SIEMENS NORM

SN
29500-3
Ausgabe / Edition 2009-06

ICS 31.020
Deskriptoren: Ausfallrate, Bauelement, Erwartungswert, Halbleiter Ersatz für Ausgabe 2004-12
Descriptors: Failure rate, component, expected value, semiconductor Supersedes Edition 2004-12

Ausfallraten Bauelemente
Teil 3: Erwartungswerte von Diskreten Halbleitern

Failure rates of components

Part 3: Expected values for discrete semiconductors

Fortsetzung Seite 2 bis 13

Continued on pages 2 to 13

CT SR Corporate Standardization & Regulation, Munich and Erlangen

© Siemens AG 2009
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SN 29500-3 : 2009-06

In Zweifelsfällen ist der deutsche Originaltext als In case of doubt the German language original
maßgebend heranzuziehen. should be consulted as the authoritative text.
In Übereinstimmung mit der gängigen Praxis in Normen In keeping with current practice in standards published
der Internationalen Elektrotechnischen Kommission by the International Electrotechnical Commission (IEC)
(IEC) und der Internationalen Organisation für Normung and the International Organization for Standardization
(ISO), wird in dieser Norm auch im englischen Text das (ISO), a comma has been used throughout as the
Komma als Dezimalzeichen verwendet. decimal marker.

Frühere Ausgaben Earlier Editions

1984-09; 1992-04; 1997-07; 2004-12 1984-09; 1992-04; 1997-07; 2004-12

Änderungen Amendments
Gegenüber der Ausgabe Dezember 2004 wurden Compared to the December 2004 edition, the following
folgende Änderungen durchgeführt: amendments have been introduced:
- Aktualisierung der Ausfallratenwerte - update of the failure rates
- redaktionelle Überarbeitung. - editorial revision.

Inhalt Seite
1 Anwendungsbereich .............................................................................................................. 3
2 Referenzbedingungen............................................................................................................ 3
3 Erwartungswerte bei Referenzbedingungen ....................................................................... 4
Tabelle 1 Ausfallraten für Transistoren .................................................................................. 4
Tabelle 2 Ausfallraten für Dioden ........................................................................................... 5
Tabelle 3 Ausfallraten für Leistungshalbleiter ........................................................................ 5
4 Umrechnung von Referenz- auf Betriebsbedingungen...................................................... 6
4.1 Spannungsabhängigkeit, Faktor πU .......................................................................................... 6
4.2 Temperaturabhängigkeit, Faktor πT .......................................................................................... 7
4.3 Driftempfindlichkeit, Faktor πD ................................................................................................ 10
4.4 Aussetzbetrieb, Faktor πW ...................................................................................................... 10
5 Einfluss von Impulsbetrieb.................................................................................................. 11
6 Frühausfallphase.................................................................................................................. 11
Anhang A: Symbole ............................................................................................................. 12
Zitierte Normen ..................................................................................................................... 13

_____________________

Contents Page
1 Scope ....................................................................................................................................... 3
2 Reference conditions ............................................................................................................. 3
3 Expected values under reference conditions...................................................................... 4
Table 1 Failure rates for transistors..................................................................................... 4
Table 2 Failure rates for diodes........................................................................................... 5
Table 3 Failure rates for power semiconductors ................................................................. 5
4 Conversion from reference to operating conditions .......................................................... 6
4.1 Voltage dependence, factor πU ................................................................................................. 6
4.2 Temperature dependence, factor πT ........................................................................................ 7
4.3 Drift sensitivity, factor πD ........................................................................................................ 10
4.4 Stress profile, factor πW .......................................................................................................... 10
5 Effect due to pulsed operation............................................................................................ 11
6 Early failure period ............................................................................................................... 11
Annex A: Symbols................................................................................................................ 12
Normative references........................................................................................................... 13
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SN 29500-3 : 2009-06

1 Anwendungsbereich 1 Scope
Diese Norm ist für Zuverlässigkeitsberechnungen von This standard is to be used for reliability calculations on
Erzeugnissen anzuwenden, in denen Diskrete products in which discrete semiconductors are used.
Halbleiter eingesetzt werden. It supplements SN 29500 Part 1 “General“.
Sie ergänzt SN 29 500 Teil 1 „Allgemeines". If nothing to the contrary is noted, then the failure rates
Die in dieser Norm angegebenen Ausfallraten gelten, stated in this standard apply to wired and SMT
wenn nichts anderes angegeben, für bedrahtete und components (Surface Mounted Technology).
SMT-Bauelemente (Surface Mounted Technology).

