Puesta A Tierra
Puesta A Tierra
Puesta A Tierra
- SEGURIDAD A PERSONAS
BUEN DESEMPEO
(SEGN SU FUNCION)
CARACTERISTICAS DEL SISTEMA:
- CORRIENTE DE FALLA - TIERRA
- SEGURIDAD A EQUIPOS
- REFERENCIA DE POTENCIAL
- EMC
RESISTIVIDAD
LIMITACIONES FISICAS (DIMENSIONES DEL AREA)
Limitar Tensiones
-1 FRECUENCIA:
-2 MAGNITUD
-3 DURACION
Corriente (mA)
15
20
30
100
500
1000
Tiempo para
fibrilacin (seg)
120
60
35
3
0.1
0.03
FORMULACION EMPIRICA
k
IC =
ts
Donde:
Ic: Mxima Corriente RMS (A)
ts: Tiempo de Duracin Corriente (seg)
k: Constante de Energa con 99.5%
de probabilidad de ser soportada
4b
RM Pies =
2 d pies
-1 VOLTAJE DE PASO
-2 VOLTAJE DE TOQUE
1
RT = RC + ( R pie + RM pie )
2
-1 VOLTAJE DE PASO
-2 VOLTAJE DE TOQUE
R2 Pp = 1.5 C s (hs , K ) s
1
Kn
1 + 2
Cs =
2
0.96
n =1
2nhs
1+
0.08
0.157
ts
Etoque 70Kg = (1000 + 1.5 CS ( hS , K ) S )
0.157
tS
I Falla1
I Falla2
Interruptor
Malla
I Falla1
I Falla2 ts2
I FallaT1,2
Malla
ts eq = ts1 + (
IFallaT 1
)2 (ts2 ts1)
IFallaT 1 + IFallaT 2
Compactacin
Humedad del suelo (estaciones)
Temperatura
Salinidad
Otros..
Valores Tpicos de la
resistividad (-m)
10 50
20 60
Arenas arcillosas
80 200
Fangos, turbas
150 300
Arenas
250 500
300 400
Rocas
1000 10.000
Resistividad
Variacin Vertical
Variacin Horizontal
Compactacin (Kg/cm2)
Sales (% Volumen)
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
MEDICION DE RESISTIVIDAD: (DIVERSOS METODOS)
I
V3 =
(1 / 2 a - 1 / a)
2
I
V23 = V2 V3 =
2a
V23
= 2a
= 2aR
I
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Anlisis de las mediciones (a vs d)
UNIFORME
a
BIESTRATO
a
MULTIESTRATO
a
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Monoestrato:
En Caso de Terreno Uniforme, el valor de la resistividad,
Es obtenido directamente de la medicin (a)
Biestrato:
En este caso, debido a la interaccin entre los dos estratos,
la forma de obtener la caracterizacin matemtica, es a partir
de la siguiente formulacin matemtica, que se obtiene de
suponer que los electrodos auxiliares son semiesferas:
n=
Kn
Kn
a = 1 [1 + 4 [
]]
2 1/ 2
2 1/ 2
(4 + (2 n h / a) )
n=1 (1 + (2 n h / a) )
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Donde:
1 = Resistividad primer estrato (-m)
K = Factor de Reflexion (2-1)/(2+1)
n = Nmero de imgenes del modelo
Solucin: Aplicando mtodo de optimizacin para ajuste de curva
Por Ejemplo
Mnimos Cuadrados
m
Funcin Objetivo:
Min
2
(
m)
i =1
Sujeto a: 1, 2 y h > 0
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Modelo Multiestratificado
La funcin cambia en virtud de que existen p estratos
Donde:
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Esta funcin es muy inestable matemticamente, ya que no es fcil obtener una solucin
nica. La funcin posee (si se aplican tcnicas de Minimizacin por puntos interiores),
Mltiples mnimos locales.
Para obtener los mejores resultados, no se deja p, como variable libre, sino que se impone
como dato de entrada; es decir, se especifica la cantidad de estratos que se desea considerar
en el modelo.
El procedimiento matemtico es idntico al del caso Biestrato, pero con una funcin
a evaluar mucho ms compleja.
m
Funcin Objetivo:
Min
( a - m)
i =1
RESISTIVIDAD
MODELOS MATEMATICOS
Ejemplo :
Mediciones de Campo
a(m)
a(m)
a (-m)
1.5
20.7
13.2
11.2
9.40
10
7.20
16
6.9
25
7.8
32
8.8
40
9.7
50
10.5
(Ubicacin y Caractersticas)
RPATobjetivo ()
<1
<2
< 3-5
Torres de Transmisin
10 20
< 10
Sistemas BT (CEN)
< 25
Telecomunicaciones
<5
Hospitales
<5
J=E
Donde:
J - Densidad de corriente.
