S-potentialとは 意味・読み方・使い方

When in this structure a positive potential Vs is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, the potential Vs is also applied to the end of the spiral layer 6 connected to the high potential electrode 2, thus forming a uniform potential distribution over the spiral layer 6.例文帳に追加

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。 - 特許庁

When the voltage of a gate line AG_i is changed from a potential c that is lower than the potential (a) to a potential d that is higher than the potential, an accumulation gate G_S is transferred with a prescribed amount of charge from the data line VD_j and accumulates it.例文帳に追加

蓄積ゲートＧ_Sは、ゲート線ＡＧ_iの電圧が、電位ａよりも低い電位ｃから電位よりも高い電位ｄに変化した時に、ＶＤ_jから一定量の電荷を転送されて蓄積する。 - 特許庁

When the voltage of a gate line TG_i is changed from a potential e that is lower than the potential c to a potential f that is higher than the potential c, a transfer gate G_T transfers the accumulated charge to retention volume C_S to make the retention volume retain it.例文帳に追加

転送ゲートＧ_Tは、ゲート線ＴＧ_iの電圧が、電位ｃよりも低い電位ｅから電位ｃよりも高い電位ｆに変化した時に、上記の蓄積電荷を保持容量Ｃ_Sに転送して保持させる。 - 特許庁

The power source electric potential (VDD) and an intermediate electric potential (Va) which is output from a voltage dividing circuit (S) are supplied to the operational amplifiers (OP1, OP2), and the intermediate electric potential (Va) and the power source electric potential (VEE) are supplied to the operational amplifiers (OP3, OP4).例文帳に追加

演算増幅器（ＯＰ１，ＯＰ２）には、電源電位（ＶＤＤ）と分圧回路（Ｓ）から出刀される中間電位（Ｖａ）とが供給され、演算増幅器（ＯＰ３，ＯＰ４）には、中間電位（Ｖａ）と電源電位（ＶＥＥ）とが供給される。 - 特許庁

When applying a plasma treatment to the substrate S, the potential of the lower electrode 10 is set negative with respect to the potential of an upper electrode 20, and the potential of the auxiliary electrode 30 is set negative with respect to the potential of the upper electrode 20.例文帳に追加

基板Ｓに対してプラズマ処理を施す場合、下部電極１０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とし、補助電極３０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とする。 - 特許庁

The specific resistance of a testing subject S is measured by impressing a potential to the subject S via electrodes C, D for impression, and by finding a potential in each portion of the testing subject S, using measuring electrodes P1-P3, Q.例文帳に追加

試験体Ｓに印加用電極Ｃ，Ｄを介して電位を与えると共に、測定用電極Ｐ１〜３，Ｑにより試験体Ｓの各部位における電位を求めることにより試験体Ｓの比抵抗を測定する。 - 特許庁

Then, a switch 12 connects a source line S_n+1 to wiring 5 for setting a potential V_p or wiring 6 for setting a potential V_n.例文帳に追加

このとき、スイッチ１２は、ソースラインＳ_ｎ＋１をＶ_ｐ設定用配線５またはＶ_ｎ設定用配線６に接続させる。 - 特許庁

To improve the S/N ratio by reducing nose components relative to eye potential original signals by a simpler method in measuring the eye potential.例文帳に追加

眼電位の計測において、より簡便な方法で、眼電位原信号に対するノイズ成分の低減することにより、Ｓ／Ｎ比を向上させる。 - 特許庁