2 Referenzbedingungen 2 Reference conditions

Ausfallkriterien Failure criterion
Totalausfälle und solche Änderungen von Hauptmerk- Complete failures and changes of major parameters
malen, die in der Mehrzahl der Anwendungen zum Aus- leading to failure in the majority of applications.
fall führen.
Zeitbereich Time interval
Betriebszeit > 1000 Stunden Operating time > 1000 hours
Betriebsspannung Operating voltage
50% der maximal zulässigen Spannung für 50% of the maximum permissible voltage for transistors
Transistoren
Sperrschichttemperatur 1 Junction temperature 1
Siehe Tabellen 1 bis 3 ( θ j,1 ) See Tables 1 to 3 ( θ j,1 )

Mittlere Umgebungstemperatur 2 Mean ambient temperature 2

θU,ref = 40 °C θU,ref = 40 °C

Einsatzart Description of environment

Die angegebenen Ausfallraten gelten für den Einsatz The failure rates stated apply to the use of equipment
der Geräte in folgenden Umweltbedingungen nach under the following environmental conditions according
DIN IEC 60721 Teile 3-1, 3-2, und 3-3: to IEC 60721 Parts 3-1, 3-2, and 3-3:
Klima 3 3K3 climatic conditions 3 class 3K3
mechanische Einflüsse 3M3 mechanical stresses class 3M3
chemische Einflüsse 3C2 chemical influences class 3C2
Sand und Staub 3S2 sand and dust class 3S2
Es wird dabei vorausgesetzt, dass die Bauelemente It is assumed that the components were not damaged
nicht durch Überschreiten der folgenden Bedingungen during transport and storage due to conditions
bei Transport und Lagerung vorgeschädigt werden. exceeding those stated below.
Transport: Klima 2K4 Transportation: climatic conditions class 2K4
mechanische Einflüsse 2M2 mechanical stresses class 2M2
chemische Einflüsse 2C2 chemical influences class 2C2
Sand und Staub 2S2 sand and dust class 2S2
Lagerung: Klima 1K5 Storage: climatic conditions class 1K5
mechanische Einflüsse 1M3 mechanical stresses class 1M3
chemische Einflüsse 1C2 chemical influences class 1C2
Sand und Staub 1S2 sand and dust class 1S2
Die im Abschnitt 3 angegebenen Ausfallraten gelten The failure rates stated in clause 3 also apply if the
auch für hiervon abweichende Bedingungen, wenn conditions deviate from those specified, provided that
der Einfluss durch konstruktive Maßnahmen kompen- compensation can be made by design measures.
siert werden kann.
Betriebsart 2 Operating mode 2
Dauerbetrieb mit gleich bleibender Beanspruchung. Continuous duty under constant stress.

1 Für die Bestimmung der Sperrschichttemperatur θ j,1 wurden die mittlere Umgebungstemperatur θU=40 °C und, wenn nichts anderes angegeben,
freie Konvektion zugrunde gelegt.
For determining the junction temperature θ j,1 the mean ambient temperature θU=40 °C and, if nothing else to the contrary has been stated, free
convection were used.
2 Siehe SN 29500 Teil 1 / See SN 29500 Part 1
3 Die Temperaturabhängigkeit der Ausfallrate ist zu berücksichtigen / Temperature dependence of the failure rate to be considered.
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3 Erwartungswerte bei Referenzbedingungen 3 Expected values under reference conditions

Die Ausfallraten λ ref in den Tabellen 1, 2 und 3 sind bei The failure rates λ ref stated in Tables 1, 2 and 3 should
Betrieb unter den angegebenen Referenzbedingungen be understood for operation under the stated reference
(siehe Abschnitt 2) als Erwartungswerte für den conditions (see clause 2) as expected values for the
angegebenen Zeitbereich und für die Gesamtheit der stated time interval and the entirety of lots. Within the
Lose zu verstehen. Im Rahmen der Wertestreuung scope of the variations of values, in exceptional lots, the
kann in extremen Einzellosen etwa der fünffache Betrag actual value may differ from the expected by a factor of
des betreffenden Erwartungswertes auftreten. up to five.

