
iones de la red en estos cristales. b) Usando la
misma idea, estimar la energa de enlace del
electrn extra de un tomo de impureza de
arsnico en Si y en Ge.
13) Hacer un diagrama de energas para una unin

pn no polarizada, cmo cambia cuando se le
aplica una polarizacin directa V?
14) Para qu voltaje de polarizacin V, la
corriente de un diodo ser: a) I = 9Io, b) I = 0.9Io? Suponga que el diodo es de silicio y que
T = 300K.
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15) La figura muestra la curva caracterstica de un diodo que est conectado en serie con una batera
y una resistencia de 150 qu voltaje de la batera se requiere para que haya una corriente de
25 mA?
16) La figura muestra la dependencia con la temperatura de la resistividad de varias sustancias.
Clasificar cada una de ellas como conductor, semiconductor o superconductor
T
(a)
T
(b)
T
(c)
T
(d)

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1) Se tiene una red FCC, BCC y CS de parmetro de red a.

Celda Unitaria del rutilo. Los

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