- Conductividad de la tierra.
E - Intensidad del campo elctrico.
Adems:
1
=
Donde:
- Resistividad de la tierra.
Adicionalmente,
du
E=
dx
J=
1 du
dx
E
J=
J dS =
Como
1 du
dx
I = J dS
I=
du
dS
dx
N = E dS =
du
dS
dx
4Q
Sustituyendo:
4Q
I=
Dado que
U
R=
I
U=
Q
C
R=
4C
R=
4r
Como la resistencia es inversamente proporcional al rea para un electrodo
semiesfrico se tiene que:
RPAT =
2 r
Desde el punto de vista de potenciales:
I
dU
=
dx 2 x 2
U=
x =
Potencial Absoluto
del Electrodo
I
I
I 1
Uo
=
dx =
2
2 r
x=r
2 x
2 x
UX
Ux/Uo
100%
I
50%
1
0.8
0.6
2r
0.4
0.2
Ejemplo:
= 10 -m y r = 0.5 m
r 2r
3r
RPAT = 3.2
Uo = 320 V
Si If = 100 A
Uo - U(x=1m) = 213 V
5r
L
C=
4L
ln
d
Donde:
L - Longitud del electrodo bajo tierra.
d - Dimetro del electrodo.
Por lo que:
R=
4L
ln
d
2L
700
600
500
400
300
100
0
25
50
75
100
125
150
L (cm.)
Fig. 7.9.2.- Dependencia de la resistencia de puesta a tierra de un
electrodo vertical de varilla de su dimetro y de su longitud
l i
d
i
d
d l f i
% de la resistencia de un electrodo
d = 1 cm.
d = 2 cm.
d = 4 cm.
200
75
70
65
60
55
50
45
40
10
15
20
25
30
Espaciamiento en metros
Fig. 7.9.4.- Efecto del espaciamiento entre electrodos sobre
la resistencia.
R=
4L
ln
16 L2
dh
h
h2
2+
2
L 4 L
Donde:
h = profundidad (m)
2L = Longitud (m)
d = Dimetro (m)
Resistencia en
12
25
0,5
10
100
0,5
100
2,0
6
4
2
0
0
50
100
150
200
Longitud en metros
250
300
IEEE Std 80
Metodologas
Mtodos Electromagnticos
Simplificados
(Imgenes de Maxwell)
Mtodos Electromagnticos
Complejos (FEM)
Para Suelos
Biestratos
Para Suelos
Multiestratos
E malla
I
= Km Ki
L
Donde:.
L - Longitud total de los conductores de la malla.
I - Corriente a tierra
K i = 0.65 + 0.172 n
Km
j= n 2 j 3
2
1
S
1
+ ln
ln
=
2 16 h d
2 j + 2
j
=
3
S2
8
1
( S + 2h )2 h Kii
+
))
+
( ln
ln(
Km =
2
8Sd
4d K h (2n 1)
16 h d
Con:
Kii = 1
1
Kii =
( 2n )2 / n
K h = 1+ h / ho
ho =1 m (profundidad de referencia)
Emalla
I
= K m Ki
Lc + 1.15Lr
Donde:
Lc: Longitud de Conductor Horizontal
Lr: Longitud del Total de Jabalinas
Emalla
I
= K m Ki
Lc + Lr
n = na nb
E paso
I
= K s Ki
L
Donde:
Ks =
1 1
1
1
( +
+ (1 0.5n 2 ))
2h S + h S
1 1
1
1
Ks = ( +
+ W)
2h S + h S
Con
W=
1 1 1
1
+ + .. +
2 3 4
n 1
Si h < 0.25 m
R1 R2 R12
Rg =
R1 + R2 2R12
Con:
1 2l1
l1
R1 = ln + K 1
K 2
A
l1 h'
a
R2 =
2n l 2
8l 2
ln
d 2
l
1 + 2 K 1 2 n 1
A
a 2l1
l1
R12 = ln + K 1
K 2 + 1
l
l
A
1 2
l1
l2
K1K2
d1
d2
para
1 b + a2 + b2
+ ln
b
a
2
2
+
a
b
(
a
b
)
2
2
+
+
a +b
2 2
3b 2 3a 2
3a b
2
b
b
2
ln a + a +
+ a 2 + b
2 1 2
+
+
4
(
a
b
)
(
a
b
)
2
ln
K 2 = ln
+ 2K1
2
b
2 b
b
ab
b
2
+ a +
2
2
2
Si la malla es cuadrada, a = b
Si no:
a: ancho de la malla
b: largo de la malla
Adems:
a =
l 2 ( 1 2 )
2 ( H h) + 1 (l 2 + h H )
o=
mz
]
]Jo(mr )dm
Jo(m
(mr
)e)dm
o =[Ao(m)e mz[Ao
4 1 0 4 1 0
Para z > 0
1=
[
e
4 1
I
m z zs
[A2(m)e
4 1
I
mz
Para z < h
o (r,0) = 1 (r,0)
1
o
o
(r,0)
(r,0) = 1
z
z
1 (r,-h) = 2 (r,-h)