Tabelle 1 Ausfallraten für Transistoren

Table 1 Failure rates for transistors

Transistortyp / Type of transistor λref θ j,1

in FIT in oC

Allgemein / common NF / Low frequency

Bipolar, universal 1) z.B. / e.g. TO18, TO92, SOT(D)(3)23 3 55
oder ähnliche / or similar
Transistor-Arrays 1) 12 55
Transistor arrays 1)
Bipolar-Kleinleistung, z.B. / e.g. TO5, TO39 20 85
Bipolar, low power SOT223, SO8, SMA-SMC
Bipolar, Leistung, z.B. / e.g. TO3, TO220, D(D)-Pack 60 100
Bipolar, power
FET Sperrschicht / junction 5
55
MOS 5
MOS, Leistung / power (SIPMOS), z.B. / e.g. TO3, TO220, D(D)-Pack 60 100
IGBT, Leistung / power, z.B. / e.g. TO3, TO220, D(D)-Pack 60 100

Mikrowellen / microwave z.B. / e.g. RF >800 MHz

bipolar Breitband, Kleinsignal /wide band, small signal 10 55
bipolar Leistung / power 200 125
GaAs FET Kleinsignal, Low Noise / small signal low noise 25 95
medium power 50 110
high power 250 145
MOSFET Breitband, Kleinsignal /wide band, small signal 10 55
Leistung / power 200 125
1 FIT=1x10-9 1/h; (Ein Ausfall pro 109 Bauelementestunden) 1 FIT equals one failure in 109 component hours
Bei der Verwendung von nackten Chips sind die angegebenen For bare chips the indicated failure rates shall be multiplied by a factor
Ausfallraten mit einem Faktor von mindestens 2 zu multiplizieren, of at least 2 if no experience has been gained in the mounting
wenn keine eigenen Erfahrungen in der Aufbautechnik vorliegen. technology used.
1) Für driftempfindliche Schaltungen ist der 1) For drift-sensitive circuits the drift sensitivity factor πD shall be taken
Driftempfindlichkeitsfaktor πD zu berücksichtigen into account (see Clause 4.3).
(siehe Abschnitt 4.3).
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Tabelle 2 Ausfallraten für Dioden
Table 2 Failure rates for diodes
Diodentyp / Type of diode λref θ j,1
in FIT in °C
Universal-Diode 1) 2) / Universal diode1) 2) 1 55
Schottky-Diode 2) / Schottky diode 2) 1 55
Begrenzungsdiode (Suppressordiode) 7 40
Limiting diode (suppressor diode)
Z-Diode, ( Ptot < 1 W) Spannungsschutz 4) / voltage protection 4) 1 40
Z-Diode, Leistung / power Stabilisation 3) / stabilization 3) 25 100
Referenzdiode / Reference diode 7 45
Mikrowellen-Diode, Kleinsignal Detektordiode / detector diode 20 45
Microwave diode, small signal Kapazitätsdiode / capacitance diode 10 45
Mischerdiode / mixer diode 20 70
Pindiode / pin diode 5 55
Mikrowellen-Diode, Leistung Speichervaraktor / storage varactor 200 100
Microwave diode, power Gunndiode / Gunn diode 500 160
Impattdiode / Impatt diode (500) 180
Pindiode / pin diode 50 100
Hochspannungsgleichrichterdiode (200) 85
High-voltage rectifier diode
1 FIT=1x10-9 1/h; (Ein Ausfall pro 109 Bauelementestunden) 1 FIT equals one failure in 109 component hours
Für Bauelemente ohne ausreichende Erfahrung sind die Failure rates of components for which no sufficient operating experience
Ausfallraten einzuklammern. Bei der Verwendung von nackten has been gained are given in brackets. For bare chips the indicated
Chips sind die angegebenen Ausfallraten mit einem Faktor von failure rate shall be multiplied by a factor of at least 2 if no experience has
mindestens 2 zu multiplizieren, wenn keine eigenen Erfahrungen in been gained in the mounting technology used.
der Aufbautechnik vorliegen.
1) auch mit Avalanche-Charakter 1) also with avalanche characteristics
2) Für driftempfindliche Schaltungen ist der 2) For drift-sensitive circuits the drift-sensitive factor πD
Driftempfindlichkeitsfaktor πD zu berücksichtigen (siehe shall be taken into consideration (see Clause 4.3).
Abschnitt 4.3)
3) Bei der Anwendung für Spannungsschutz kann ohne 3) If applied for voltage protection the calculation can be made without
Eigenerwärmung gerechnet werden ( θ j,1 = 40 °C) accounting for self-heating ( θ j,1 = 40 °C).
4) Bei der Anwendung für Stabilisation muss mit Eigenerwärmung 4) If used for stabilization, then the calculation must take
gerechnet werden self-heating into account

