UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA

DE MEXICO

FACULTAD DE INGENIERIA

Practica 1: Estructuras y defectos cristalograficos

Laboratorio de ingeniera de materiales

Profesor: M.C. Francisco Sanchez Perez

Alumno: Gothar Guzman Lemoine
Grupo: 2

Fecha de realizacion: Martes 18 de agosto de 2015

Estructuras cristalinas y amorfas

Cuando en los diferentes materiales a nivel atomico existe un acomodo o empaquetamiento, siguiendo un
patr
on a lo largo de todo el espacio, se dice que el material presenta un sistema o estructura cristalina.
En cambio cuando la red at
omica del material no tiene una forma o estructura definida se conoce como un
material amorfo.
Materiales cristalinos: Son los que presentan un acomodamiento de largo alcance, es decir se presenta el
mismo patr
on en todo el material. En esta categora entran los metales y muchos ceramicos.
Materiales semicristalinos: Son materiales que sus redes atomicas no son completamente cristalinas en
toda su extensi
on, pero un gran porcentaje si lo es, entran en esta categora muchos polmeros.
Materiales amorfos: Son los que presentan un acomodamiento de corto alcance, es decir los atomos se
acomodan solo en su vecindad inmediata pero no son capaces de mantener un orden en todo el material.
Entran en esta categora el resto de los polmeros, vidrios y geles.
La mayora de los metales a temperatura ambiente tienden a empaquetarse en estructuras cristalinas
simples, a pesar de que principalmente se arreglan en 3 estructuras principalmente, existen 14 diferentes
tipos de redes propuestas por Bravais lattice en 1848.
Como estos diferentes empaquetamientos son estructuras que se repiten en toda la extension del material,
basta con analizar la mnima porci
on del arreglo para entender todo el material, a esta mnima porci
on se
le conoce como celda unitaria,
A continuaci
on aparecen los arreglos m
as utilizados y algunos materiales que los utilizan:
C
ubica centrada en el cuerpo (bcc): Cromo, molibdeno, tantalio, vanadio.
C
ubica centrada en las caras (fcc): Aluminio, cobre, nquel, plomo, oro, platino
Hexagonal compacta (hcp): Berilio, cadmio. magnesio, zinc, circonio.

(a) C
ubica centrada en el cuerpo (bcc)

(b) C
ubica centrada en las caras (fcc)

(c) Hexagonal compacta (hcp)

Figura 1: Estructuras cristalograficas comunes

Para saber que tipo de estructura tenemos, utilizamos el llamado parametro de red denotado por a0 el
cual es la diagonal principal entre las aristas de una estructura que contenga a los atomos de estudio, con
esto obtenemos cuantos
atomos se encuentran dentro de la estructura haciendo uso de los radios atomicos
de la estructura.

(a) C
ubica simple tiene 1
atomo por
celda unitaria a0 = 2r

(b) C
ubica centrada en el cuerpo (bcc)
tiene 2
atomos por celda unitaria a0 =
4r

(c) C
ubica centrada en las caras (fcc)
tiene 4
atomos por celda unitaria a0 =
4r

Figura 2: Celdas unitarias

C
ubica simple: 1
atomo por celda unitaria
C
ubica centrada en el cuerpo: 2
atomos por celda unitaria
C
ubica dentrada en las caras: 4
atomos por celda unitaria
Hexagonal compacta: 6
atomos por celda unitaria
Conocer el numero de
atomos por celda unitaria es muy u
til ya que con unos pocos datos se puede calcular
la densidad del material
( #atomos
celda )(masa atomica)
volumen
( celda )(#de Avogadro)

Indices de Miller
Los indices cristalogr
aficos o indices de Miller sirven para describir el plano y direccion en que se encuentran los
atomos de las celdas unitarias, para ello necesitamos fijar un sistema coordenado unitario, a
excepci
on de las formas hexagonales, con solo 3 coordenadas x,y,z podemos definir las posiciones, las cuales las encerramos en parentesis (a,b,c), a su vez encontramos las direcciones que se encierran en corchetes
[a,b,c], y agrupando todas las mismas direcciones generamos familias las cuales tambien juntamos <a,b,c>
Para determinar los indices de Miller debemos seguir el siguiente procedimiento
1. Determinar las intersecciones con los ejes x,y,z de ser necesario se puede mover el sistema de coordenadas
para que exista la intersecci
on.
2. Obtener el recproco de los valores obtenidos.
3. Multiplicar por el mnimo com
un divisor para eliminar las fracciones y dejarlo en terminos de n
umeros
enteros.
Nota: si uno de los indices queda negativo quiere decir que el sistema de coordenadas se movio en esa direcci
on
y el n
umero se anota con una tilde sobre el n
umero
3

Difracci
on de rayos X
Gracias a la estructura poliedrica y la periodicidad de las celdas unitarias en los materiales, y el estudio
de la difracci
on que las caras de las celdas unitarias ocasionan en los rayos X, es que podemos determinar la
forma de alguna molecula

Figura 3: Difracci
on de rayos X.Calculada como n = 2d sin

Defectos
La teora define a los cristales como perfectos en toda su extension, sin embargo realmente no existen
cristales perfectos, ya que, desde que son formados estan expuestos a cambios en su entorno fsico y qumico,
lo que provoca imperfecciones que afectan a sus propiedades fsicas y mecanicas aunque tambien influyen
en algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicacion ingenieril tal como la capacidad de formar
aleaciones en fro, la conductividad electrica y la corrosion.
Seg
un su tipo o dimensi
on, los defectos pueden clasificarse en cuatro:
1. Puntuales o de dimensi
on cero
a) Vacancias
b) Intersticiales
c) Sustitucionales o remplazamientos
2. Lineales,tambien llamados dislocaciones o de dimension uno
a) De borde
b) De tornillo
c) Mixta
3. Superficiales o de dimensi
on dos
a) Lmite de grano
b) Macla
4. Volumetricos o de dimensi
on tres
a) Porosidades

