ALUMNO: Javier Oswaldo Rojas Antn

CODIGO:14190144
Tema 1. Teora de Semiconductores.
1.- Si en un semiconductor intrnseco se aumenta mucho la temperatura
a) Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos
b) Su resistividad aumenta
c) Puede llegar a comportarse como un buen conductor.
En un semiconductor intrnseco al aumentar la temperatura T aumenta la
conductividad debido a que se liberan ms pares electrn-hueco,
aumentando la concentracin intrnseca de portadores. En la grfica esta
variacin se muestra con la grfica de semiconductor intrnseco o puro.

2.- En un semiconductor intrnseco

a) No existen impurezas de ningn tipo
b) La concentracin de electrones y huecos depende de la
temperatura.
c) La concentracin de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n
1. A temperaturas muy bajas, prximas a 0 K, los tomos de impurezas ya se
encuentran ionizados por tener una energa de ionizacin muy baja; por lo
tanto, tendremos una concentracin de portadores significativa que
posibilitan la conduccin, incluso a temperaturas bajsimas. De este modo la
curva sube muy rpidamente.
2. Al aumentar la temperatura, la conductividad no aumenta de modo
sensible, pues ya se han ionizado todas las impurezas, y aunque
aumentemos ms la temperatura, la concentracin de stas no puede
aumentar ms. Los pares electrn hueco generados trmicamente son
cuantitativamente insignificantes si la temperatura no es excesiva.

3.- Cul de los siguientes conceptos describe mejor a un semiconductor

tipo n?
a) Cargado positivamente
b) Cargado negativamente
c) Neutro
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero deportadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).

4.- En un semiconductor extrnseco tipo n

a) Est dopado con impurezas trivalentes
b) La concentracin de huecos depende de la concentracin de
impurezas donadoras
c) No habr huecos por ser de tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres
dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina
con el hueco.

5.- Una estructura semiconductora conduce corriente elctrica en ambos

sentidos
a) si existe una unin pn
b) tanto si es de tipo p como si es de tipo n
c) slo si no est dopada
Tanto una estructura tipo p como tipo n conducen en ambos sentidos al
aplicarles una d.d.p. entre sus extremos; por el contrario, una unin p-n
conduce en un solo sentido.

6.- Una muestra de un semiconductor intrnseco tiene una concentracin

intrnseca de
1,51010 tomos / cm3 a temperatura ambiente. Dicha muestra se dopa
con tomos

de fsforo. Tras un anlisis de la misma se comprueba que la concentracin

de
huecos es de 75 huecos / cm3. Cul es la concentracin de impurezas que
se han
introducido en la muestra?
a) 5.109 tomos / cm3
b) 3.1018 tomos / cm3
c) 75 tomos / cm3
El nmero de portadores libres en un conductor es un factor que depende
de la naturaleza de ste y de la temperatura. Si llamamos n a la
concentracin de electrones libres (electrones/m 3) y p a la concentracin
de huecos (huecos/m3), el producto entre ambos es constante (ley de accin
de masas) y vale:
np = ni 2=> n=(1,5.1010)2 / 75 = 3.1018
Llamndose ni concentracin intrnseca, nmero que depende de la
naturaleza del cristal, y de la temperatura.

7.- Cuando un electrn libre se recombina con un hueco en la regin de la

base, el
electrn libre se convierte en
a) un electrn de la capa de conduccin
b) un electrn de valencia
c) un portador mayoritario
Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan
en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la
unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un
portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el
electrn libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se
difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga
positiva y en el p con carga negativa.

8.- Elegir la afirmacin correcta acerca de las caractersticas de metales,

semiconductores y aislantes:
a) Al aumentar la temperatura los metales conducen peor, y por el
contrario, los
semiconductores conducen mejor. Los aislantes se comportan de
manera parecida
a los semiconductores, pero su banda prohibida es mucho ms
ancha.
b) Al aumentar la temperatura los metales conducen mejor, y por el
contrario, los
semiconductores conducen peor. Los aislantes se comportan de manera
parecida a
los semiconductores, pero su banda prohibida es mucho ms ancha.
c) Al aumentar la temperatura los metales conducen peor, y por el
contrario, los
semiconductores conducen mejor. Los aislantes no tienen banda prohibida y
no
pueden conducir la corriente.
d) Al aumentar la temperatura los metales conducen mejor, y por el
contrario, los
semiconductores conducen peor. Los aislantes no tienen banda prohibida y
no
pueden conducir la corriente.