Tabelle 3 Ausfallraten für Leistungshalbleiter

Table 3 Failure rates for power semiconductors
λref θ j,1
Bauelement / Component
in FIT in °C
Gleichrichterdioden 2) / rectifier diodes 2) 2 70
Gleichrichterbrücken / rectifier bridges 10 85
Schottky-Dioden / Schottky diodes 10 85
Thyristoren / thyristors 50 85
Triac's, Diac's 75 85
IGBT-Module / IGBT modules full-pack 1) 70 100
IGBT-Module / IGBT modules six-pack 70 100
IGBT-Module / IGBT modules two-pack 70 100
IGBT-Module / IGBT modules one-pack 70 100
Sondergefertigte und kundenspezifische
Leistungshalbleiter Rücksprache mit Hersteller Rücksprache mit Hersteller
Specialized and custom-made power consult manufacturer consult manufacturer
semiconductors
1 FIT=1x10-9 1/h; (Ein Ausfall pro 109 Bauelementestunden) 1 FIT equals one failure in 109 component hours
Bei der Verwendung von nackten Chips sind die angegebenen For bare chips the indicated failure rate shall be multiplied by a factor
Ausfallraten mit einem Faktor von mindestens 2 zu multiplizieren, wenn of at least 2 if no experience has been gained in the mounting
keine eigenen Erfahrungen in der Aufbautechnik vorliegen. technology used.

1) 6 puls Netzgleichrichter + 6 puls Motor Inverter 1) 6-pulse line rectifier + 6-pulse motor inverter
2) auch mit Avalanche-Charakter 2) also with avalanche characteristics
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4 Umrechnung von Referenz- auf 4 Conversion from reference to

Betriebsbedingungen operating conditions
Werden die Diskreten Halbleiter nicht mit der in Ab- If the discrete semiconductors are not operated under the
schnitt 2 „Referenzbedingungen“ genannten elektri- electrical stresses and at the average ambient
schen Beanspruchung und der mittleren Umge- temperature as stated in clause 2 „Reference conditions“,
bungstemperatur betrieben, dann ergeben sich Aus- the result can be failure rates which differ from the
fallraten, die von den Erwartungswerten in den expected values given in Tables 1 to 3.
Tabellen 1 bis 3 abweichen.
Zur Berücksichtigung der tatsächlichen elektrischen To account for the actual electrical stresses and the
Beanspruchungen und der sich während des Betrie- average ambient temperature that occur during operation,
bes einstellenden mittleren Umgebungstemperatur the expected values under reference conditions need to
werden die Erwartungswerte bei Referenzbedingun- be converted with the relevant π factors.
gen mit den jeweiligen π - Faktoren umgerechnet.
Die Ausfallrate bei Betriebsbedingungen λ errechnet The failure rate under operating conditions λ is calculated
sich während der Betriebszeit zu: for operations as follows:

• für Transistoren bipolar, universal und • For bipolar transistors, universal transistors and
Transistor-Arrays transistor arrays

λ = λref × π U × π T × π D (4.1)

• für sonstige Transistoren • for other transistors

λ = λref × π U × π T (4.2)

• für Universal- und Schottky-Dioden • for universal and Schottky diodes

λ = λref × π D × π T (4.3)

• für sonstige Dioden und Leistungshalbleiter • for other diodes and power semiconductors

λ = λref × π T (4.4)

hierin bedeuten / where:

λref Ausfallrate bei Referenzbedingungen failure rate under reference conditions
πU Faktor für Spannungsabhängigkeit voltage dependence factor
πT Faktor für Temperaturabhängigkeit temperature dependence factor
πD Faktor für Driftempfindlichkeit drift sensitivity factor

4.1 Spannungsabhängigkeit, Faktor πU 4.1 Voltage dependence, factor πU

Die Spannungsabhängigkeit wird für Transistoren The voltage dependence of transistors is taken into
nach Gleichung (4.5) berücksichtigt. account as in formula (4.5).

{ (
π U = exp C3 × (U U max )C 2
− (U ref U max )
C2
)} (4.5)

Hierin bedeuten /where:

U Betriebsspannung in V operating voltage in V
Uref Referenzspannung in V reference voltage in V
Umax maximal zulässige Betriebsspannung in V rated voltage in V
C 2 ,C 3 Konstanten constants
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Tabelle 4 Konstanten
Table 4 Constants
U ref U max C2 C3

0,5 8 1,4

Tabelle 5 Faktor πU für Transistoren

Table 5 Factor πU for transistors
Spannungsverhältnis U U max
Voltage ratio U U max ≤ 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1

Faktor π U
1 1 1 1 1,1 1,3 1,8 4
Factor π U

4.2 Temperaturabhängigkeit, Faktor πT 4.2 Temperature dependence, factor πT

Die Abhängigkeit von der Temperatur betrifft nur den The temperature dependence applies only to the
temperaturaktivierbaren Anteil des Diskreten temperature-activated part of the discrete
Halbleiters. semiconductor.
Der folgende Zusammenhang gilt nur bis zur maximal The following formula applies up to the maximum
zulässigen Sperrschichttemperatur. Dabei werden die permissible junction temperature only. The values of
in Tabelle 6 angegebenen Konstanten verwendet. the constants are given in Table 6.

