HB1とは 意味・読み方・使い方

Widths Ha2, Hb2 in directions of the second convex portion 22 are not more than widths Ha1, Hb1 in directions of the first convex portions 12, 13.例文帳に追加

そして、第２凸状部２２のそれぞれの方向の幅Ｈａ２、Ｈｂ２は、第１凸状部１２、１３のそれぞれの方向の幅Ｈａ１、Ｈｂ１以下としている。 - 特許庁

The reflective element 22 is designed so that its height Hb2 is about the same as Hb1 which is the height of the radiating element 21, and is designed so that its width Lb2 is wider than Lb1 which is the width of the radiating element 21.例文帳に追加

反射素子２２は、放射素子２１の高さＨｂ１と略同じ高さＨｂ２に設定し、横幅Ｌｂ２を放射素子２１の横幅Ｌｂ１より広く設定する。 - 特許庁

The first electrode 52 is formed on the surface of the planarization layer 48 and is connected to a drain electrode of the current source transistor TS via the conduction hole Hb1 which is formed in a side in the planarization layer 48 and the second insulating layer 46, wherein the side is opposite to the light emitting element E side across the current source transistor TS.例文帳に追加

第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。 - 特許庁

The first intermediate conductive layer 541 is conducted to the first switching element Q1 through a conductive hole HB1 of a first insulating layer L1, and the second intermediate conductive layer 542 is conducted to the second switching element Q2 through a conductive hole HB2 of the first insulating layer L1.例文帳に追加

第１中間導電層５４１は、第１絶縁層Ｌ1の導通孔ＨB1を介して第１スイッチング素子Ｑ1に導通し、第２中間導電層５４２は、第１絶縁層Ｌ2の導通孔ＨB2を介して第２スイッチング素子Ｑ2に導通する。 - 特許庁

A biased magnetic field Hb1 along the magnetization direction J13A of the free layer, when the current magnetic field HmA is zero is applied to the MR element 51A by the magnetic substrate, thereby enhancing the unidirectional anisotropy of the free layer, without using shape anisotropy.例文帳に追加

ここでは、磁性基板によって電流磁界ＨｍＡが零のときの自由層の磁化方向Ｊ１３Ａに沿ったバイアス磁界Ｈｂ１をＭＲ素子５１Ａに対して印加するようにしたので、形状異方性を利用しなくとも自由層の一軸異方性を強めることができる。 - 特許庁

In this case, since it is possible to apply bias magnetic fields Hb1 and Hb2 each to the MR elements 3A and 3B by the magnetic substrates 6A and 6B, it is possible to accurately and stably detect a current magnetic field Hm based on the current Im to be detected while sufficiently avoiding the effects of undesired disturbing magnetic fields from the outside.例文帳に追加

磁性基板６Ａ，６ＢによってＭＲ素子３Ａ，３Ｂに対してバイアス磁界Ｈｂ１，Ｈｂ２をそれぞれ印加することができるので、外部からの不要な擾乱磁界の影響を十分に回避しつつ、検出対象電流Ｉｍに基づく電流磁界Ｈｍを正確に、かつ安定して検知することができる。 - 特許庁