Los metales se caracterizan por su alta conductividad elctrica. En un

metal los tomos se encuentran empacados muy cerca unos de otros
de tal forma que los niveles energticos de cada tomo se ven
afectados por los de los tomos vecinos, lo cual da lugar a traslape de
orbitales. La interaccin entre dos orbitales atmicos conduce a la
formacin de un orbital molecular de enlace y otro de antienlace.
Como el nmero de tomos existente incluso en un pequeo trozo de
sodio metlico es demasiado grande, el correspondiente nmero de
orbitales moleculares que se forman es tambin muy grande. Estos
orbitales moleculares tienen energas tan parecidas que se describen
en forma ms adecuada como una "banda". Este conjunto de niveles
tan cercanos en energa se conoce como banda de valencia, como se
muestra en la figura. La parte superior de los niveles energticos
corresponde a los orbitales moleculares deslocalizados vacos, que se
forman por el traslape de los orbitales 3p. Este conjunto de niveles
vacos cercanos energticamente se llama banda de conduccin.

En virtud de que las bandas de valencia y de conduccin son

adyacentes, se requiere slo una cantidad despreciable de energa
para promover un electrn de valencia a la banda de conduccin,
donde adquiere libertad para moverse a travs de todo el metal, dado
que la banda de conduccin carece de electrones. Esta libertad de
movimiento explica el hecho de que los metales sean capaces de
conducir la corriente elctrica, esto es, que sean buenos
conductores. Sin embargo, un metal puede no conducir electricidad
por el mismo motivo de que pierde conductividad al aumentar la
temperatura. Los electrones de los metales siguen el modelo del
enlace metlico, que supone que stos se hallan formando una nube.
La conductividad del metal se basa, por tanto, en la capacidad que
tienen los electrones para desplazarse por entre la red de ncleos del
metal. Cuando aumentamos la temperatura, los ncleos vibran cada
vez ms, con mayor elongacin, y eso provoca que los caminos que
siguen los electrones se vean dificultados, y pierdan conductividad los
materiales.
Por qu las sustancias como la madera o el vidrio no conducen la
electricidad? La figura 1 da una respuesta a esta pregunta.
Bsicamente, la conductividad elctrica de un slido depende del
espaciamiento y el estado de ocupacin de las bandas de energa.
Otros metales se parecen al magnesio en el hecho de que sus bandas
de valencia son adyacentes a las de conduccin y, por lo tanto, estos
metales actan fcilmente como conductores. En un aislante la
brecha entre las bandas de conduccin y de valencia es
considerablemente mayor que en un metal: en consecuencia, se
requiere mucha mayor energa para excitar un electrn a la banda de
conduccin. La carencia de esta energa impide la libre movilidad de
los electrones. El vidrio, la madera y el hule son aislantes comunes.

9.- Un semiconductor de silicio tiene una concentracin intrnseca de

1,451010 portador/cm3 a temperatura ambiente. Dopamos este
semiconductor con
tomos de galio (el galio tiene tres electrones en la ltima capa
electrnica...),
siendo la concentracin de impurezas dopantes de 1016 tomo/cm3.
De qu tipo es la impureza de galio?:
a) tipo n
b) tipo p
c) donadora
d) no tiene influencia en el silicio
Al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de
huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos se les llama de
tipo P, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se
llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser
de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo
introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del
cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de
valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los
tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo
que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas
introducidos.

10.- Para el enunciado de la pregunta 9, la concentracin de electrones:

a) 1016 e-/cm3
b) 2,1104 e-/cm3
c) 1,451010 e-/cm3
d) ninguna de stas
np = ni 2=> n=(1,45.1010)2 / 1016 = 2,1025.104

11.- Para el enunciado de la pregunta 9, la concentracin de huecos:

a) 1016 h+/cm3
b) 2,1104 h+/cm3
c) 1,451010 h+/cm3
d) ninguna de stas
Dentro de los datos nos indican la concentracin de impurezas dopantes,
que representan a la concentracin de huecos, entonces sta es: 10 16
h+/cm3.