A × e Ea1×z + (1 − A ) × e Ea2 ×z
πT = (4.6)
A × e Ea1×zref + (1 − A ) × e Ea2 ×zref

⎛ 1 1 ⎞⎟ 1
mit / with z = 11605 × ⎜ − in
⎜T ⎟
⎝ U,ref T2 ⎠ eV
⎛ 1 1⎞ 1
und / and zref = 11605 × ⎜ − ⎟ in
⎜T ⎟
⎝ U,ref T1 ⎠ eV

Hierin bedeuten / where:

TU,ref = θ U,ref + 273 in K θU,ref Referenz-Umgebungstemperatur in °C /
Reference ambient temperature in °C
T1 = θ j,1 + 273 in K θ j,1 Referenz-Sperrschichttemperatur in °C /
Reference virtual (equivalent) junction temperature in °C
T2 = θ j,2 + 273 in K θ j,2 tatsächliche Sperrschichttemperatur in °C /
Actual virtual (equivalent) junction temperature in °C
A, Ea1, Ea2 Konstanten / Constants
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Tabelle 6 Konstanten
Table 6 Constants

Ea1 Ea2 θ U,ref

A
in eV in eV in °C
Transistoren Transistors 0,9 0,3 0,7 40
Referenz- und Mikrowellendioden Reference and microwave diodes
Dioden (ohne Referenz- und Diodes (without reference and
Mikrowellendioden) microwave diodes) 1 0,4 - 40
Leistungshalbleiter Power semiconductors

Die damit berechneten Faktoren π T sind in Ab- The calculated factors π T depend on the reference
hängigkeit von der Referenz-Ersatzsperrschicht- virtual (equivalent) junction temperature θ j,1 and are
Temperatur θ j,1 given
- für Transistoren, Referenz- und Mikrowellen- - for transistors, reference and microwave diodes in
dioden aus Tabelle 7 und Table 7 and
- für Dioden (ohne Referenz- und Mikro-wellen- - for diodes (without reference and microwave diodes)
dioden) und Leistungshalbleiter aus Tabelle 8 zu and power semiconductors in Table 8.
ersehen
Die in den Tabellen 7 und 8 notwendigen tatsächli- In Tables 7 and 8 the required actual junction
chen Sperrschichttemperaturen θ j,2 errechnen sich temperatures θ j,2 are calculated as per
zu

θ j,2 = θ U + Δθ

Hierin bedeuten: where:

θU Mittlere Umgebungstemperatur mean ambient temperature of the component in °C
des Bauelementes in °C
Δθ = P × R th Temperaturerhöhung increase in temperature due to self-heating
aufgrund von Eigenerwärmung
P Verlustleistung operating power dissipation
Rth Wärmewiderstand thermal resistance
(Sperrschicht - Umgebung) (junction - ambient)
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Tabelle 7 Faktor π T für Transistoren, Referenz- und Mikrowellendioden
Table 7 Factor π T for transistors, reference and microwave diodes

θ j,1 θ j,2
(in Tabellen
in Tables ≤25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 110 120 125 130 140 145 150 160 175 180 200
1 - 3)
40 0,54 0,67 0,82 1 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 4,1 5,1 6,3 7,7 9,6 12 18 28 35 44 67 83 102 153 275 332 689

45 0,44 0,54 0,67 0,82 1 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,4 4,1 5,1 6,3 7,8 9,7 15 23 29 36 55 68 83 125 225 272 563

55 0,3 0,37 0,45 0,55 0,67 0,82 1 1,2 1,5 1,8 2,3 2,8 3,4 4,2 5,3 6,5 10 16 19 24 37 45 56 84 150 182 377

70 0,16 0,2 0,24 0,3 0,37 0,45 0,54 0,67 0,82 1 1,2 1,5 1,9 2,3 2,9 3,6 5,5 8,5 11 13 20 25 30 46 82 99 206

