DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 1

Diseño de un Amplificador de Baja Potencia de

RF por Medio de sus Parámetros S utilizando
MATLAB
Nataly Medina, Francisco J. Díaz, Adalberto Bustamante, Alejandro Jiménez, CETYS Universidad,
Optativa: Radiofrecuencia Prof. David Zevallos
Los cuales matemáticamente se expresan como:
Resumen—El presente documento muestra el diseño de i 1+¿
amplificadores de Radiofrecuencia de baja potencia por medio de a 1= ¿
MATLAB, el cual nos proporciona la información necesaria para √ Z0
determinar todo parámetro a considerar en el diseño de este
amplificador. A su vez, se introduce la teoría básica de los i 1−¿
parámetros S o también llamados de Scattering, los cuales con
b 1= ¿
ayuda de un Analizador de Redes de dos puertos e impedancia
√ Z0
típica de 50Ω , proporciona los parámetros S en archivos *.s2p,
los cuales son capturados por medio de MATLAB. i 2+ ¿
a 2= ¿
Índice de Términos— MAG, GT, S, Z, Y, Analizador de Redes
√ Z0
i 2−¿
I. INTRODUCCIÓN b 2= ¿
√ Z0
L A aproximación de parámetros concentrados en teoría de
redes presenta ventajas indiscutibles cuando se trata de
análisis de circuitos eléctricos en continua o en baja
+¿¿
Donde i n es la onda de voltaje que entra al puerto n y
i n−¿¿ es la onda de voltaje que sale del puerto n.
frecuencia.
Cuando la longitud de onda de la señal disminuye, es de Cabe destacar que dichos coeficientes están normalizados
mucha ayuda abordar el análisis en parámetros basados en con respecto a una impedancia base, la cual se define
conceptos como ondas portadoras, coeficientes de reflexión, usualmente como la típica usada en líneas de transmisión y
entre otros. Los cuales son ampliamente utilizados en la antenas: 50Ω .
actualidad en el diseño de líneas de transmisión, circuitos de
RF y microondas. Para relacionar dichos coeficientes, se usa la matriz de
De éste modo se usan parámetros basados en el coeficiente parámetros complejos dependientes de la frecuencia.
de reflexión en redes de dos puertos. Estos son los llamados
parámetros S o de Scattering, los cuales relacionan las
magnitudes de los flujos de potencia en la red.

En donde:

a 1=Potenciaque entra ala ¿ por el puerto 1 Siendo los coeficientes definidos por las siguientes
relaciones:
b 1=Potenciaque sale de la ¿ por el puerto 1
a 2=Potenciaque entra ala ¿ por el puerto 2 b1 Potencia reflejada en el puerto 1
b 2=Potenciaque sale de la ¿ por el puerto 2 S11 = =
a1 Potencia incidenteen el puerto1
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 2

b2 Potencia transmitidaal puerto2

S21= =
a1 Potencia incidente en el puerto 1

b2 Potencia reflejada en el puerto 2

S22= =
a2 Potencia incidente en el puerto 2

b1 Potencia transmitidaal puerto1

S12= =
a2 Potencia incidente en el puerto 2
Legend:
Smith Z plots:
Con lo anterior se tiene para cada término de la matriz 1 S[1][1] as Real and Imaginary

relaciona la potencia incidente y reflejada en cada puerto de la

red.

S11 =Coeficiente de reflexión en la entrada

S12=Coeficiente de t ransmisióninversa
S21=Coeficiente de transmisión directa
S22=Coeficiente de reflexión enla salida

Para el diseño de un amplificador de RF se tiene que

considerar todo parámetro necesario en las redes de entrada y Legend:
Smith Y plots:
salida. En la figura, se muestran las redes de entrada y salida 1 S[1][1] as Real and Imaginary

(S y L respectivamente) y al centro, la red de dos puertos

cuyos parámetros S son conocidos. La elección de S y L busca B. Diseño de la solución de un amplificador de RF
adaptar las impedancias de la fuente y puerto 1 (S); y del utilizando el transistor BFR93A – NTE 2402
puerto 2 a la carga (L) de modo de maximizar la transferencia
de potencia. Como requerimientos, nuestro amplificador deberá ser
diseñado para operar a una frecuencia central de 500MHz,
suponiendo un ancho de banda de 250KHz.
La siguiente figura muestra el diseño general del
amplificador de RF, el cual deberá ser analizado mediante
sus parámetros S, a su vez convertidos a parámetros Y, y con
ellos determinar factores de estabilidad y de ganancia para su
diseño, además de los dispositivos electrónicos a utilizar.

II.PROCEDIMIENTO DE DISEÑO DEL AMPLIFICADOR DE RF

A. Análisis del archivo *.s2p y su representación en Cartas
de Smith

%BFR93A Bias condition: Vce=8V, Ic=5mA

Las siguientes gráficas muestran el comportamiento de los

parámetros S del amplificador según las especificaciones.

