Silicon copperとは 意味・読み方・使い方

STABILIZED ALKAENE COPPER COMPLEX CONTAINING SILICON AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

安定化された珪素含有アルケン銅錯体及びその製造方法 - 特許庁

A copper interconnect line 107 is composed of a silicon low-concentration region 104 and a silicon solid solution 106 provided on the silicon low-concentration region 104.例文帳に追加

銅配線１０７を、シリコン低濃度領域１０４と、その上部に設けられたシリコン固溶層１０６からなる構成とする。 - 特許庁

A silicon nitride film 23 of several nm in thickness, the cavity 24 of 50 nm in width, a silicon nitride film 23, a silicon oxide film 25 containing carbon, a silicon nitride film 23, a cavity 24, a silicon nitride film 23, and copper wiring 22, are formed in order between the copper wirings 22.例文帳に追加

銅配線２２の間には、数ｎｍのシリコン窒化膜２３、幅５０ｎｍの空洞２４、シリコン窒化膜２３、炭素含有シリコン酸化膜２５、シリコン窒化膜２３、空洞２４、シリコン窒化膜２３、銅配線２２が順に形成されている。 - 特許庁

A copper fuse 1 and a copper wiring 5 that could be cut by a laser beam are formed on a silicon substrate so that the film thickness of the copper fuse 1 is thinner than that of the other copper wiring 5 in the same layer.例文帳に追加

レーザ光により切断可能な銅ヒューズ１と銅配線５をシリコン基板上に形成したものにおいて、銅ヒューズ１の膜厚が同層の他の銅配線５の膜厚よりも薄くなるように形成する。 - 特許庁

After forming on a silicon substrate 1 a copper-plated film containing impurities, the copper-plated film is so subjected to a crystal growth as to form a first copper film 9c comprising a plurality of copper grains and the impurity layers distributed in their grain boundaries.例文帳に追加

不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板１の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜９ｃを形成する。 - 特許庁

A copper thin film (base layer) 1 is formed on the surface of the silicon substrate 2, and a Mo/Si multilayer film 3 is formed on the copper thin film 1.例文帳に追加

シリコン基板２の表面には、銅薄膜（下地層）１が成膜されており、銅薄膜１の上にＭｏ／Ｓｉ多層膜３が成膜されている。 - 特許庁

To provide a method for removing silicon nitride film on a copper interconnection by etching, while suppressing generation of copper fluoride.例文帳に追加

銅配線上のシリコン窒化膜をエッチング除去する際に、銅フッ化物の生成を抑制したエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The first surface treatment is preferably a process to selectively remove at least either copper compounds or silicon compounds from the copper film.例文帳に追加

第１の表面処理は、銅化合物及びシリコン化合物の少なくとも一方を銅膜に対して選択的に除去する処理であることが好ましい。 - 特許庁