85 0,087 0,11 0,13 0,16 0,2 0,24 0,29 0,36 0,44 0,54 0,66 0,81 1 1,2 1,5 1,9 2,9 4,5 5,6 7 11 13 16 24 44 53 110

95 0,057 0,07 0,085 0,10 0,13 0,16 0,19 0,23 0,29 0,35 0,43 0,53 0,65 0,81 1 1,2 1,9 3 3,7 4,6 7 8,6 11 16 29 35 72

100 0,046 0,056 0,069 0,084 0,1 0,13 0,15 0,19 0,23 0,28 0,35 0,43 0,53 0,65 0,81 1 1,5 2,4 3,0 3,7 5,6 6,9 8,5 13 23 28 58

110 0,03 0,036 0,045 0,055 0,067 0,081 0,099 0,12 0,15 0,18 0,22 0,28 0,34 0,42 0,52 0,65 1 1,5 1,9 2,4 3,6 4,5 5,6 8,3 15 18 38

125 0,015 0,019 0,023 0,028 0,035 0,043 0,052 0,063 0,078 0,095 0,12 0,14 0,18 0,22 0,27 0,34 0,52 0,81 1 1,2 1,9 2,3 2,9 4,3 7,8 9,4 20

145 0,0066 0,0081 0,0099 0,012 0,015 0,018 0,022 0,027 0,033 0,041 0,05 0,061 0,076 0,094 0,12 0,14 0,22 0,34 0,43 0,53 0,81 1 1,2 1,85 3,3 4,0 8,3

160 0,0035 0,0054 0,0044 0,0066 0,0080 0,0098 0,012 0,015 0,018 0,022 0,027 0,033 0,041 0,051 0,063 0,074 0,12 0,19 0,24 0,3 0,44 0,54 0,67 1 1,87 2,2 4,6

180 0,0016 0,0020 0,0025 0,0030 0,0037 0,0045 0,0055 0,0067 0,0082 0,01 0,012 0,015 0,019 0,023 0,029 0,036 0,055 0,085 0,11 0,13 0,2 0,25 0,31 0,46 0,83 1 2,1

Tabelle 8 Faktor π T für Dioden (ohne Referenz- und Mikrowellendioden) und Leistungshalbleiter
Table 8 Factor π T for diodes (without reference and microwave diodes) and power semiconductors

θ j,1 θ j,2
(in Tabellen
in Tables ≤25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 110 120 125 130 140 145 150 160 175 180 200
1 - 3)
40 0,47 0,61 0,79 1 1,3 1,6 2 2,4 3 3,7 4,4 5,4 6,5 7,7 9,2 11 15 20 24 27 36 41 47 61 87 98 151

55 0,24 0,31 0,4 0,51 0,64 0,80 1 1,2 1,5 1,9 2,3 2,7 3,3 3,9 4,7 5,5 7,6 10 12 14 18 21 24 31 44 50 77

70 0,13 0,17 0,21 0,27 0,35 0,43 0,54 0,67 0,82 1 1,2 1,5 1,8 2,1 2,5 3,0 4,1 5,6 6,5 7,5 9,9 11,3 13 17 24 27 41

85 0,074 0,095 0,12 0,16 0,2 0,25 0,31 0,38 0,46 0,57 0,69 0,83 1 1,2 1,4 1,7 2,3 3,2 3,7 4,3 5,6 6,4 7,3 9,5 14 15 23

100 0,044 0,056 0,072 0,092 0,12 0,15 0,18 0,22 0,28 0,34 0,41 0,49 0,59 0,71 0,84 1 1,4 1,9 2,2 2,5 3,3 3,8 4,4 5,6 8,0 9,0 14
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4.3 Driftempfindlichkeit, Faktor πD 4.3 Drift sensitivity, factor πD

Zur Berücksichtigung eines erhöhten Wertes der Aus- A drift sensitivity factor π D has been introduced for
fallrate in driftempfindlichen Schaltungen wird für drift-sensitive circuits and circuits to take into account
- Transistoren bipolar, universal, an increased value of the failure rate for
- Transistoren-Arrays und - bipolar, universal transistors,
- Universal- und Schottky-Dioden - transistors arrays and
- universal and Schottky diodes
der Driftempfindlichkeitsfaktor π D eingeführt.
Es gelten für Anwendungen in The factors applicable are
- nicht driftempfindliche Schaltungen, πD =1 - for use in non-drift circuits, πD =1
- driftempfindlichen Schaltungen, πD =2 - for use in drift-sensitive circuits, πD =2