La resistencia (Rg = 50Ω ) representa la resistencia de salida

de la etapa previa al amplificador de RF a diseñarse, y la
resistencia (Ro = 50Ω ) representa la resistencia de entrada de
la etapa posterior al amplificador de RF a diseñarse.
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 3

Los pasos para el diseño de este amplificador son los  Calculando el factor de estabilidad de Linvill:
siguientes:
| y 12 y 21|
 Se establece la frecuencia central en la que el C=
amplificador operará: 2 g11 g22−ℜ( y 12 y 21)
%frecuencia de operación %Estabilidad de Linvill
fo = 540.246e6;
C = abs(y12*y21)/(2*g11*g22-real(y12*y21))
 El ancho de banda que se sugiere es de 250kHz
Si C< 1  Dispositivo Activo Incondicionalmente Estable
%ancho de banda sugerido
BW = 27e6; %27MHz C> 1 Dispositivo Activo Potencialmente Inestable
Con un factor de 1.5086, se encuentra que el dispositivo se
 Impedancias de la Fuente sugerida y de los puertos encuentra potencialmente inestable.

%Impedancia de los puertos  Factor de Stern propuesto k = 4

Rg = 50;
%Impedancia de la fuente sugerida %Factor de Stern propuesto
RS = 400; K = 4;
GS = 1/RS;
 Captura de los parámetros S a la frecuencia central de GL =1/2*(K*abs(y12*y21)+K*real(y12*y21)-
operación de 500 MHz. 2*g11*g22-2*GS*g22)/(g11+GS)

%Obtención de los parámetros S del  Cálculo de BS y BL

amplificador Utilizando el método iterativo, iniciando la iteración con
data = B' L =−b0, obtenemos luego de lograr la convergencia:
read(rfdata.data,'BFR93AB_500_RI.S2
P'); %Iteración
s_parameters = BS_ = -b11;
extract(data,'S_PARAMETERS'); BL_ = -b22;
for i=0:1:10;
s11 = s_parameters(1,1) YL_ = GL+j*BL_;
s12 = s_parameters(1,2) Y1_ = y11 - (y12*y21)/(y22 + YL_);
s21 = s_parameters(2,1) G1_ = real(Y1_);
s22 = s_parameters(2,2) B1_ = imag(Y1_);
BS_ = -B1_;
YS_ = GS + j*BS_;
 Transformando los parámetros S en parámetros Y Y2_ = y22 - (y12*y21)/(y11+ YS_);
G2_ = real(Y2_);
%Conversión de los parámetros S a B2_ = imag(Y2_);
parámetZa_reals Y BL_ = -B2_;
y_parameters = end
extract(data,'Y_PARAMETERS');
BL = BL_
y11 = y_parameters(1,1) %yi BS = BS_
y12 = y_parameters(1,2) %yr
y21 = y_parameters(2,1) %yf
y22 = y_parameters(2,2) %yo
 Cálculo de Y 1 y Y 2
g11 = real(y11);
g22 = real(y22); YS = GS + BS*j;
g12 = real(y12); YL = GL + BL*j;
g21 = real(y21);
Y1 = y11 - (y12*y21)/(y22 + YL)
b11 = imag(y11); Y2 = y22 - (y12*y21)/(y11 + YS)
b22 = imag(y22);
b12 = imag(y12);
b21 = imag(y21);
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 4

 Cálculo de la Ganancia máxima MAG, de div = (QT/N);

Transductor G T if(div >= 10.0)
Qp = QT/N;
C4 = N*C
GT = C3 = C4/(N-1)
4*real(YS)*real(YL)*abs(y21)^2/abs((y11+YS else
)*(y22+YL)-y12*y21)^2 Qp = ((QT^2+1)/N^2-1)^(1/2);
GTdb = 10 *log10(GT) C4 = Qp/(wo*ZaNorm_real)
Cse = C4*(Qp^2+1)/Qp^2;
GUM = 10*log10(abs(s21)^2/((1- C3 = (Cse*C)/(Cse-C)
abs(s11)^2)*(1-abs(s22)^2))) end
k = (1+abs(s11*s22-s12*s21)^2- C. Análisis de la antena
abs(s11)^2-abs(s22)^2)/(2 *
abs(s12)*abs(s21));  Cálculo de la impedancia de la antena a la frecuencia
if(k > 1) de 540MHz
MAG = abs(s21)/abs(s12)*(K - %Cálculo de la impedancia de la Antena
(K^2-1)^(1/2)) a 540MHz
else
MSG = abs(s21)/abs(s12) %Parámetros s antena
end antena = -0.1676952 - 0.196183*j
%Impedancia Antena normalizada
 Cálculo de la red de entrada Za_norm = -(1+antena)/(-1+antena)
%%Cálculo de la red de entrada ZaNorm_real = real(Za_norm)
GTi = GS + real(Y1); %Impedancia antena
RTi = 1/GTi; Za = Za_norm * 50
CTi = 1/(2*pi*BW*RTi);
wo = 2*pi*fo;  Cálculo del circuito de acoplamiento de la antena
QTi = (wo * CTi)/GTi;
L1 = 1/(wo^2*CTi)
Ci = B1_/wo;
C = CTi - Ci;
QT = (wo * C)/GS;
N = (1/(GS*Rg))^(1/2);
div = (QT/N);
if(div >= 10)
Qp = QT/N;
C2 = N*C
C1 = C2/(N-1)
else
Qp = ((QT^2+1)/N^2-1)^(1/2);
C2 = Qp/(wo*abs(Zo))
Cse = C2*(Qp^2+1)/Qp^2;
C1 = (Cse*C)/(Cse-C)