Puntuales
Vacancias:
Constituye el defecto puntual mas simple, se provoca cuando existe un hueco, es decir, falta un
atomo
donde debera haber uno. Puede producirse durante la solidificacion, por perturbaciones locales durante el
crecimiento de los cristales, o por reordenamientos atomicos en el cristal ya formado como consecuencia de
la movilidad de los
atomos. El n
umero de vacantes en equilibrio Nv para una cantidad dada de material, se
incrementa con la temperatura de acuerdo a la ecuacion:
Q

Nv = N T K
Donde Nv es el n
umero de vacantes por metro c
ubico
N es el n
umero de puntos en la red por metro c
ubico
J
]
Q es la energa requerida para producir una vacancia [ atomo
T es la temperatura en [K]
J
K es la constante de Boltzmann de los gases 1,38x1023 [ atomo

K]

eV
o 8,62x105 [ atomo

K]

Intersticiales
Son
atomos que ocupan lugares que no estan definidos en la estructura cristalina. En otras palabras, su
posici
on no est
a definida por un punto de red. Normalmente estos atomos se colocan en los intersticios que
se forman entre los
atomos originales.
Sustitucionales
En teora un material puro est
a formado exclusivamente por el mismo tipo de atomos, pero los materiales
reales no son 100 % puros mas bien poseen impurezas, las cuales se definen como atomos de diferente material
ocupando el lugar de un
atomo original en su punto de red.

Figura 4: Fen
omenos puntuales en la estructura cristalina

Defecto Frenkel
Es una imperfecci
on combinada Vacancia Intersticial. Ocurre cuando un ion salta de un punto normal
dentro de la red a un sitio intersticial dejando entonces una vacancia en su lugar.
Defecto Schottky
Es un par de vacancias en un material con enlaces ionicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse
de la red tanto un cati
on como un ani
on.

(a) Defecto Frenkel

(b) Defecto Schootky

Figura 5: Defectos puntuales

Lineales o dislocaciones
Se dan a nivel de varios
atomos confinados generalmente a un plano. Los defectos lineales mas importantes
en los materiales son las dislocaciones. Las dislocaciones se generan durante la solidificacion o la deformaci
on
pl
astica de los materiales cristalinos, y consisten en planos extra de atomos insertados en la estructura
cristalina.

(a) Defecto de borde

(b) Defecto de tornillo

Figura 6: Defectos Lineales

De Borde
Se crea por la inserci
on de un semiplano adicional de atomos dentro de la red. Los atomos a lado y
lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados. Esto se refleja en la leve curvatura de los planos
verticales de los
atomos mas cercanos del extra semiplano. La distancia de desplazamiento de los atomos en
torno a una dislocaci
on se llama vector de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacion
De tornillo
Esta dislocaci
on se forma cuando se aplica un esfuerzo de deslizamiento sobre un cristal que ha sido
separado por un plano cortante. Aqu el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la lnea de
dislocaci
on

Mixta
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. Su vector de Burgers no es ni
perpendicular ni paralelo a la lnea de dislocacion, pero mantiene una orientacion fija en el espacio.

Superficiales
Son imperfecciones de la estructura cristalina ubicados en la misma superficie del material. Son planos que
dividen un material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura pero diferente orientaci
on.
Lmite o borde de grano
El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los atomos no estan uniformemente separados, o sea que
hay
atomos que est
an muy juntos causando una compresion, mientras que otros estan separados causando
tensi
on. Son
areas de alta energa y hace de esta region una mas favorable para la nucleacion y el crecimiento
de precipitados.
Maclas
Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los atomos de un lado del lmite est
an
localizados en una posici
on que es la imagen especular de los atomos del otro lado

(a) Defecto de limite de grano

(b) Defecto de macla

Figura 7: Defectos superficiales

Volum
etricos

Este
tipo de defectos implica que la naturaleza tridimensional del cristal queda rota por la presencia de
una inclusi
on o porosidad dentro de la masa cristalina durante el proceso de crecimiento.

Software Matter
Opini
on: Muy buen programa, permite visualizar por medio de animaciones como se producen los diferentes defectos, que de otra manera es difcil imaginarselos. Ademas de que viene muy bien explicado y
detallado como se producen. Es una muy buena y u
til herramienta a tener, ya que al trabajar con diferentes
materiales debemos conocer a profundidad todas sus propiedades.

Referencias
[1] Michael F Ashby and David RH Jones. Materiales para ingeniera 2: Introducci
on a la microestructura,
el procesamiento y el dise
no, volume 2. Reverte, 2009.
[2] William D Callister. Introducci
on a la ciencia e ingeniera de los materiales, volume 1. Reverte, 2002.
[3] Defectos e imperfecciones cristalinas. http://www.v-espino.com/ tecnologia/tecnoii/1materiales/defectos
[Acceso: 22-Agosto-2015].
[4] Defectos en estructuras cristalinas. http://www.uca.edu.sv/facultad/clases/ing/m210031/tema [Acceso:
22-Agosto-2015].
[5] Jaume Casab
o i Gispert. Estructura at
omica y enlace qumico. Reverte, 1997.
[6] Serope Kalpakjian, Steven R Schmid, et al. Manufactura, ingeniera y tecnologa. Pearson Educaci
on,
2002.
[7] Mohammad Abdul Wahab. Solid state physics: structure and properties of materials. Alpha Science Intl
Ltd., 2005.