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    Tarea 1 - Diodos Semiconductores

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    El documento describe los diodos semiconductores, incluyendo los materiales comunes utilizados como silicio y arseniuro de galio, y cómo se mejoran sus propiedades mediante la adición controlada de impurezas para crear materiales tipo n y tipo p. Un diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n a uno tipo p, y su comportamiento puede modelarse mediante la ecuación de Schockley.

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    Pame Gomez
    El documento describe los diodos semiconductores, incluyendo los materiales comunes utilizados como silicio y arseniuro de galio, y cómo se mejoran sus propiedades mediante la adición controlada de impurezas para crear materiales tipo n y tipo p. Un diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n a uno tipo p, y su comportamiento puede modelarse mediante la ecuación de Schockley.

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    de 2

    Universidad de Costa Rica

    Sede Regional de Guanacaste


    Escuela de Ingeniera Electrica
    IE0313 Electr
    onica I
    II Ciclo 2014

    Diodos Semiconductores
    Introducci
    on
    El diodo semiconductor es el dispositivo no lineal mas simple en la electronica. Su origen data de
    cerca de la primera mitad del siglo XX. Es importante destacar que a pesar de que estos dispositivos se
    utilizan desde hace muchos anos, las tecnicas que se usan para su produccion no han sufrido mayores
    cambios, debido a que se ha enfocado en la mejora de estas, para as obtener los modelos que se usan
    actualmente en lo que conocemos como electronica moderna, donde la velocidad y la miniaturizacion1
    de los componentes son elementos claves para un mayor desarrollo.

    Materiales Semiconductores y Materiales Intrnsecos


    Para la construccion de un dispositivo electronico como los diodos, es importante elegir el material
    adecuado, esto se hace mediante el analisis de las propiedades de qumicas y fsicas de los elementos
    y compuestos; as es como entre estos materiales podemos indentificar a los semiconductores2 que
    ofrecen un gran rendimiento en la fabricacion de estos dispositivos. Entre los mas comunes se tiene al
    Germanio(Ge), Silicio(Si) y el Arseniuro de Galio(GaAs), gran parte de los componentes que usamos en
    la actualidad estan fabricados en base a estos materiales, ya que materiales como el Si son en extremo
    abundantes, por lo que el costo de producir dispositivos con este es bastante bajo, ademas que sus
    propiedades son ideales para algunas de las aplicaciones en las que se emplean, caso similar con el
    GaAs3 , que se utiliza para aplicaciones en las que la velocidad de procesamiento es el punto clave.
    En la actualidad tambien se ha empezado a experimentar con los materiales semiconductores comunes, somentiendoles a procesos de refinamiento, para as obtener un material de alta pureza, o
    como se les conoce Materiales Intrnsecos. Una vez que se ha logrado remover la mayor cantidad de
    impurezas del material, este es sometido a un nuevo proceso llamado Impurificacion o Dopado, en el
    que se agregan impurezas (de forma controlada) de otros elementos, para conseguir una mejora en el
    comportamiento de un semiconductor, es decir, que gracias a estas impurezas se puede lograr que un
    material semiconductor por naturaleza, se comporte mucho mas parecido a un conductor, ofreciendo
    as un mayor rendimiento.

    Materiales Extrnsecos: Materiales Tipo n y Tipo p


    Como ya fue comentado en la seccion anterior, existe un proceso mediante el que se mejoran las
    propiedades electricas de los materiales semiconductores. Estos materiales reciben el nombre de Material
    Extrnseco, exiten dos tipos de esta clase de material, a continuacion se describen.
    1

    Esta queda limitada por tres factores: la calidad del material semiconductor, la tecnica de dise
    no de redes y los
    lmites del equipo de fabricaci
    on y procesamiento (Boylestad, 2009).
    2
    Son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
    aislante (Boylestad,2009).
    3
    En la actualidad se utiliza de manera consistente como material base para nuevos dise
    nos de circuitos integrados a
    gran escala (VLSI, por sus siglas en ingles) de alta velocidad (Boylestad,2009).

    Carrillo A. Johel

    1 de 2

    Villegas D. Roberto

    Universidad de Costa Rica


    Sede Regional de Guanacaste
    Escuela de Ingeniera Electrica
    IE0313 Electr
    onica I
    II Ciclo 2014
    El Material tipo n se crea anadiendo al material intrnseco atomos de elementos con 5e en la capa
    de valencia4 , que al unirse a los atomos del material semiconductor forman hasta 4 enlaces covalentes,
    quedando el material cargado con electrones libres.
    El Material tipo p se crea anadiendo al material intrnseco atomos de elementos con 3e en la capa
    de valencia, cuando se unen los atomos de impureza con los del material semiconductor, se forman
    unicamente 3 enlaces covalentes, por lo que quedan huecos en el material.
    En ambos materiales tipo n y tipo p, debe tenerse en cuenta que la presencia de los electrones libres
    o los huecos no hace que el material pierda su balance de carga, es decir, el material siempre seguira
    teniendo carga neutra (hasta que se aplique un carga externa que pueda modificar esto).

    Diodo Semiconductor
    Una vez que ya conocemos un poco mas de los orgenes de estos dispositivos, as como los materiales
    mas comunes para su fabricacion y los procesos a los que estos son sometidos, con el fin de mejorar sus
    propiedades naturales, podemos definir que un diodo semiconductor, se crea uniendo un material tipo
    n a un material tipo p(Boylestad, 2009).
    El funcionamiento de un diodo desde un punto de vista idealizado, puede modelarse con la siguiente
    relacion (Funcion de Heaviside 5 )

    1,

    VD 0V
    (1)
    0,
    VD < 0V
    En el caso en que VD 0V se dice que el diodo queda Polarizado en Directa, caso contrario, el diodo
    queda Polarizado en Inversa; estas condiciones se consideran al aplicar un potencial externo al diodo.
    Finalmente para describir el comportamiento real (o al menos, el que mejores aproximaciones calcula),
    tenemos que definir la Ecuacion de Schockley:
    i(VD ) = ID

    ID = Is e

    qVD
    nT

    (2)

    donde q es la carga de 1e , VD es el voltaje en el diodo, n constante que depende de la base del


    diodo, es la constante de Boltzmann y T es la temperatura de operacion.

    Referencias
    1. Boylestad, R., Electronica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electronicos, 10ma. Ed. Pearson,
    2009
    4

    Capa mas externa de un atomo, cuyos electrones son susceptibles a absorber energa y romper sus enlaces con su
    atomo padre
    5
    Tambien conocida como la funcion escalon unitario, cuya forma general es
    (
    1,
    ta
    H(t a) =
    0,
    t<a

    Carrillo A. Johel

    2 de 2

    Villegas D. Roberto

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