end

 Cálculo de la red de salida

%Cálculo de la red de salida

GTo = GL + G2_;
RTo = 1/GTo;
CTo = 1/(2*pi*BW*RTo); Como se observó en el cálculo anterior, la parte imaginaria
QTo = wo * CTo/GTo; al ser negativa, tendrá un efecto capacitivo en la salida, por lo
L2 = 1/(wo^2*CTo)
que para simular la impedancia total de la antena trabajando a
Co = B2_/wo;
la frecuencia de 540MHz, se procede a realizar el
C = CTo-Co;
acoplamiento de la misma. Para ello, se ocupa realizar el
QT = wo*C/GL;
paralelo de éstas impedancias, dando como segundo nombre
N = (1/(GL*ZaNorm_real))^(1/2);
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 5

como Ra’ y Ca’. El cálculo de la impedancia total en paralelo r1 = 10e3

está dada por: r2 = 12e3

− jR Vb = (r2 / (r1 + r2))* (vcc)

ωC Ve = Vb - vbe
j
R−
ωC Re = Ve/ic

Racionalizando: Xc = Re/10;
Ce = 1 / (wo*Xc)
− jR ( ωRC+ j ) − jω R 2 C + R
= 2 2 2 V B =8.18 v
( ωRC− j ) ( ωRC+ j ) ω R C −(−1 )
V E=7.48 V
R ω R2C R E=1.49 k Ω
¿ − j =a+ jb
1+ ω2 R 2 C 2 1+ω 2 R2 C2

En donde a y b se pueden apreciar de la siguiente manera:  Esquemático final debido a los resultados de la
programación en MATLAB
R
a= VCC

1+ ω2 R 2 C 2 15V

XSC1
L3 L2
SAMP LE_R FCOIL 1.249nH

ω R2 C
Ext Trig

R
+

[ ]
_

b=− j
B

=−ωCR
A
R1 + _ + _
10k Ω
2 2 2
1+ ω R C 1+ ω2 R 2 C 2 +

-
5.326m A
U1
D C 1e -009Ohm

C3
C1 CB

b=−ωCRa 109.29p F 2.1275p F Q1

+
BFR 93A
7.162
69.66p F
U2
V D C 10MOhm
- Ca
C4 3.1616p F R5
R4 545.42F 39.17Ω
50Ω C2 R2
199.83p F L1 12k Ω
V1 1.088nH

Resolviendo para Ra y Rb obtenemos: 5 Vp k

540.24MH z
RE
1.49k Ω
CE
2.1275p F

0°

b2
L4

Ra =a 1+ { }a2
(Ver detalles en Apéndice A)
SAMP LE_R FCOIL

−b
C a=
aωR

%Evaluando C' y R' para acoplamiento en la

antena

a = 33.2878
b = -13.993

Ra = a* (1 + ((b^2)/(a^2))) Resultado gráfico del amplificador

Ca = (-b) / (a*wo*Ra)

 Análisis en DC del amplificador

III. CONCLUSIONES
hfe = 90;
ic = 5e-3;
El presente trabajo demostró un análisis detallado en el
vce = 8;
desarrollo de un amplificador de RF de baja potencia, tales
vcc = 15;
análisis se desarrollaron por medio de MATLAB para
vbe = 0.7;
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 6

obtener cálculos precisos en la definición de los valores de

los dispositivos.
Hemos presentado la metodología necesaria para el
diseño mismo, además se presenta el esquemático que se
pueda requerir en el diseño de este amplificador.

IV. APÉNDICE A

VCC
15V

XSC1
L3 L2
SA MP LE _R FCOIL 1.249nH
Ext T rig
+
_
A B
R1 + _ + _
10k Ω
+ U1
5.326m A D C 1e -009Ohm
-

C3
C1 CB
109.29p F 2.1275p F Q1 69.66p F
+ U2
BFR 93A
7.162 V D C 10MOhm
- Ca
C4 3.1616p F R5
R4 545.42F 39.17Ω
50Ω C2 R2
199.83p F L1 12k Ω
V1 1.088nH
RE CE
5 Vpk 2.1275p F
540.24MH z 1.49k Ω
0°

L4
SA MP LE _R FCOIL