12.- Cul tiene mayor conductividad?:

a) Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura 0 K
b) Semiconductor de silicio dopado con 1016 tomos/cm3 de boro, a
temperatura
ambiente
c) Semiconductor de silicio dopado con 1014 tomos/cm3 de boro, a
temperatura
ambiente
d) Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura ambiente
El cristal de silicio es diferente de un aislante porque a cualquier
temperatura por encima del cero absoluto, existe una probabilidad finita de

que un electrn en la red sea golpeado y sacado de su posicin, dejando tras

de s una deficiencia de electrones llamada "hueco".
Si se aplica un voltaje, entonces tanto el electrn como el hueco pueden
contribuir a un pequeo flujo de corriente.
La conductividad de un semiconductor puede ser modelada en trminos de
la teora de bandas de slidos. El modelo de banda de un semiconductor
sugiere que, a temperaturas ordinarias hay una posibilidad finita de que los
electrones pueden alcanzar la banda de conduccin, y contribuir a la
conduccin elctrica.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se
agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada
100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000
tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado.

13.- Cul tiene ms ancha su banda prohibida?

a) Un metal
b) Un semiconductor
c) Un aislante
d) Todos los anteriores tienen la misma anchura de banda prohibida
La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energtica, es la diferencia
de energa entre la parte superior de la banda de conduccin y la parte
inferior
de
la banda
de
valencia.
Est
presente
en aislantes y semiconductores.
La conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco (puro) depende en
gran medida de la anchura del gap. Los nicos portadores tiles para
conducir son los electrones que tienen suficiente energa trmica para poder
saltar la banda prohibida, la cual se define como la diferencia de energa
entre la banda de conduccin y la banda de valencia. Por lo tanto un aislante
tiene su banda prohibida mucho ms ancha que un semiconductor o un
metal en condiciones normales.

14.- El boro tiene 3 electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de

silicio
con boro, el semiconductor resultante es:
a) Heterogneo
b) Tipo n
c) Tipo p
d) Intrnseco
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la
formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos,
como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se
llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser
de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el
tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad
elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su
ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar
electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que
electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los
segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de
portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de
impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el
caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de
electrn.

Dopaje tipo P
15.- Si un semiconductor intrnseco se dopa con impurezas tipo p, el nmero
de
electrones libres:
a) Aumenta por encima del que tena el semiconductor intrnseco
b) Disminuye por debajo del que tena el semiconductor intrnseco
c) No vara
d) Es mayor que el nmero de huecos
Se llama dopaje P al material que tiene tomos de impurezas que
permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, por tanto el nmero de electrones libres del
semiconductor disminuye.
16.- En un cristal semiconductor:
a) La polaridad depender de la concentracin de huecos y electrones libres
b) La concentracin de electrones libres es siempre igual al de huecos
c) La concentracin de cargas positivas es igual a la de cargas negativas
d) Ninguna de las anteriores es cierta
Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba
primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la
impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere
a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y
la de los aislantes. La disposicin esquemtica de los tomos de un
semiconductor de silicio puro: No existen electrones ni huecos libres.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En
el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente
incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le
ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los
dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion
cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se
mantiene elctricamente neutro en general.
El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones libres en el material. Para ayudar a entender cmo se
produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los
tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio
adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como
los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces

covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como

resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones
en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso
los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son
llamados tomos donantes. Ntese que cada electrn libre en el
semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y
el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica
neta final de cero.
17.- Un material semiconductor ha sido dopado con tomos de boro
(impureza
aceptadora). Si estamos a temperatura ambiente podemos afirmar:
a) Se trata de un semiconductor intrnseco.
b) La concentracin de cargas positivas ser igual a la de cargas negativas.
c) La concentracin de electrones ser superior a la de huecos.
A los semiconductores se le introducen tomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente
a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. En
este caso, el boro genera un dopaje de tipo P, entonces existirn ms
huecos que electrones, por tanto el material semiconductor es un intrnseco.
18.- Cul tiene mayor resistividad?:
a) Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura 0 K
b) Semiconductor de silicio dopado con 1016 tomos/cm3 de boro, a
temperatura
ambiente
c) Semiconductor intrnseco de silicio a temperatura ambiente.
El cristal de silicio es diferente de un aislante porque a cualquier
temperatura por encima del cero absoluto, existe una probabilidad
finita de que un electrn en la red sea golpeado y sacado de su
posicin, dejando tras de s una deficiencia de electrones llamada
"hueco".
Si se aplica un voltaje, entonces tanto el electrn como el hueco
pueden contribuir a un pequeo flujo de corriente (conduce).
Adems, en los semiconductores no es posible un incremento de la
energa de todos los electrones a 0 K, a causa del intervalo de
energas prohibidas. El incremento de energa a causa de la
conduccin es aproximadamente igual a 10-12 eV, que es demasiado
pequeo para saltar el intervalo prohibido, el cual suele ser del orden
de 1 eV. Por tanto a 0 K un semiconductor puro no puede conducir en
absoluto; su resistividad es infinita. Al aumentar la
temperatura, los metales y los semiconductores se comportan de
maneras opuestas.
19.- En un cristal semiconductor:
a) Si es tipo p hay ms cargas positivas que negativas
b) Si es tipo n las cargas positivas se pueden despreciar porque son muy
pocas.
c) Ninguna de las anteriores es cierta.

Un semiconductor tipo N o P: a pesar de que tiene un gran nmero de

portadores libres o huecos sigue siendo elctricamente neutro puesto que de
manera ideal el nmero de protones de carga positiva en los ncleos sigue
siendo igual al de los electrones de carga negativa libres y en rbita en la
estructura.

20.- Una muestra de un semiconductor intrnseco tiene una concentracin

intrnseca de
21010 tomos / cm3 a temperatura ambiente. Dicha muestra se dopa con
tomos
de boro. Tras un anlisis de la misma se comprueba que la concentracin de
electrones es de 50 electrones / cm3. Cul es la concentracin de
impurezas que
se han introducido en la muestra?
a) 21010 tomos / cm3
b) 81018 tomos / cm3
c) 50 tomos / cm3
Ley de Masas:
Se cumple para portadores intrnsecos como extrnsecos:

n p=ni2
n: nmero de e- /volumen
p: nmero de h+ /volumen
ni: concentracin intrnseca
Conduccin intrnseca
En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y de huecos son
iguales

n=p=ni

n: nmero de electrones (por unidad de volumen) en la banda de conduccin

p: nmero de huecos (por unidad de volumen) en la banda de valencia

ni : Concentracin intrnseca

Solucin:

n p=ni2
2

n
p= i
n

p=

(2 1010 )2
=8 1018 tomos/cm3
50

21.- Un semiconductor tipo p contiene huecos y/e

a) Iones positivos
b) Iones negativos
c) tomos donadores
Semiconductor extrnseco Tipo P:

- Cuando se sustituye un tomo de Si por un tomo como (Boro, Galio) que

tienen 3 electrones en la ltima capa: IMPUREZA ACEPTADORA.
- Al formarse el cristal, los tres electrones forman el enlace covalente con los
tomos de Si, pero queda un hueco (un enlace vacante).
- A ese hueco se pueden mover otros electrones que dejarn a su vez otros
huecos en la Banda de Valencia.
-La impureza fija en el espacio quedar cargada negativamente (la razn es
porque a una T=300 K todos los tomos de impureza han captado un
electrn, como ganan un electrn se cargan negativamente)
-En un semiconductor tipo p, los dopantes contribuyen a la existencia extra
de huecos sin haber electrones en la banda de conduccin.

22.- Si en un semiconductor intrnseco se aumenta mucho la temperatura

a) Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos
b) Su resistividad aumenta
c) Puede llegar a comportarse como un buen conductor.
Un semiconductor intrnseco: es un material que no contiene impurezas y si
nosotros aumentamos la temperatura, este generar que sus electrones de
valencia absorban la suficiente energa para romper el enlace covalente y
contribuir al nmero de portadores libres Portadores Intrnsecos y as mejorar
su conductividad.

23.- A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco tiene

a) Pocos electrones libres
b) Muchos huecos
c) Ni huecos ni electrones libres.
Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los
electrones estn formando enlaces.