1
2
1
(r,-h)
(r,-h) = 2
z
z
1 i j du 1
1
1
1
1
n 1
=
+
+
+
+
+
dV j
k
r'
4 l
r
r
'
n =1
0 j
0j
nj rnj r ' nj + rnj +
2 i j du
1
1
n 1
+ k
+
dVJ =
(1 k ) +
4 l
r0 j r '0 j
r 'nj r 'nj +
1
1i j du
1
1
n 1
+k
+
dV j =
(1 + k ) +
4 l
r
r
'
r
r
'
n =1
0 j
0j
nj +
nj +
2i j du 1
1
n 1
2 1
dV j =
+ (1 k )
+ k
r'
4 l r0 j r0 j
r
'
nj +
0 j n =1
r0 j = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + ( z j z 0 )
2
r ' 0 j = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + ( z j + z 0 )
2
1
2 2
1
2 2
rnj + = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh + ( z j z 0 )]
r ' nj + = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh + ( z j + z 0 )]
2
rnj = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh ( z j + z 0 )]
2
rnj = ( x j x0 ) + ( y j y 0 ) + [2nh ( z j z 0 )]
2
1
2 2
1
2 2
1
2 2
1
2 2
Donde:
h : Profundidad Primer estrato
n : Nmero de la imagen
(xj,yj,zj): Posicin inyeccin
de corriente.
(xo,yo,zo): Posicin punto de
inters.
Sistema xyz
Sistema uvw
Descripcin
(xs,ys,zs)
(us,vs,ws)
Inicial
(xp,yp,zp)
(up,vp,wp)
final
v s = v p = ws = w p = 0
zs = z p = e
El eje u v w debe ser seleccionado, siempre de tal manera que
us = 0
Se puede establecer que las coordenadas x,y,z estn relacionadas a las coordenadas
u, v, w por las siguientes ecuaciones:
x = u cos( ) v sen( ) + x s
y = u sen( ) + v cos( ) + y s
z = w + zs
zs = z p = e
u p = ( x p x s ) cos( ) + ( y p y s ) sen( )
u 0 = ( x0 x s ) cos( ) + ( y 0 y s ) sen( )
v0 = ( y 0 y s ) cos( ) ( x0 x s ) sen( )
w0 = z 0 z s
1200
1100
1000
Direc c in x = -6 m etros
900
800
700
600
-15
-10
-5
0
Y (m etros )
10
15
Donde:
Caso Electrosttico:
D.ds E.ds
C=
E.dl
L
Energa Almacenada
1
W = CU 2
2
R=
E.dl
L
E.ds
S
Finalmente:
U 2
Ri =
2 W
E.dl
L
RC =
Donde:
U: GPR
: Conductividad del terreno
Distribucin de Potencial
Perfil de Potencial
Perfil de Potencial
Distribucin de Potencial
Campo Elctrico
Restricciones:
C=
r *l
*10 9 < F >
18 * ln (2l / a )
1
E CRITICO = 241
Sabiendo:
J = Icrit / As
E=r*J
Ecrit = r * Icrit/As
0.215
Icrit =
Modelo Equivalente:
Rt =
Ro
I
1+
Icrit
Ve
Rt/Ro
0.70
0.60
1000-4kA
0.50
1000-8kA
0.40
3000-4kA
0.30
3000-8kA
0.20
5000-4kA
0.10
5000-8kA
0.00
0
20
40
60
80
100
120
200
220
240
260
280
300
320
Modelo Circuital
c
r= 2
a
</m>
g=
o
2l
L=
1 <H/m>
ln
2
2ha
2
2l
1
ln
2ha
C=
<1/(/m)>
2 o r
2l
1
ln
2ha
<F/m>
Donde:
L: longitud del electrodo (m)
h: Profundidad (m)
a: Dimetro del conductor utilizado (m)
c: Resistividad del material conductor utilizado (Ohm/m)
Ionizacin:
En cuanto al comortamiento, se
tiene lo mismo que para el caso
de electrodos concentrados.
La modelacin circuital, puede
realizarse, variando el parmetro
G (Conductancia), con el voltaje
aplicado = G(V)
1 6 000
100
90
1 4 000
80
1 2 000
70
1 0000
60
Voltaje
50
Corriente
8 000
40
6 000
30
4 000
20
10
2 000
5,5
6,5
7
<useg >
7,5
8,5
5,1
5,6
6,1
6,6
7,1
7,6
<useg >