Datei:HKMG - NMOS and PMOS Intel 45 nm node DE.svg
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Originaldatei (SVG-Datei, Basisgröße: 1.600 × 675 Pixel, Dateigröße: 33 KB)
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Beschreibung
| Beschreibung |
Deutsch: Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik (Gate-Last- bzw. Replacement-Gate-Ansatz) wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte.
Die vereinfachten Darstellungen sind Veröffentlichungen von Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen nachempfunden, wie sie beispielsweise in D. James An Ongoing History of Strain-Now Available with High-k! WeSRCH-Veröffentlichung (http://electronics.wesrch.com/pdfEL1SE1YJ9AKVU) zu finden sind. |
| Datum | |
| Quelle | Eigenes Werk |
| Urheber | Cepheiden |
Lizenz
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|
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Der vollständige Text der Lizenz ist im Kapitel GNU-Lizenz für freie Dokumentation verfügbar. |
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| Version vom | Vorschaubild | Maße | Benutzer | Kommentar | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuell | 23:00, 21. Feb. 2011 | | 1.600 × 675 (33 KB) | Cepheiden | {{Information |Description ={{de|1=Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte. Die vereinfachten Darstellungen sind Veröff |
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