24.- Se aplica una tensin de una fuente externa a un semiconductor tipo p.

Si en el
extremo izquierdo del cristal se aplica el terminal positivo de la tensin, en
qu
sentido circulan los portadores mayoritarios?
a) Hacia la izquierda
b) Hacia la derecha
c) Imposible predecir
Al aplicarle una tensin los electrones libres (portadores minoritarios) se
mueven hacia la izquierda y los huecos (portadores mayoritarios) lo hace
hacia la derecha.

25.- Si desearas producir un semiconductor tipo p, cul de los siguientes

emplearas?
a) tomos aceptadores
b) tomos donadores
c) Impurezas pentavalentes.
Est formado por unos tomos de SILICIO ms un tomo (Boro, Galio
o Indio) de 3 electrones en la ltima capa que se le conoce como
tomo aceptador porque al formar enlace covalente con el Si 3
electrones forman enlace y se genera un hueco que a temperatura
ambiente acepta a un electrn.

26.- En un semiconductor extrnseco tipo n

a) Est dopado con impurezas trivalentes
b) La concentracin de huecos depende de la concentracin de
impurezas donadoras
c) No habr huecos por ser de tipo n
Los semiconductores extrnsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adicin
de dopantes con ms valencias que el semiconductor intrnseco de partida.
En el caso del silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes,
por ejemplo fsforo. En cada tomo de fsforo quedar un electrn sin
formar enlace. Este electrn puede saltar a la banda de conduccin pero no
deja ningn hueco, por lo que se dice que estos dopantes son donadores de
electrones y quedarn ms cargas negativas (electrones) en la banda de
conduccin que positivas (huecos) en la banda de valencia.
La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100
aadiendo tan slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio.

27.- A temperatura ambiente, en una zona semiconductora extrnseca,

cuntas
impurezas estn ionizadas?
a) Casi ninguna
b) Depende de si la zona es n o p
c) Casi todas
En un semiconductor extrnseco al estar en temperatura ambiente:
TIPO N
Al estar formado por tomos donadores como el Antimonio (Sb) todos se
ionizan y pierden un electrn separndose del tomo y pasando a la banda
de conduccin. La impureza fija en el espacio quedar ionizada (cargada
positivamente).
Los Dopantes contribuyen a la existencia extra de electrones, lo cual
aumenta enormemente la conductividad debida a electrones.
TIPO P
Al estar formado por tomos aceptadores como el Boro (B) todos se ionizan y
captan un electrn. La impureza fija en el espacio quedar ionizada (cargada
negativamente).
Los dopantes contribuyen a la existencia extra de huecos sin haber
electrones en la banda de conduccin.

28.- En la conduccin por huecos se produce

a) La eliminacin de un par electrn-hueco
b) El desplazamiento de electrones de valencia hacia tensiones
positivas
c) El desplazamiento de electrones de conduccin hacia tensiones positivas

El hueco de electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el

electrn pero, contrariamente al electrn, su carga es positiva.
Aunque bien corresponde el recalcar que los huecos no son partculas
como s lo es -por ejemplo- el electrn, sino la falta de un electrn en
un semiconductor; a cada falta de un electrn -entonces- resulta
asociada una complementaria carga de signo positivo (+).
Por ejemplo cuando un cristal tetravalente (es decir de 4 valencias)
como el muy conocido silicio es dopado con tomos especficos que,
como el boro, poseen slo tres electrones en estado de valencia
atmica, uno de los cuatro enlaces del silicio queda libre. Es entonces
que los electrones adyacentes pueden con cierta facilidad
desplazarse y ocupar el lugar que ha quedado libre en el enlace; este
fenmeno es llamado entonces hueco.
Para un observador externo lo antedicho ser percibido como el
"desplazamiento de una carga positiva", sin embargo lo real es que se
trata del desplazamiento de electrones en sentido opuesto al ms
frecuente.
La descripcin figurada de un hueco de electrn como si se tratara de
una partcula equiparable al electrn aunque con carga elctrica
positiva es en todo caso didcticamente bastante til al permitir
describir el comportamiento de estos fenmenos.
29.- Si quiero obtener un semiconductor de silicio tipo n, las impurezas
dopantes
sern:
a) Galio
b) Boro
c) Fsforo
Para formar un semiconductor de silicio tipo n se necesita un nmero
predeterminado de impurezas pentavalentes (5 electrones de
valencia en su ltima capa) para que al formar enlaces covalentes y
as quede libre un electrn.
30.- Elige la afirmacin correcta. Al aumentar la temperatura:
a) Los semiconductores conducen peor al igual que los metales, porque los
portadores chocan ms entre s y disminuye su movilidad
b) Los metales conducen mejor al igual que los semiconductores, porque
hay ms
portadores
c) Los semiconductores conducen mejor porque hay ms
portadores, aunque
disminuya su movilidad
Los semiconductores a la temperatura ambiental es suficiente para que se
rompan los enlaces covalentes y puedan existir electrones libres y huecos.
A mayor temperatura en un semiconductor mejor conductividad porque
aumenta la cantidad de potadores libres, mientras que en un metal aumenta
su resistividad.
Pero al aumentar su temperatura disminuye su movilidad relativa (capacidad
de los electrones de moverse por todo el material).
La cantidad de portadores libres guarda una relacin inversa con la
movilidad relativa.