4.4 Aussetzbetrieb, Faktor πW 4.4 Stress profile, factor πW

Werden Diskrete Halbleiter während der Betriebszeit If discrete semiconductors are not continuously
der Baugruppe oder des Gerätes nicht immer bean- stressed during the operating time of the module or
sprucht (Pausen ohne elektrische Belastung zwischen equipment (breaks without electrical stress during
den Betriebsperioden), so kann dies durch den Um- operating periods), this can be taken into account for
rechnungsfaktor für Aussetzbetrieb π W, bezogen auf by the conversion factor for intermittent operation π W
die Ausfallrate λ nach Gleichung (4.1), (4.2), (4.3) oder related to the failure rate λ in equations (4.1), (4.2),
(4.4) berücksichtigt werden. (4.3) or (4.4).
Damit erhält man die Ausfallrate bei Aussetzbetrieb zu The failure rate for intermittent operation is then
obtained by using the formula

λW = λ × π W (4.8)

λ0
mit / with πW =W +R ( 1 − W), 0 ≤ W ≤ 1, R = 0,08
λ
Hierin bedeuten / where:
W Beanspruchungsdauer Ratio: duration of component stress to operating time
Bauelement / Betriebszeit Gerät of equipment
R Konstante; sie berücksichtigt die Erfahrung, dass Constant; taking into account that even non-stressed
auch nicht beanspruchte Bauelemente Ausfälle components may fail.
zeigen können.
λ0 Ausfallrate bei Stillstandtemperatur θ0, jedoch Failure rate at wait-state temperature, but under
unter elektrischer Last. Die Stillstandtemperatur electrical stress. The wait-state temperature is the
ist die Bauelemente- bzw. Speerschicht- component or junction temperature during the non-
temperatur während der beanspruchungsfreien stress phase.
Pause.
λ0 = λref × π T (θ 0 ) λ0 = λref × π T (θ 0 )
λ Ausfallrate bei Betriebs- bzw. Referenztempe- Failure rate under actual operating or reference
ratur nach Gleichung (4.1), (4.2) (4.3) oder (4.4). temperature as in Equation (4.1), (4.2), (4.3) or (4.4).
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5 Einfluss von Impulsbetrieb 5 Effect due to pulsed operation

Aufgrund mangelnder Einsatzerfahrungen können Currently, due to lack of experience no values are
derzeit keine Angaben zu Umrechnungsfaktoren available for conversion factors.
gemacht werden.
Allerdings ist bei Leistungshalbleitern mit However, power semiconductors using bonding techniques
Bondanschlusstechnik unter Impulsbetrieb in Ab- are expected to have significantly higher failure rates when
hängigkeit des zeitlichen Ein-/Ausschaltverhaltens used in pulsed operation depending on the on/off cycles
(Tastverhältnis) und den daraus resultierenden (duty factor) and the resulting junction temperature
Sperrschichttemperaturzyklen Δθ j mit einer deutli- cycles Δθ j.
chen Erhöhung des Ausfallratenwertes zu rechnen.
Diesbezügliche Angaben sind in Abhängigkeit vom Values referring to this type of operation can be obtained
Einsatzfall unter dem Stichwort "Wechsellasthäufig- from the manufacturer for each individual application under
keit" vom jeweiligen Hersteller anzufordern. the key phrase "alternating load frequency".

6 Frühausfallphase 6 Early failure period

Die Frühausfallphase von Diskreten Halbleitern ist The early failure period of discrete semiconductors is the
der Zeitbereich vom ersten Beanspruchungsbeginn time from the very first beginning of operation to the time
bis zum Erreichen der konstanten Ausfallrate nach when the constant failure rate period starts after approx.
ca. 1 000 Betriebsstunden. 1 000 operating hours.
Die zu erwartende mittlere Ausfallrate für den be- The expected mean failure rate during the time interval
trachteten Zeitbereich ergibt sich durch Multiplika- under observation is obtained by multiplying the relevant
tion des betreffenden Ausfallratenwertes aus den failure rate from Tables 1 to 3 by the factor πF (for the
Tabellen 1 bis 3 mit dem Faktor πF (für den be- appropriate time interval under observation) in Table 9.
trachteten Zeitabschnitt) aus Tabelle 9.

