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tat-6とは 意味・読み方・使い方

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遺伝子名称シソーラスでの「tat-6」の意味

tat-6

worm遺伝子名tat-6
同義語(エイリアス)WP:CE19775; CE19775; F02C9.3
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのIDEntrezGene:178754
その他のDBのIDWormBase:WBGene00017174

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
WormBase
欧米研究所大学により運営されている研究用の線虫生態遺伝子情報に関するデータベース

「tat-6」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 3



例文

Also, the heat exchange segments 2 are formed by sealing a plurality of elastic spacers 5 to a heat exchange panel 3 tat is formed adjacent to a plurality of gas channels 6.例文帳に追加

また、熱交換セグメント2は、複数の気体流路6を隣接せしめて形成した熱交換パネル3に複数の弾性スペーサー5を固着して構成されている。 - 特許庁

The frequency measurement circuit is provided with a frequency divider 9 tat frequency-divides the calibration clock, a counter 4 that counts clocks outputted from the oscillation section and is reset by an output of the frequency divider, a register 5 that latches a prescribed target count value, and a comparator 6 that compares the maximum count of the counter with the target count value.例文帳に追加

周波数計測回路は、校正クロックを分周する分周器9と、発振部の出力するクロックをカウントし、分周器の出力によりリセットされるカウンタ4と、所定の目標カウント値を保持するレジスタ5と、カウンタの最大カウント値と目標カウント値とを比較する比較器6と、を備える。 - 特許庁

例文

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

TAT短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にROM書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール20の底部となるポリシリコン膜12から成るエッチングストッパ膜が、少なくともROM書き込みが行われるトランジスタ6領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

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