31.- Se aplica una tensin de una fuente externa a un semiconductor tipo p

fuertemente
dopado. Si el terminal positivo de la tensin se aplica en el extremo
izquierdo del
cristal y el negativo en el derecho:
a) Por mucho que aumentemos la tensin la corriente ser insignificante, ya
que los
portadores mayoritarios son huecos y stos no pueden circular por el cable.
b) Aparece un campo elctrico que tiende a mover a los electrones
hacia la izquierda
c) No puede haber campo elctrico ya que apenas hay electrones libres que
lo
formen
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al
extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del
circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones

libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay
muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este
circuito.

32.- En un material semiconductor

a) La anchura de la banda prohibida es mayor si es de tipo n
b) La anchura de la banda prohibida es mayor si es extrnseco
c) La anchura de la banda prohibida no depende del tipo de
impurezas.
La banda prohibida es la diferencia entre la energa de la parte superior de la
banda de conduccin y la parte inferior de la banda de valencia y su anchura
depende de esta, aunque un semiconductor aumenta su conductividad en
forma espectacular si cuenta con la presencia de pequeos porcentajes de
impurezas, estas no dependen del tipo que sean.

33.- En un cristal semiconductor

a) Si es tipo n hay ms cargas negativas que positivas
b) Si es tipo p las cargas negativas se pueden despreciar porque son muy
pocas.
c) La carga elctrica total es cero
Un semiconductor tipo N o P: a pesar de que tiene un gran nmero de
portadores libres o huecos sigue siendo elctricamente neutro puesto que de
manera ideal el nmero de protones de carga positiva en los ncleos sigue
siendo igual al de los electrones de carga negativa libres y en rbita en la
estructura.

34.- En un semiconductor extrnseco tipo n, a una temperatura insuficiente

para
obtener la energa EG
a) La concentracin de huecos viene dada por ni
2/NA
b) No existen portadores libres
c) nicamente tenemos portadores mayoritarios
Los portadores mayoritarios se encuentran en la banda prohibida y si
aplicamos una temperatura suficiente para obtener la energa Eg entonces
los electrones se mudaran a la banda de conduccin, de no ser suficiente la
energa solo tendramos a los portadores mayoritarios.

35.- A 300 K se puede asegurar

a) La prctica totalidad de los e- que se encuentran en la banda de
conduccin y
huecos en la banda de valencia proceden de la ionizacin de
impurezas
b) Solamente se dispone de portadores mayoritarios procedentes de la
ionizacin de
impurezas en la banda de conduccin
c) Los portadores mayoritarios ocupan niveles permitidos dentro de la banda
prohibida
A medida que aumentamos la T, los electrones de los niveles donadores
pasan a la banda de conduccin y los electrones de la banda de valencia a
los niveles aceptadores creando huecos en la banda de valencia y
produciendo la ionizacin de las impurezas correspondientes. A T = 300 K,
se puede asegurar la ionizacin total de las impurezas donadoras y
aceptadoras, o lo que es lo mismo, la prctica totalidad de los electrones en
la banda de conduccin y de los huecos de la banda de valencia proceden de
la ionizacin de dichas impurezas.