Tabelle 9 Faktor πF
Table 9 Factor πF
Faktor / Factor
Betriebszeit in h
Operating time in h πF π F,max

- 30 2,9
30 - 300 2,2 3
300 - 1000 1,3
1000 - 1 1

Die Werte gelten für Diskrete Halbleiter, die den The values are valid for discrete semiconductors
Anforderungen nach SN 72500 entsprechen. Bei conforming to the requirements in SN 72500.
nicht nach SN 72500 qualifizierten Diskreten Significant higher π factors can occur for discrete
Halbleitern können deutlich höhere π-Faktoren auf- semiconductors not conforming to SN 72500.
treten.
Die Angabe von πF,max=3 sagt aus, dass bei nicht The stated value πF,max =3 indicates that if the early
monotoner Abnahme der Frühausfallrate der failure rate does not decrease monotonically the
Faktor πF den Wert “3“ nicht überschreiten darf. factor πF shall not exceed the value “3“.
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Anhang A: Symbole Annex A: Symbols

λ Ausfallrate unter Betriebsbedingungen Failure rate under operating conditions
λ0 Ausfallrate bei Stillstandtemperatur Failure rate at wait-state temperature
λref Ausfallrate bei Referenzbedingungen Failure rate under reference conditions
πD Faktor für Driftabhängigkeit Drift sensitivity factor
πF Faktor für Frühausfallverhalten Early failure dependence factor
πI Faktor für Stromabhängigkeit Current dependence factor
πT Faktor für Temperaturabhängigkeit Temperature dependence factor
πU Faktor für Spannungsabhängigkeit Voltage dependence factor
πW Faktor für Wechsellastbetrieb Stress profile factor
Δθ Temperaturerhöhung aufgrund von Increase in temperature due to
Eigenerwärmung in °C self-heating in °C
θ0 Stillstandtemperatur in °C Wait-state temperature in °C
θU Mittlere Umgebungstemperatur Average ambient temperature
des Bauelementes in °C of the component in °C
θ U,ref Referenz-Umgebungstemperatur in °C Reference ambient temperature in °C
θj,1 Referenz-Sperrschichttemperatur in °C Reference junction temperature in °C
θj,2 Tatsächliche Sperrschichttemperatur in °C Actual junction temperature in °C
TU,ref Referenz-Umgebungstemperatur in K Reference ambient temperature in K
T1 Referenz-Sperrschichttemperatur in K Reference junction temperature in K
T2 Tatsächliche Sperrschichttemperatur in K Actual junction temperature in K
P Verlustleistung Operating power dissipation
R Konstante (Restfaktor) Constant (rest factor)
Rth Thermischer Widerstand Thermal resistance
(Sperrschicht - Umgebung) (junction - environment)
U Betriebsspannung Operating voltage
Umax Maximal zulässige Betriebsspannung Rated voltage
Uref Referenzspannung Reference voltage
W Verhältnis: Beanspruchungsdauer Bauelement Ratio: duration of component stress to
zu Betriebszeit Gerät operating time of equipment
A, C2, C3 Konstanten Constants
Ea1, Ea2 Aktivierungsenergien in eV Activation energies in eV
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Zitierte Normen Normative references

DIN IEC 60721 Elektrotechnik; Klassifizierung IEC 60721-3 Classification of environmental
Teil 3 von Umweltbedingungen; conditions - Part 3: Classification
Klassen von Umwelt- of groups of environmental
einflussgrößen und deren parameters and their severities
Grenzwerte
Teil 3-0: Einführung Part 3-0 Edition 1.1 :2002-10
(identisch mit IEC 60721-3-0) Introduction
Teil 3-1: Langzeitlagerung Part 3-1 :1997-02 Section 1:
(identisch mit IEC 60721-3-1) Storage
Teil 3-2: Transport Part 3-2 :1997-03
(identisch mit IEC 60721-3-2) Transportation
Teil 3-3/A2: Ortsfester Einsatz, Part 3-3 Edition 2.2 :2002-10
wettergeschützt Stationary use at weather
(identisch mit IEC 60721-3-3) protected locations
SN 29500 Teil 1 Ausfallraten Bauelemente - SN 29500 Part 1 Failure Rates of Components -
Erwartungswerte. Allgemeines Expected values. General
SN 72500 Technische Lieferbedingungen SN 72500 Technical Terms of Delivery
für elektrische / elektronische for Electrical/ Electronic
Bauelemente Components

Erläuterungen Explanations
Auf Veranlassung der Geschäftsbereiche wurde die At the instigation of the Siemens operating
Bearbeitung siemenseinheitlicher Ausfallraten unter Groups, the failure rates in this standard were
Mitwirkung von Vertretern der Geschäftsbereiche und established and implemented in collaboration
CT SR durchgeführt. with representatives of the Groups and CT SR.
Diese Norm wurde im TRAK SN 29500 vereinbart. This standard was agreed to by the expert team
of the TRAK SN 29500.