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silicon clathrateとは 意味・読み方・使い方
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「silicon clathrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
SILICON CLATHRATE COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF例文帳に追加
シリコンクラスレート化合物とその製造方法 - 特許庁
SILICON AND/OR GERMANIUM CLATHRATE COMPOUND AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加
シリコンおよびゲルマニウムクラスレート化合物およびその製造方法 - 特許庁
SILICON MATERIAL HAVING CLATHRATE CRYSTAL STRUCTURE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
クラスレート結晶構造シリコン材料とその製造方法 - 特許庁
To obtain a silicon clathrate compound synthesized not only an n-type silicon clathrate with doped electrons but a p-type silicon clathrate compound with positive hole dope and provide its production.例文帳に追加
電子をドープしたn型シリコンクラスレートだけでなく、正孔(ホール)ドープによるp型シリコンクラスレート化合物の合成を行ったシリコンクラスレート化合物とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The production of a silicon clathrate compound including halogen atoms having highly electron attracting characteristics is succeeded.例文帳に追加
電子吸引性の高いハロゲン原子を内包するシリコンクラスレート化合物の製造に成功した。 - 特許庁
To provide a clathrate crystal consisting of only silicon atoms without containing other elements and to provide a method for its production.例文帳に追加
他の元素を含まないシリコン原子のみからなるクラスレート結晶とその製造方法の提供 - 特許庁
A p-type silicon clathrate compound by positive hole dope can be synthesized in comparison with conventional n type silicon clathrate compounds doped with electrons.例文帳に追加
金属原子を内包し、電子をドープした従来からのn型シリコンクラスレート化合物に比較して、正孔(ホール)ドープによるp型シリコンクラスレート化合物の合成が可能となった。 - 特許庁
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「silicon clathrate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
To provide a method for producing a II type silicon clathrate involving sodium stably in large quantities.例文帳に追加
ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。 - 特許庁
Na is preferably supplied so that the mole ratio to Si used for generating the silicon clathrate becomes >1.0.例文帳に追加
Naは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるSiに対するモル比が1.0よりも大きくなるように供給されることが好ましい。 - 特許庁
To provide a silicon and/or germanium clathrate compound which has a completely different bonding mode from that of a conventional silicon or germanium crystal and the physical properties of which can greatly be changed without changing its basic structure, and also to provide a production process of the clathrate compound.例文帳に追加
従来のシリコン結晶またはゲルマニウム結晶とはそれぞれ結合様式が全く異なり、その基本構造を変化させることなく、その物性を大きく変化させることができる、シリコンおよびゲルマニウムクラスレート化合物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The silicon material is produced by forming an amorphous silicon layer on a silicon clathrate compd. crystal and heating to epitaxially grow the layer.例文帳に追加
(2)シリコンのクラスレート化合物結晶の上にアモルファスシリコン層を形成させ、これを加熱してエピタキシャル成長させる上記(1)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁
To provide a clathrate compound in which the host is silicon, and the guest element is strontium for the purpose of preparing a thermoelectric conversion element which is lightweight and can attain a high performance index and to provide a thermoelectric conversion element comprising the clathrate compound.例文帳に追加
本発明は、軽量で、高い性能指数を達成し得る熱電変換素子を得ることを目的とし、シリコンを主体とし、ストロンチウムをゲスト元素とするクラスレート化合物及び該クラスレート化合物よりなる熱電変換素子を提供する - 特許庁
This silicon material having a composite crystal structure consists of a mixture of Si46 single crystal lattices as inclusion lattices of silicon atoms and Si136 single crystal lattices as clathrate lattices.例文帳に追加
(1)シリコン原子の包接格子であるSi_46の単位結晶格子と、同じく包接格子であるSi_136の単位結晶格子とが混在したシリコン原子のみからなる複合結晶構造のシリコン材料。 - 特許庁
Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow.例文帳に追加
(3)Ba_xR_ySi_46-y(ここで、x=1〜8、y=1〜6、RはAgまたはAu)の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁
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